Накачка в узкополосная

Отметим, что в литературе величина Г (6.12), имеющая размерность см" , называется стационарным коэффициентом усиления или просто коэффициентом усиления ФРК. Последнее, очевидно, связано с тем, что, с точки зрения слабого сигнального пучка, при Г >0 образец ФРК, освещаемый мощным пучком накачки, является аналогом активной усиливающей среды с инверсной заселенностью уровней. Вместе с этим следует иметь в виду, что подобные усилители на основе ФРК требуют достаточно узкополосной накачки. Для эффективной их работы частотное рассогласование между сигнальным и опорным пучками Ао) не должно превышать (Ts — характерное время записи голограммы при данных условиях). [c.110]

Чтобы убедиться в надежности результатов измерений, следует провести ряд проверок. Энергию пучка нужно измерить в двух местах на разном расстоянии от лазера как с узкополосным фильтром, так и без него, чтобы выявить относительные ошибки, обусловленные светом спонтанного излучения и ламп накачки. Влияние электрических переходных процессов можно установить, закрывая пучок и повторяя калориметрические измерения. Если у лазера имеются внешние зеркала, можно вставить поглотитель между лазерным стержнем и задним зеркалом. Тогда генерация будет сорвана, а все другие источники излучения останутся. [c.176]

Одновременно происходит революция в технике селективной узкополосной полупроводниковой накачки. Можно надеяться, что в ближайшие годы прогресс в росте яркости полупроводниковых излучателей и снижении их стоимости позволит применить их не только в маломощных кристаллических лазерах, но и в существенно более мощных лазерах на неодимовом стекле (см. гл. 2). [c.8]

Однако вопросы, связанные с контуром уровней энергии и спектральных линий простых систем, со смещением и уширением уровней под действием излучения накачки, с нерезонансным рассеянием и аналогичные им полностью выходят за рамки этого метода. Уравнения (2.23) в общем случае не следуют из уравнений квантовой электродинамики. Их можно получить используя специальные предположения, которыми ограничивается область их применимости. Скоростные уравнения (2.23) справедливы при условии, что падающее излучение или вовсе отсутствует, или достаточно широкополосно, а средние частоты полос совпадают с собственными частотами исследуемого вещества. Ими также можно пользоваться, если облучение вещества происходит узкополосным излучением в условиях, когда уровни энергии обладают большой шириной, например, когда это колебательные уровни сложных молекул. [c.68]

Оптическая накачка полупроводниковым лазером или светодиодом. В настоящее время развивается метод узкополосной оптической накачки лазера ИАГ Кс1 +. В качестве источника накачки применяют инжекционный лазер на СаА5 или светодиод из Са1 хА11 А5. В первом случае накачка осуществляется на длине волны 0,8 8 мкм (накачка в группу В линий в спектре поглощения на рис. 1.17, а) во втором случае — на длине волны 0,81 мкм (накачка в группу Б линий того же спектра). [c.33]

Метод узкополосной оптической накачки в торец активного элемента создает предпосылки для разработки миниатюрных твердо-обладающих оттшсительио низким порогом ге- [c.34]

Спектроскопия насыщения. В этом методе монохро-матич. лазерное излучение (излучение накачки) насыщает резонансную неоднородно уширенную спектральную линию поглощения (или излучения), а гораздо более слабый лазерный пучок, распространяющийся коллинеарно (сонаправленно либо навстречу) пучку накачки, зондирует индуциров. изменения в спектральном контуре линий (рис. 1). Мощное узкополосное лазерное излучение накачки вызывает перераспределение населённостей уровней энергии системы. Наиб, возмущению подвергается распределение населённо- [c.306]

Другое применение узкой линии ВРМБ-усиления связано с его использованием в качестве перестраиваемого узкополосного оптического фильтра для селекции каналов в многоканальных системах связи [45]. Если разность частот соседних каналов больше, а скорость передачи меньше, чем ширина полосы усиления Avg, то, перестраивая лазер накачки, можно избирательно усиливать данный канал. Эта схема была экспериментально продемонстрирована с накачкой от перестраивае.мого лазера на центрах окраски [45]. По световоду длиной 10 км осуществлялась передача по двум канала.м со скоростью 45 Мбит/с. Каждый канал можно было усилить на 20 25 дБ при мощности накачки 14 мВт. Важно, что каждый канал можно было детектировать без ошибок (вероятность ошибки < 10 ), когда разность частот каналов превышала 140 МГц. В световоде, использовавшемся в данно.м эксперименте, Avg составляла 100 МГц, т. е. разность несущих частот соседних каналов, при которой еще не возникают перекрестные по.мехи,. может составлять лишь 1,5Луд. [c.279]

Наконец, подчеркнем, что Лоберо и Кайзеру (см., напри-ме р, [9.32] и цитированную там литературу), а также Пискар-скасу [9.11] удалось получить возбуждающие и пробные импульсы длительностью до субпикосекунд на основе одиночных импульсов от твердотельных генераторов, используя их в качестве импульсов накачки соответствующим образом подобранных параметрических генераторов (см. гл. 8). Полученные таким путем импульсы отличаются от импульсов лазеров на красителях особенно фронтами, на которых энергия спадает на несколько порядков ниже максимума круче, чем по экспоненциальному закону. Это позволяет очень точно измерить и малые пробные сигналы, что делает возможным определение времен релаксации в пять раз более коротких, чем длительность импульса [9.32]. Такие параметрические генераторы могут быть включены как в канал возбуждения, так и в канал пробных импульсов, что обеспечивает свободный выбор переходов возбуждения и излучения в широком диапазоне (рис. 9.13). Особый интерес представляет возможность выбора обеих длин волн в ближней инфракрасной области спектра, что позволяет непосредственно возбуждать и изучать колебательные переходы. Подчеркнем, что фотометрическая точность при измерении поглощения узкополосных параметрических пробных сигналов в общем случае превышает точность измерений с использова- [c.340]

В 1961 году на второй международной конференции по квантовой электронике С. Ятсив [88] впервые представил рассмотрение цикла охлаждения, изображённый на рис. 1.7. Он рассмотрел две группы энергетических уровней, среди которых одна или сразу обе имеют подуровни. Расстояние между подуровнями составляло энергетическую щель порядка кТ, а сами группы отделены друг от друга значительной энергетической щелью. Заметим, что при низких температурах величина расщепления между подуровнями может подстраиваться внешним магнитным полем. В сообщении указывалось, что необходима щель между возбуждённым и основным состояниями размером не менее 10000 см поскольку это весьма удобно как с точки зрения накачки, так и для уменьшения вероятности безызлучательной релаксации между группами подуровней. Чтобы возбуждать отдельные переходы с верхнего подуровня группы основного состояния на нижний подуровень группы возбуждённого состояния, необходим узкополосный источник излучения таким образом, стоксовая эмиссия будет исключена. С. Ятсив предложил три типа оптической накачки для реализации такого эксперимента (1) мощная дуговая лампа, свет которой пропускается через монохроматор (2) предварительно возбуждённый лампой-вспышкой идентичный охлаждаемому образцу кристалл, флуоресценция которого, проходя через фильтр, будет иметь в спектре лишь длинноволновую часть (3) подходящий оптический мазер. [c.57]

Действительно, в обратимом процессе количество теплоты, равное по величине hu2i, можно отнять от холодного резервуара только при поступлении извне необходимой энергии Ер = (ср. (3.13) с формулой (1.45)). Заметим, что результат (3.13) получен в приближении, когда мы пренебрегли возможным вкладом в охлаждение за счёт уши-рения линии перехода. Простым примером для демонстрации механизма охлаждения за счёт уширения линии перехода может служить подсистема двухуровневых примесей, возбуждённое состояние которых имеет однородное уширение. В этом случае, оптическая накачка узкополосным излучением с частотой, немногим меньшей центральной частоты перехода, приведёт к охлаждению кристаллической решётки за счёт имеющегося неупругого столкновения электронного возбуждения с фононами. [c.130]

Различают две модификации амплитудной АСКР — с узкополосным и широкополосным возбуждениями. В первом варианте используют два возможно более монохроматических источника накачки, один из которых можно плавно перестраивать по частоте. Спектр сигнала получается путем регистрации интенсивности антистоксовой когерентно-рассеянной волны как функции разности частот волн накачки со, — СО2. Для регистрации спектра сигнала таким образом не нужна спектральная аппаратура (достаточно обеспечить пространственную или спектральную фильтрацию сигнала от волн накачки), а спектральное разрешение определяется ширинами линий лазеров накачки и может быть сделано очень высоким. [c.247]

В широкополосном варианте АСКР один из источников (частота СО2) имеет настолько широкий спектр, что обеспечивает возбуждение колебаний сразу внутри всего спектрального контура исследуемой полосы КР без перестройки частоты С02. Второй источник накачки не перестраивается и является узкополосным. При этом спектр сигнала АСКР соответ- [c.247]

Авторы работы [108] создали более чувствительный лидар с дифференциальным поглощением (ИК-ДПР), работающий в ближнем инфракрасном спектральном диапазоне на длине волны 724,37 нм линии поглощения НгО. В этой лазерной установке применили лазер на рубине, работающий в режиме модуляции добротности, с энергией в импульсе 1,5 Дж для одновременного получения лазерного импульса с длиной волны 694,3 нм и лазерного импульса с длиной волны 724,37 нм. Такой режим работы достигли путем разделения луча на дйа с энергией в импульсе 0,25 и 1,25 Дж. Луч с энергией в импульсе 1,25 Дж использовали для накачки системы из двух ячеек с красителем, одна из которых служит генератором, другая — усилителем. Чтобы обеспечить возможность перестройки в интервале длин волн от 715 до 740 мм, применяли раствор DTD в диметил-сульфоксиде с концентрацией 1,2-10 М. Для получения узкополосной генерации использовали сочетание дифракционной решетки и интерферометра Фабри — Перо. В результате на выходе получали пучок с энергией в импульсе 0,165 Дж, длительностью импульса 30 не, шириной полосы генерации 0,008 нм и расходимостью менее 3,5 мрад. [c.371]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...