Уровни обращенные

Для ускорения работы подсистемы, в каждом конкретном случае имеющей дело с ограниченным набором данных, часто организуют сетевую СУБД, в которой любая запись, называемая записью старшего уровня, может содержать данные, относящиеся к набору других записей, называемых записями подчиненного уровня. Обращение к набору записей реализуется по указателям (ключам). Такая структура, называемая оперативным файлом, использована, в частности, в разработанной в ЭНИМСе подсистеме САПР-ИН. [c.659]

Логическая запись — единица информации, на уровне которой происходит обращение к набору данных из пользовательской программы. Размер логической записи выбирается пользователем и зависит от структуры обрабатываемых данных. Логические записи в ОС ЕС могут иметь формат 1) фиксированной длины 2) переменной длины 3) неопределенной длины. Формат логи- [c.117]

Подводя итоги, нельзя не обратить внимание читателя на еще один перспективный путь формирования КТС САПР, связанный с организацией на нижнем уровне сети персональных ЭВМ (ПЭВМ), каждая из которых может сообщаться с другими ПЭВМ на данном уровне для обмена информацией или принятия коллективных проектных решений. Кроме того, любая ПЭВМ должна быть связана с ЭВМ верхнего уровня. Применение ПЭВМ поможет решить весьма важную проблему повышения надежности всего КТС САПР. Не последнюю роль здесь будут играть и психологические соображения имея в распоряжении персональные средства автоматизации, проектировщики получат большую свободу в обращении с ними, а непосредственный и постоянный контакт с ЭВМ сделает их применение само собой разумеющимся. [c.41]

Статистическое рассмотрение различных процессов, происходящих в замкнутой системе, лишает понятие необратимости того абсолютного значения, которое оно получило в феноменологической термодинамике. Всякий действительный процесс, происходящий, например, в изолированной системе, является в принципе и необратимым, и обратимым, поскольку он может сопровождаться как возрастанием энтропии, так и уменьшением или сохранением ее на постоянном уровне, т. е. может быть обращен в любом направлении. Такой обращающийся характер. действительных процессов основывается на строгой обратимости элементарных молекулярных, внутримолекулярных и внутриатомных двия ений. Однако вероятность обращения действительного процесса, т. е. вероятность того, что процесс изменения состояния изолированной системы пойдет не в сторону возрастания энтропии, а в сторону уменьшения ее, крайне мала. Поэтому, если процессы, противоречащие принципу необратимости, и встречаются в природе, то настолько редко и в таком ничтожном масштабе, что нисколько не лишают силы термодинамическую трактовку второго, начала термодинамики и не обесценивают ее значения. [c.95]

А эти реакции уже не являются обратными друг к другу. Поэтому принцип детального равновесия при изучении реакций на ядрах используется лишь для легких ядер, где уровни расположены не так густо. В заключение отметим, что принцип детального равновесия является прямым следствием инвариантности квантовой механики относительно обращения знака времени. [c.129]

Сегодня производится и эксплуатируется огромное число различных средств измерений и обработки данных с различными уровнями унификации, исключить которые из обращения практически невозможно. Если использовать для построения измерительных систем такие средства, то, естественно, целесообразен первый из указанных подходов. Однако перспективным путем является организация внутрисистемных связей, основанная на использовании стандартных средств сопряжения. [c.52]

Правила и положения, установленные стандартами СТД АСУ, распространяются на техническую документацию всех видов АСУ, создаваемых для всех уровней, управления народным хозяйством (кроме государственного). Стандарты СТД АСУ должны служить также основанием для разработки организационно-методических документов, определяющих и регламентирующих деятельность, связанную с разработкой и обращением технической документации на АСУ. [c.58]

Уровни могут обнаруживать обращенный или частично обращенный порядок. Схемы переходов и расположения линий можно составить и для этих случаев (см. 31). [c.71]

Обращенный порядок уровней приводит к необходимости вводить поправку к формуле дублетного расщепления, учитывающей так называемую обменную энергию и запаздывание кулоновского взаимодействия. Поправка эта отрицательна ]. [c.145]

Исходя из нормального состояния иона Мп II, 3d 4s S, можно построить схему термов нейтрального марганца. Нормально Мп I находится в состоянии 3d 4s S ему соответствует ионизационный потенциал 7,43 в. Энергетически ближайшим к нему оказывается состояние 3d 4s D. Порядок уровней в мультиплетах Мп I, как правило, обращенный. Основные электронные конфигурации Мп I и соответствующие им термы приведены в схемах 31 и 32. [c.276]

Эрбий (Z = 68). Дополнительной к конфигурации 4f церия является конфигурация 4f 2, встречающаяся у эрбия. Нормальными состояниями Ег и Ег соответственно являются 4f 6s H и 4f 6s H. Таким образом, у Erl и Ег II, так же как у Се и Се , наиболее глубокими являются Н- и Н-термы. Разница заключается лишь в том, что у церия порядок уровней — нормальный, а у эрбия — обращенный. [c.295]

Дополнительной к 4f является конфигурация 4f , которая в качестве нормальной встречается у трижды ионизованного диспрозия (Dy IV). Ей отвечает терм Н с обращенным порядком уровней (терм H Sm IV имеет нормальный порядок уровней). [c.299]

Компилятор осуществляет лексический и синтаксический анализ для трансляции программы с языка высокого уровня, выполняет основную работу по составлению объектной программы — генерирует объектиые модули и команды обращения к библиотечным модулям, а также формирует управляющие предложения для редактора связей относительно состава используемых объектных модулей для формирования загрузочного модуля. [c.374]

Подшипники защищаем от избыточной смазки с помощью установки отражательных дисков 2 на обращенных внутрь масляной полости торцах подшипников. В данной конструкции регулярный подвод масла к подшипникам представляет некоторые труяюстн. Нередко применяемая система масляной ванны, заполняемой маслом до уровня иижвнх шариков, не решает дела. С понижением уровня масла в результате нспареняя летучих составляющих подшипники остаются без смазки задолго до исчерпания всего резерва, что вынуждает к частой доливке масла. [c.95]

Термомеханический эффект допускает обращение, т. е. если разность температур в Не II вызывает появление разности давлений, то и разность давлений вызывает соответствующую разность температур. Обращенный термомеханический эффект называется механокалорическим эффектом. В Не II он был исследован в 1939 г., когда было обнаружено, что течение Hell через капилляр от более высокого уровня к более низкому сопровождается появлением разности температур в сосудах (рис. 64). [c.336]

Рядом с линиями уровней в прямоугольной рамке приведены значения энергии расщепления мультиплет-ных уровней с нужным знаком, характеризующим либо нормальный (+), либо обращенный (—) мультиплет. Штриховые метки использовались для обозначения электронных конфигураций, отвечающих разным исходным состояниям атомного остова. В случае атомов инертного газа и атома иода, у которых возбужденные состояния классифицируются по схеме //-связи моментов, на диаграммах Гротриана были указаны только положения нижней и верхней компонент мультиплетных подуровней (отмеченных соответственно чертой снизу и сперху при символе квантового числа J полного момента атома) и граничные длины волн переходов между заданными мультиплетными уровнями. [c.838]

Увеличение перегрева стенки ведет к росту числа одновременно действующих центров парообразования, что сопровождается ростом интенсивности теплообмена. Для кипения характерна очень сильная зависимость плотности теплового потока q от перегрева стенки относительно температуры насыщения это кардинально отличает теплообмен при кипении от однофазной конвекции и от конденсации. Зависимость (А Т) называют кривой кипения, или кривой Нукияма, по имени японского исследователя, впервые описавшего эту зависимость в 1935 г. Типичная кривая кипения со схематическим изображением механизма теплообмена при различных сочетаниях плотности теплового потока и перегрева стенки АТ = представлена на рис. 8.3. Пусть жидкость в обогреваемом сосуде находится при температуре насыщения, отвечающей давлению над ее уровнем. Обогреваемая поверхность, например, в виде обращенной вверх пластины с адиабатной нижней поверхностью размещена под уровнем жидкости. Дополнительное гидростатическое давление столба жидкости над нагревателем обычно составляет ничтожную долю от. По обеим координатным осям используется логарифмический масштаб. [c.343]

Формулы (30.1)—(30.6) применяются как для малоциклово усталости, так и для обычной (миогоциклоЬой) усталости. Разумеется, это удобно, но в то же время необходимо проявлять осторожность при обращении с эмпирическими коэффициентами. Дело в том, что закономерности механизма усталостного явления) различны при малоцикловой и мпогоцикловой усталости. Эти различия могут даже привести к разрыву кривой Веллера (зависимость Отах цикла ОТ N) В области ограниченной выносливости.. При этом в одном случае трещина идет по телу зерна, в другом — по его границе. Отсюда также впдно, что характеристики усталостной прочности должны зависеть от структуры материала.. Поэтому надо учитывать возможную зависимость эмпирических коэффициентов от уровня максимальных напряжений цикла. [c.261]

Создание систем технической документации (конструкторской, технологической, организационной, учетной и отчетной и т. п.) явилось одиим из направлений работ в области государственной стандартизации во второй половине шестидесятых годов. Начало работ в этой области было положено созданием комплекса стандартов Государственной системы стандартизации, которая впервые в мировой практике регламентировала на уровне государственных стандартов основные правила проведения работ по стандартизации на всех уровнях управления народным хозяйством, установила порядок планирования работ по стандартизации, порядок разработки, внедрения и обращения стандартов всех категорий, единые правила построения, изложения и оформления стандартов. [c.16]

Совмещенное проектирование аппаратных и программных частей успешно применяется при проектировании систем на кристалле (So - System-on- hip) для встроенной аппаратуры. При этом аппаратная часть целевого процессора представляется моделью уровня системы команд. Модель может быть описанием архитектуры процессора или расписанием работы шины процессора на языке VHDL, но возможно использование и аппаратного тестера. При этом скорость моделирования сравнительно невелика. Повышения производительности достигают в том случае, если моделирование операций обращения к памяти выполняют не в аппаратном, а в логическом симуляторе. [c.131]

Особый интерес представляет вопрос об обращенном порядке термов. Согласно формуле (3), а также и формуле Ланде (6), глубже лежит уровень, для которого у = / — 1/2. Как было сказано, такой порядок уровней наблюдается в большинстве случаев и носит название нормального. Обращенный порядок уровней наблюдается только в тех случаях, когда абсолютная ширина дублета мала. На рис. 77 приведены значения Av/Z для наиболее глубоких Юу и 2ру-термов изоэлектронного ряда Nal, MgII, AIIII,. .. По [c.144]

Порядок уровней Poi2 обращенный. Разность между уровнями р° и Pi равна 0.078 см , а между Р] и Ро —0,996 см [2o-22j Линии [c.165]

Обращенный порядок уровней, а также аномально узкое или, наоборот, аномально широкое расщепление термов встречается во многих спектрах. Например, упомянутый триплет Mgl SsSd Dy очень узок и частично обращен глубже всех лежит уровень над ним на 0,017 см выше лежит уровень Оз и еще выше (на 0,029 см выше — уровень В том же спектре Mgl триплет 3s Зр-Р обнаруживает нормальный порядок уровней [c.221]

Порядок уровней, как видно, действительно обращенный. Ионизационный потенциал OI равен 13,61 в. Термы 2s2 2p4iD2 и 2s2 2p4 So лежат значительно выше терма 2s2 2p4 P первый из них имеет значение 93962 м , второй 76037 см К [c.249]

So-тepмы, относящиеся к нормальной электронной конфигурации Gs бр и группа более высоких термов. Терм 6s 6р Ру, как и в случае теллура, обнаруживает частично обращенный порядок. Относительное расположение уровней s p Py для Те и Pol приведено на рис. 128. [c.252]

Индексы, указывающие мультиплетность термов (слева, сверху), отнесены ко всей группе термов, взятых в скобки. Индексы снизу символов термов указывают, сколько раз повторяется данный терм. Нормальные термы подчеркнуты. Электронные конфигурации f при /г < 7 дают мультиплетное расщепление термов с нормальным порядком уровней, а при >7—с обращенным. Поэтому, например, ион Sm IV имеет самый глубокий терм 4f Hs/j. а ион DyIV — терм 4f His/,. Число термов, соответствующих одной и той же электронной конфигурации, очень велико так, семи эквивалентным f-элек-тронам соответствует 119 мультиплетов с общим числом уровней, равным 3432. [c.289]

Тербий (Z = 65). Конфигурации, дополнительные к 4f , имеются у тербия. Ион ТЬ IV характеризуется нормальной конфигурацией 4f F с обращенным порядком уровней у терма F. Однажды ионизованный и нейтральный тербий (ТЬП и TbI) имеют в качестве нормальных соответственно термы 4f 5d 6s Н и 4f 5d6s2 H с обращенным порядком уровней. [c.299]

У Gd II нижние нечетные уровни возникают при прибавлении к группе 4f ( S) электронов S или d. Таким образом, глубокими электронными конфигурациями Gd II являются 4f ( S)6s2, 4f ( S)5d6s и 4f ( S)5d2, Нормальным термом Gd И оказывается 4f ( S) 5d 6s 1 0° с нормальным порядком уровней несколько выше расположены термы D°, и D°, относящиеся к той же конфигурации 4F( S) 5d 6s два последних дают обращенный порядок уровней. На рис. 160 представлена степень выполнимости правил интервалов для и О -термов, Сред- [c.302]

У Gd I низкие нечетные уровни отвечают конфигурациям 4r5d6s2 и 4f 5d 6s. Нормальным является терм 4F5d6s D° с нормальным порядком уровней. Несколько выше лежит септетный терм с обращенным поряд- [c.302]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...