Угловая дифракция, коэффициент

Угловая дифракция, коэффициент 393 [c.656]

Для обращенной установки условие концентрации может быть получено при отрицательных значениях у и в положительных порядках дифракции, т. е. для эшелетта, повернутого на 180°. Уравнения для обращенной установки могут быть получены из приведенных уравнений заменой у на (—у), ф на ср и ф на ф. На рис. 7.6 представлены результаты расчета максимально возможной отражательной способности эшелеттов с р — 600 штрихов/мм для различных длин волн [19]. В этих расчетах использованы коэффициенты отражения, определенные в работе [15]. Расчет угловых зависимостей коэффициента отражения для одного данного эшелетта (при фиксированном значении у и различных значениях ф), требующий применения более сложных формул, здесь не приводится. Как видно из рис. 7.6, максимальное значение коэффициента отражения достигает 30 % при X, = 2,3 нм при угле падения ф = 2° и покрытии из N1 и Аи. [c.256]

Рис. 5.26. Геометрия для вычисления коэффициента угловой дифракции.

Расчеты и эксперименты показывают, что в диапазоне длин волн свыше 1 нм совершенные кристаллы обладают лучшими рентгенооптическими параметрами по сравнению с мозаичными. Дифракция Б них описывается динамической теорией в поглощающих кристаллах. Их коэффициент отражения в целом падает, а ширина дифракционного профиля растет с длиной волны, однако не превышает нескольких угловых минут. [c.313]

Для другого граничного условия ди/дЫ — О решение аналогично, вид его остается тем же— (6.10), лишь значения коэффициентов становятся другими. Частота к входит только в радиальные функции, поэтому, согласно замечанию в п. 6.8, тот же математический аппарат позволяет решить акустическую задачу и о шаре с конечными значениями рис. При решении этой задачи внешнее поле выражается через те же функции (6.7), а внутреннее поле представляется в виде ряда по функциям Бесселя с полуцелым индексом, которые, единственные из цилиндрических функций, не имеют особенностей при р = О, Полные поля и их производные сшиваются при всех углах, а так как угловые функции образуют полную систему и ортогональны, то в обоих рядах для внешнего и внутреннего полей коэффициенты разложения почленно равны между собой. В результате получаем формулы, аналогичные формулам для коэффициентов разложения полей дифракции на диэлектрическом цилиндре. [c.65]

Это выражение отличается от (6.2.10) в трех отношениях. Во-первых, коэффициент дифракции зависит от угла Брюстера. Во-вторых, в угловых секторах, примыкающих к граням клина, могут существовать две поверхностные волны с амплитудами S и S соответственно, которые ограничены углами ф, такими, что [c.408]

Основные результаты этих моделей согласуются с теорией дифракции в кристаллической решетке, если рассматривать МИС как сверхрешетку о периодом d, равным сумме толщин 4 и компонент МИС. Можно сформулировать два физических результата, качественно справедливых для всех этих моделей. Во-первых, коэффициент отражения от МИС в максимуме прямо пропорционален амплитуде соответствующей гармоники Фурье — разложения электронной плотности, которая возникает благодаря слонсгой структуре МИС. Во-вторых, угловое положение 0д максимума отражательной способности определяется условием Брэгга [2] [c.434]

Г. Когельник (США) разработал теорию дифракции света на трехмерных голограммах с простой голограммной структурой, образованной двумя плоскими волнами, и не только качественно оценил, но и выразил количественно такие важные характеристики голограмм, как зависимость дифракционной эффективности от глубины модуляции коэффициентов преломления и поглощения света, толщины слоя голограммы, направления опорных и объектных пучков при получении голограммы. Он также вывел математические выражения для определения таких важных свойств голограмм, как угловая и спектральная селективность. При этом, в отличие от результатов многих исследований других авторов, полученных в кинематическом приближении, выражения Г. Когельника выведены для произвольных значений амплитуд дифрагированных волн, в том числе больших, чем амплитуда прошедшей волны нулевого порядка. Авторами был применен метод линеаризации процессов образования сложных голограммных структур и дифракции света на таких структурах, позволяющий распространить выражения, полученные для простейших структур, на случаи сложных структур реальных изобразительных голограмм. [c.7]

Для осуществления ОВФ не обязательно использовать светопровод, применение которого часто ограничивается лучевой стойкостью. Снекл-неоднородное излучение может просто рассеиваться в неограниченной среде. Однако при этом из-за естественной угловой расходимости 0 пороги ВРМБ будут очень высоки. Для их снижения применяют фокусировку излучения в объем рассеивающей среды. Условия реализации ОВФ при фокусировке принципиально не отличаются от условий в светопроводе. Различие заключается лишь п изменении количественных требований на угловую расходимость пучка. Это связано с тем, что в отличие от светопровода при ОВФ с( )окусировапных пучков важную роль играют дифракционные потери обращенной к накачке стоксовой волны и зависимость коэффициента бриллюэновского усиления от поперечной координаты. Оптимальная структура обращенного поля устанавливается на основе баланса между процессами дифракции и усиления. Для сфокусированных пучков условия реализации э( х )екта ОВФ несколько ухудшаются по сравнению со светопроводом [27, 52] — превышение [c.165]

Пример резонатора телескопического типа хорошо демонстрирует повышенные селективные свойства неустойчивых резонаторов, формируюш,их световые пучки с высокой степенью пространственной когерентности. Как известно, с точки зрения угловой селекции выгоднее работать в условиях относительно больших дифракционных потерь, так как дифракция обеспечивает срыв генерации в первую очередь мод высоких порядков. Поскольку для неустойчивого резонатора дифракционные (геометрические) потери всегда велики, то при его использовании фактически не требуется принимать какие-либо меры по дополнительной селекции поперечных мод. Лазер с неустойчивым резонатором генерирует обычно только основную поперечную моду (моду ТЕМоо) при этом часто достигается дифракционный предел расходимости. Заметим, что с точки зрения направленности излучения желательно иметь более высокие значения коэффициента расширения М (более высокие значения Л/дкв)- [c.211]

Что было бы, если бы края экрана были не полуплоскостями, а двумя клиньями Почти то же самое. Различие между клипом и полупло скостыо сказалось бы только в угловой зависимости диаграммы краевых воли, т, е, в зависимости коэффициента дифракции D от угла раствора клина. [c.20]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...