Алмазы—Вес — Индексы

Индексы к подсчету требуемого веса алмаза [c.412]

Алмазно-металлические карандаши — Характеристика 411 Алмазы — Вес — Подсчет — Индексы 412 [c.763]

Каждый тип круга обозначают буквенным индексом, состоящим из двух частей буквы А (алмазный) или АС (алмаз синтетический) и букв, обозначающих форму круга. [c.195]

Алмазные порошки в зависимости от вида сырья, из которого они изготовлены, обозначают буквами А - из природных алмазов, АС - из синтетических алмазов, АР - из синтетических поликристаллических алмазов в зависимости от типа поликристаллических алмазов к обозначению шлифпорошка добавляют буквенный индекс В - типа "баллас", К - типа "карбонадо", С - типа "спеки". Далее следует цифровой индекс, которым обозначают [c.626]

В промышленности находят применение инструменты с 25-, 50-, 75-, 100-, 125- и 150 %-ной концентрацией эльбора или алмаза. При маркировке алмазного инструмента концентрация обозначается цифровым индексом. Относительная 25 %-ная концентрация маркируется цифрой 1, 50 %-ная - 2, 75 %-ная - 3, 100 %-ная - 4, 125 %-ная - 5, 150 %-ная - 6. При маркировке инструмента из эльбора цифровой индекс должен соответствовать относительной концентрации (100 %-ная концентрация не маркируется). [c.392]

При обозначении микропорошков из природных и синтетических алмазов повышенной абразивной способности индекс М заменяют на индекс Н, т.е. АН, АСН. [c.338]

Сумма индексов Алмаз Алмазно-метал- лические карандаши [c.727]

Алмазные шлифпорошки в зависимости от вида сырья, из которого они изготовлены, обозначают буквенными индексами по ГОСТ 9206 — 80 А — из природных алмазов АС— из синтетических алмазов АР — из синтетических поликристаллических алмазов. [c.244]

Алмазы—Вес — Индексы 5 — 412 Алфавит греческий 1 — 5 [c.397]

В качестве примера использования результатов т. 1, 60, мы изучим здесь только случай (16.3). Обращаясь к табл. Б2, немедленно видим, что для всех произведений типа (16.1) для алмаза независимо от значений т и т каждое результирующее представление встречается в разложении только один раз, так что 7 = 1, и поэтому мы далее опустим этот индекс. Например, в сокращенных обозначениях имеем [c.135]

Ge, отнесение к типу Pi очевидно. Для алмаза этому представлению отвечает колебание L0, и мы отнесем его к Рг- Колебаниям <3+, принадлежащим к типу ТА во всех веществах, мы приписываем индекс Р. Вопрос о возможности несингулярного поведения в гексагональной плоскости около L в настоящее время остается, по-видимому, открытым. [c.170]

Дисперсия в алмазе вдоль линии S существенно иная, что обусловлено главным образом другим порядком состояний в точке X. Информация, приведенная на фиг. 7, недостаточна для определения индексов критических точек поэтому мы просто перечислим сами критические точки на каждой ветви. Ветвь Т01 (El(О)) имеет максимум Р/, а ветвь Т02 (Е2(0)) сингулярную точку пересечения Р/(1). Ветвь L0 (Ез(0)) имеет резко выраженный минимум Р, плюс пересечение Р/ (1). Следующая ветвь LA (El (Л)) имеет две точки пересечения Р/(1) и Р/ (1) и максимум Р/". Ветвь ТА (Ез(Л)) содержит точки Р/(1), Pj (1) наконец, самая нижняя ветвь ТА2 не содержит критических точек. [c.173]

Далее имеются две возможности. Первая из них заключается в допущении, что интенсивность разрешенного перехода действительно во всех деталях пропорциональна Pl( d). В этом случае мы ожидаем, что измеренный спектр /(со) есть точная копия pL(a). В частности, должны воспроизводиться разрывы производной функции распределения частот (фиг. 9), связанные со всеми критическими точками в каждой ветви. Следовательно, при изучении двухфононного инфракрасного поглощения мы должны найти особенности, отвечающие всем критическим точкам для разрешенных обертонов и комбинированных ветвей. Для обертонов тип и положение критической точки те же, что и для соответствующих однофононных ветвей для определения индексов критических точек на комбинированных ветвях мы используем табл. 36. Перечень разрешенных двухфононных процессов для структуры алмаза приведен в табл. 37. [c.178]

Примечание. Для выбора веса алмаза подсчитывается сумма индексов, соответствующая данному кругу. Например, для круга ра мером 400зернистостью № 46, твердостью С1 из электрокорунда на керамической связке сумма индексов будет равна 5 -f- 1 -f 7 7 I -j- 1 = 5. Этой сумме соответствует в табл. 109 алмаз несом О,о карата или карандаш весом I карат. [c.412]

В основе обозначения — химический состав для обозначения структур простых веществ (элементов) используют букву А (А1 — г, ц. к., А2 — о. ц. к., A3 — г. п., A4—кубическая типа алмаза и т. д.), для обозначения бинарных соединений равноатомного состава XY — букву В, для соединений XY — букву С, для пУт — букву О для фаз металлических сплавов в свое время было введено обозначение L (от немецкого Legierungen) цифры не имеют специального содержания и отражают хронологическую последовательность учета данного структурного типа дополнительная буква в индексе первоначально носила характер временного обозначения. [c.101]

По виду сырья алмазные порошки разделяются на порошки из природных (обозначаются буквой А), синтетических (обозначаются буквами АС) и синтетических поликристаллических алмазов (обозначаются буквами АР). К этим обозначениям добавляют для шлифпорошков из природных алмазов цифровой индекс, соответствующий 0,1 процентного содержания зерен изометрической формы, для порошков из синтетических алмазов цифровой индекс, характеризующий прочность на сжатие зерен данного материала. [c.378]

Поликристаллические алмазы имеют буквенные индексы В - "бал-лас", К - "карбонадо", С - "спеки". Алмазные микропорошки и субмикропорошки нормальной абразивной способности обозначаются буквами AM и A M, а повышенной производительности - буквами АН и АСН. К обозначению субмикропорошков добавляют процентное содержание зерен крупной фракции. Марки алмазных порошков, характеристика и область их применения приведены в табл. 8.14. [c.379]

Алмазные шлифпорошки в зависимости от вида сырья, из которого они изготовлены, обозначают буквенными индексами по ГОСТ 9206-80 А - из природньк алмазов АС - из [c.338]

Микропорошки и субмикропорошки из природных алмазов обозначают буквенными индексами AM, из синтетических алмазов -A M. [c.338]

Примечание. Для выбора веса алмаза подсчитывается сумма индексов, соответ-ствуюи ая данному кругу. Например, для круга размером 400X50 зернистостью № 46, твёрдостью С1 из электрокорунда на керамической связке сумма индексов будет равна 5- 4 -1--1-7 — 25. Этой сумме соответствует в табл. 10 алмаз весом 0,5 карата или каранл пп весом 1 карат. [c.728]

В таблице приведены значения структурных амплитуд Р и множителей повторяемости р в методе Дебая для некоторых типов структур, принадлежащих к кубической системе [109]. Приведены данные для структурных типов Л1 —тип меди, Л2 —тип вольфрама, Л4 —тип алмаза, Б1 —тип ЫаС1, В2 —тип СзС1, С1—тип СаРд, для отражений с суммой индексов от 1 [c.383]

Микропорошки выпускают нормальной и повышенной абразивной способности. Микропорошки нормальной абразивной способности из природных алмазов обозначают AM, из синтетических алмазов A M, микропорошки повышенной абразивной способности соответственно обозначают АН и АСН. К буквенному обозначению субмикропорошков добавляют гшф-ровой индекс 5, 1, обозначающий долю зерен крупной фракции в процентах 5 --содержание крупной фракции до 5 % I — до 1 %. [c.137]

Часто оказывается полезным разложение пространственной группы на подгруппы, являющиеся в свою очередь пространственными группами. (Например, как было показано в 9, пространственная группа алмаза о, являющаяся типичной несимморфной пространственной группой, имеет как подгруппу с индексом 2 пространственную группу цинковой обманки Та-) Предположим, что пространственная группа имеет подгруппу а, также являющуюся пространственной группой. Группа может включать (или не включать) в себя в качестве подгруппы полную группу трансляций S для общности предположим, что она не включает Пусть Ха — нормальная подгруппа трансляций, входящая в а, и пусть элементы Ха равны [c.47]

Качеству затравки уделяют особое внимание, поскольку ее структурное соверщенство во многом определяет соверщенство выращиваемого кристалла. Затравки вырезают из монокристаллов, кристаллографически ориентированных относительно направления вытягивания определенным образом, с минимальной плотностью дислокаций. Поверхностные нарущения удаляют химическим травлением и полировкой. Сечение затравки (имеющее форму квадрата или треугольника) делают минимально возможным для того, чтобы число дислокаций, наследуемых выращиваемым монокристаллом и возникающих вследствие термоудара, было минимально. Однако сечение затравки не должно быть слишком малым, иначе произойдет разрыв между затравкой и выращиваемым монокристаллом при вытягивании. Затравка должна быть ориентирована таким образом, чтобы облегчить движение и выход на поверхность кристалла дислокаций, проросших из затравки, и обеспечить максимальную симметризацию формы растущего кристалла. Например, кристаллы со структурой типа алмаза на практике часто выращивают вдоль направления <Н1>, перпендикулярного плоскости с теми же индексами, так как плоскости П1 являются плоскостями скольжения, в которых легко перемещаются дислокации, образованные различными источниками. Стремление к выращиванию симметричных монокристаллов (цилиндры с постоянным по длине диаметром) имеет глубокую основу. Однородность формы означает однородность и симметрию теплового режима роста монокристаллов, постоянство скорости кристаллизации и, в конечном счете, однородность электрофизических параметров по длине и поперечному сечению кристалла (см. ниже). Как правило, для максимальной симметризации теплового режима системы тигель и растущий кристалл вращаются в противоположных направлениях, при этом обеспечиваются и наилучшие условия перемешивания расплава. [c.227]

Роет кристаллов. Из слабо переохлаждённых паров, р-ров и, реже, из расплавов кристаллы растут в форме многогранников. Их наиб, развитые грани обычно имеют простые индексы, кристаллографические, напр, для алмаза это грани куба и октаэдра. В силу геом. соображений размер каждой грани, как правило, тем больше, чем [c.319]

При описании Э. указываются плоскости срастания и направления в них напр., [112] (111) Si II [1100] (0001) AI2O3 означает, что грань (111) кристалла Si с решёткой типа алмаза нарастает параллельно грани (0001) кристалла AI2O3, причём кристаллографич. направление [112] в нарастающем кристалле параллельно направлению [1100] подложки (см. Кристаллы, Индексы кристаллографические). [c.905]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...