Чувствительность интегральная фотоэлемента

Известно довольно много различных вентильных систем, имеющих различную химическую природу, которые с успехом нрименяются для регистрации света. Некоторые из них имеют довольно удовлетворительные фотометрические свойства и хорошую интегральную чувствительность, превышающую чувствительность вакуумных фотоэлементов. [c.312]

Селективные приемники (фотоэлементы, ФЭУ, глаз, фотопластинки и др.) характеризуются спектральной и интегральной чувствительностью. [c.61]

Если селективный приемник лучистой энергии, например фотоэлемент, глаз, фотографический слой и т. д., применяется совместно со светофильтром, то необходимо знать интегральный коэффициент пропускания этого светофильтра и чувствительность приемника лучистой энергии по спектру. [c.63]

Тип фотоэлемента Интегральная чувствительность в мка/лм я 2 Н 0 Ь 1 2 -Д = - а X 5 0) с З < и X С 6 КЗ м 8 ч КЗ Тип фотоэлемента Интегральная чувствительность в мка/лм ж О ь X 5 >>=5 а с -г и X м 6 а [c.156]

Интегральный коэффициент светопропускания изменяется в зависимости от распределения энергии источника света по спектру и чувствительности приемника лучистой энергии по спектру (например, фотоэлемента, глаза, фотографического слоя и т. д.). Его величина может быть вычислена по формуле [c.72]

Тип фотоэлемента Рабо- чая пло- щадь, см- Интегральная чувствительность, м/са/лм Напряже- ние холостого хода, же Внутреннее сопротивление, ом Диапазон линейного изменения фототока, мка Макси- мальная частота модуляции, гц Область максимальной спектральной чувствитель- ности, мкм [c.346]

Использование вентильных фотоэлементов в фотометрии малых световых потоков ограничено неудобством применения усилительных схем. В этом случае более пригодны вакуумные фотоэлементы. Устойчивость работы вентильных фотоэлементов также несколько ниже, чем у вакуумных фотоэлементов, хотя известны экземпляры, работающие без существенного изменения их интегральной чувствительности в течение 10 лет. [c.313]

Чувствительность фотоэлементов характеризуется как спектральной, так и интегральной чувствительностью, первая оценивает фототок для данной длины волны падающих лучей вторая — для суммарного лучистого потока всех длин волн, воспринимаемого фотоэлементом. Потери светового потока ДФ в линзах и призмах [c.116]

Преимущества Ф. перед др. фотоэлементами, малый вес и габариты, высокая интегральная чувствительность, небольшие рабочие напряжения (см. табл.). Технология изготовления Ф, плавление, диффузия, вытягивание из расплава (см. Полупроводниковый диод). [c.340]

С т и к а) имеет один или неск. максимумов (рис. 2). Все Ф. с 3. с. чувствуют в основном видимую часть спектра некоторые чувствительны и к ближней инфракрасной или ультрафиолетовой областям. Интегральной чувствительностью Ф. с 3. с. наз. от-замыкания (Д = 0) к Ф с. эталонным источником до теми-ры S п "j измеряются в мка вт или в мка лм, если фотоэлемент работает в области видимого излучения. [c.363]

Для увеличения интегральной чувствительности фотоэлементов используют явление вторичной электронной эмиссии. Этот способ, примененный в фотоумножителях, позволяет уменьшить влияние тепловых шумов в нагрузочных сопротивлениях. Он реализован в фотоэлектронных умножителях. [c.108]

Таким образом, значения интегральной чувствительиости фотоэлементов, которые сообщаются потребителю, носят весьма условный характер. Действительно, если сравнить интегральную чувствительность селеновых фотоэлементов и сернистосеребряных по табличным данным, то окажется, что последние обладают чувствительностью в десятки раз выше, чем первые. В действительности ке пх чувствительности мало отличаются друг от друга. [c.286]

Огромное разнообразие задач, решаемых с помощью фотоэлементов, вызвало к жизни чрезвычайно большое разнообразие типов фотоэлементов с различными техническими характеристиками. Выбор оптимального типа фотоэлементов для решения каждой конкретной задачи основывается на знании этих характеристик. Для фотоэлементов с внешним фотоэффектом (вакуумных фотоэле-.. ментов) необходимо знание следующих характеристик рабочая область спектра относительная характеристика спектральной чувствительности (она строится как зависимость от длины волны падающего света безразмерной величины отношения спектральной чувствительности при монохроматическом освещении к чувствительности в максимуме этой характеристики) интегральная чувствительность (она определяется при освещении фотоэлемента стандартным источником света) величина квантового выхода (процентное отношение числа эмиттированных фотоэлектронов к числу падающих на фотокатод фотонов) инерционность (для вакуумных фотоэлементов она определяется обычно через время пролета электронов от фотокатода к аноду). Важным параметром служит также темновой ток фотоэлемента, который складывается из термоэмиссии фотокатода при комнатной температуре и тока утечки. [c.650]

В зависимости от материала фотокатода и материала колбы фотоэлемента их можно применять в диапазоне 0,2—1,1 мкм. Их интегральная чувствительность лежит в пределах 20—100 мкА на 1 лм светового потока, а термоэмиссия — в пределах 10 — 10" А/см . Очень важным достоинством вакуумных фотоэлементов является их высокое постоянство и линейность связи светового потока с фототоком. Поэтому они длительное время преимущественно использовались в объективной фото.метрии, спектрометрии, спектрофотометрии и спектральном анализе в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Главным недостатком вакуумных фотоэлементов при световых измерениях следует считать малость электрических сигналов, вырабатываемых этими приемниками света. Последний недостаток полностью устраняется в фотоэлектронных умножителях (ФЭУ), представляющих как бы развитие фотоэлементов. ФЭУ были впервые построены в 1934 г. [c.650]

Помимо использования фотоэлементов как преобразователей солнечной энергии в электрическую, они применяются также в качестве чувствительных датчиков, реагирующих на изменение интенсивности светового потока. Широкое применение для этой цели получили германиевые, меднозакисные, селеновые, сернистосеребряные, сернистоталлиевые и другие элементы. Интегральная чувствительность их примерно на 2—3 порядка выше, чем у элементов с внешним фотоэффектом. Для ее повышения фотоэлементы конструируют так, чтобы возможно большее число носителей, возникающих при освещении, достигало р — -перехода. С этой целью базу элемента w (рис. 12.10, а) делают как можно тоньше, а полупроводниковый материал выбирают с возможно большей диффузионной длиной носителей L, чтобы выполнялось соотношение w< L. [c.330]

Свет, падающий на поверхность закиси меди, пройдя тонкий её слой, на границе запирающего слоя вызывает движение электронов. Эле строны, пройдя запирающий слой, могут вернуться в первоначальное положение только через внешнюю цепь, поскольку сопротивление запирающего слоя в обратном направлении весьма велико. При этом закись меди получает положительный потенциал, а медь — отрицательный. Под действием возникшей таким образом электродвижущей силы во внешней цепи появится ток, величина которого будет пропорциональна освещённости. Интегральная чувствительность фотоэлементов с запирающим слоем — купроксных 100—200 и 400 — 500 MKajAM. [c.547]

Основные параметры н характернс1икн фотоэлемент. Световая (интегральная) чувствительность [c.368]

Тип фотоэлемента Спект- ральная характе- ристика Напря- жение анода, в Наименьшая интегральная чувствительность мпа-лм. Наибольший темновой ток, а Наибольший диаметр мм Наиболь- шая длина, мм [c.698]

При выборе типа фотоэлемента необходимо учитывать основные характер истики, такие, как спектральная и интегральная чувствительность, световая, вольтампер-ная, частотная и др. Кроме того, необходимо знать постоянную времени, уровень шумов, характеристику утомляемости (старения) в зависимости от продолжительности работы или хранения, темновой ток (ток, протекающий через затемненный фотоэлемент), температурную характеристику (зависимость фототока или чувствительности от температуры), наибольшее допустимое рабочее напряжение, изменение чувствительности при смещении светового пятна от края к центру поверхности, габариты фотоэлемента и др. [c.345]

Фотоэлектрические приемники также характеризуются довольно резко выраженной спектральной кривой абсолютной чувствительности. В этом случае величина спектральной чувствительности определяет тот фототок, который возникает в цепи фотоэлемент — гальванометр при падении иа светочувствительную поверхность элемента потока лучистой энергии данной длины волны мощностью 1 вт. Поэтому абсолютная спектральная чувствительность фотоэлементов должна измеряться в микроамперах на ватт падающего монохроматического излучения. Одна1 о в силу сложности таких измерений, требующих энергетических оценок лучистого потока, чатце всего измеряют относительную спектральную чувствительность, а вместо абсолютной чувствительности определяют для каждого фотоэлемента только его интегральную чувствительность. Оценивают ее по общей величине фототока, возникающего в цепи при воздействии на фотоэлемент белого света определенной интенсивности. При этом лучистый поток определяют пе в энергетических единицах, а в светотехнических единицах светового потока — люменах, и стандартизуют источник света. В качестве такого стандартного источника света л СССР принята 100-ваттная газонолная лампа накаливания МЭЛЗ с вольфрамовой питью, цветовая температура которой прп нормальном режиме накала лампы составляет 2848° К. Все значения интегральной чувствительности фотоэлектрических приемников относятся к указанной температуре источника. [c.285]

В своих работах Столетов установил основное фотометрическое СВОЙСТВО фотоэлементов с катодами из чистых металлов прямую пропорциональность между интенсивностью действующих световых лучей и фототоком, возникающим в фотоэлементе. В случае сложных катодов закон Столетова выполняется только в ограниченной области характеристической кривой ток — световой поток. Но сложные катоды обладают значительно более высокой интегральной чувствительностью по сравнению с чистыми металлами, в особенности, в видимой и б ли- жайшей инфракрасной областях спектра. Интегральная чувствительность вакуумных кислородно-цезиевых фотоэлементов достигает 20—40 ма лм, а сурь- [c.301]

Спектральные характеристики вакуумных фотоэлементов также меняются со временем. Имеет место общее старение фотоэлементов, когда интегральная и спектральная чувствительности их меняются невоспропзводимыд образом. Вообще же кислородноцезиевые и сурьмяно-цезиевые вакуумные фотоэлементы обладают спектральной чувствительностью в сравнительно широкой области спектра. На рис. 230 приведены типичные кривые спектральной чувствительности фотоэлементов с кислородно-цезиевым (рис. 230, а) и с сурьмяно-цезиевым катодом (рис. 230, б). Первые обладают повышенной чувствительностью в инфракрасной области спектра, а вторые — в видимой и ультрафиолетовой. [c.302]

Рассматриваемые фотоэлементы обладают большой зависимостью их интегральной чувствительности от температуры и от способа изготовления фотоэлемента. Частотные характерис-ТИ1СИ их также оставляют желать много лучшего. [c.312]

Интегральная чувствительность (К)8Ь-фотоэлементов, полученных ракуум-электрохимическим методом, составляет 2 мка лм (диффузионный метод дает 0,6—4 мка1лм [8]). [c.75]

В измерительной головке применен вентильный сернисто-серебряный фотоэлемент ФЭСС-У, разработанный и выпускаемый Институтом физики АН УССР. Этот фотоэлемент обладает большой интегральной чувствительностью 7000—8000 л ка на люмен (против 140—160 мка на люмен вакуумного фотоэлемента) и делает возможным работу фотоэлектрической схемы без каких-либо промежуточных усилительных звеньев. [c.281]

Основным параметром всех фотоэлементов является их интегральная (суммарная) чувствительность, определяемая отношением изменения проходящего через фотоэлемент фототока к изменению падающего на фотоэлемент светового потока. Она измеряется в микроамперах на люмен (мка1лм). Важным параметром является также спектральная характеристика, т. е. зависимость чувствительности от длины волны света, падающего на фотоэлемент. [c.704]

Фотоэлементы, основанные на внутреннем фотоэффекте, называют фотосопротивлениями. Оценивается чувствигель-ность фотосопротивления ус)елб ой чувствительностм (К). Эта величина равна отношению интегральной чувствительности к приложенному напряжению 7, т. е. [c.166]

Тип фотоэлемента Катод Наполнение баллона Интегральная чувствительность, мкаЬгм Темновой ток, мка Рабочее напряжение. [c.179]

На рис. 260, а световая характеристика относится к вакуумному фотоэлементу с кислородно-цезиевым фотокатодом. Эта характеристика линейна, что означает сохранение постоянства интегральной чувствительности для данной температуры нитн накаливания из вольфрама. [c.450]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...