Теллурид германия

Для исследований были выбраны образцы теллурида германия двух типов легированные висмутом (2 6%) и легированные висмутом (5,2%) и медью (0,9%) На этих образцах снималась температурная зависимость электропроводности при облучении и без облучения (контрольные образцы). Образцы, облучаемые в течение 1—1,5 ч, получили интегральную дозу до 10 " нейтрон см . При t 500° С [c.77]

Реактив предложен и употребляется в основном для травления нержавеющих и жаропрочных сталей с никелем, хромом, кобальтом, бором и т.д. [88]. При кратковременном травлении выявляются границы зерен. Реактив можно использовать для определения глубины азотированного слоя, структуры поверхностного слоя и основы стали после электроискровой обработки [51], теллурида германия [21], а также для травления никелевых и кобальтовых сплавов В последнем случае время травления несколько увеличивают. [c.47]

Реактив рекомендуется для травления монокристаллов меди и однофазных сплавов при определении ориентировки граней кристаллов [И8]. 6%-ный спиртовой раствор двухлористой меди в спирте с добавкой 1 мл соляной кислоты выявляет структуру теллурида германия [21]. [c.74]

Более трудными в экспериментальном осуществлении оказались измерения теплопроводности СеТе. Большая химическая активность (по сравнению с Те) жидкого теллурида германия, а также его паров (при их большой упругости) затрудняли проведение эксперимента д аже в инертной среде (давление —1 ат). В процессе измерений получено— 10 точек в твердой и 3 точки в жидкой фазах. Скачок теплопроводности при переходе в расплавленное состояние, по нашим данным, нельзя оценить, так как первая точка в жидкой фазе получена 100° от температуры плавления, а также нельзя сделать какой-либо вывод о характере температурной зависимости теплопроводности в жидкой фазе из-за малого количества экспериментальных точек. Насколько нам известно, сведения о теплопроводности ОеТе как в твердой, так и в жидкой фазах в литературе отсутствуют. [c.150]

Технические полупроводники могут быть разбиты на четыре группы 1) кристаллы с атомной решеткой (графит, кремний, германий) и с молекулярной решеткой (селен, теллур, сурьма, мышьяк, фосфор) 2) различные окислы меди, цинка, кадмия, титана, молибдена, вольфрама, никеля и др. 3) сульфиды (сернистые соединения), селениды (соединения с селеном), теллуриды (соединения с теллуром) свинца, меди, кадмия и др. 4) химические соединения некоторых элементов третьей группы периодической таблицы элементов (алюминий, галий, индий) с элементами пятой группы (фосфор, сурьма, мышьяк) и др. К числу полупроводников относятся некоторые органические материалы, в частности полимеры, имеющие соответствующую полупроводникам по ширине запрещенную энергетическую зону. Особенности свойств некоторых органических полупроводников, как гибкость, возможность получения пленок при достаточно большой механической прочности, заставляют считать их перспективными. [c.276]

Теллурид свинца Германий Кремний Селен [c.99]

Вычислить величину у, соответствующую акустическим фононам, еще более сложно. Для кристаллов, имеющих структуру алмаза, но отличных от алмаза, было взято значение = 0,58, соответствующее среднему из значений, вычисленных для германия и теллурида цинка, в то время как для алмаза было взято значение у ,, равное 0,77 от значения у. полученного из измерений теплового расширения при высоких температурах. Для всех других рассмотренных кристаллов использовалось значение у, найденное по высокотемпературному тепловому расширению, хотя известно, что оно заметно отличается от необходимого значения у ,. [c.79]

Применяются также фотосопротивления из селенистого и теллуристого свинца [Л. 721]. Селенистый кадмий дает поликристал-лические слои, в некоторых условиях с максимальной чувствительностью при 0,72 лтм, простирающейся за 1 мкм [Л. 722]. Были предложены также сульфиды, селениды и теллуриды свинца, олова, индия, таллия, кадмия, висмута, сурьмы [Л. 723], германия [Л. 724] и т. д. Мы могли бы широко распространить эти указания на фотоэлементы, о которых имеются многочисленные статьи [Л. 45, 46, 725—730]. [c.359]

В основе работы фоторезисторов лежит изменение электропроводности чувствительного слоя при его облучении. Этот тип преобразователя характеризуется малыми размерами и массой, малыми напряжениями питания при высокой интегральной чувствительности и возможностью работы в более широком спектральном диапазоне. В тоже время их отличает повышенная инерционность, значительная зависимость параметров и характеристик от температуры, относительно невысокая линейность характеристики свет—сигнал . Наибольшее распространение получили фоторезисторы на основе собственных полупроводников для видимой области — сульфида кадмия для ближней инфракрасной области — сульфида свинца для диапазона 3—14 мкм — селенида свинца, монокристаллов антимония индия, теллурида кадмия и др. Широко используются также примесные фоторезисторы, (легированные различными примесями кремний и германий). Подробные сведения о параметрах фоторезисторов имеются в специальной литературе [2]. [c.205]

Технические полупроводники могут быть разбиты на четыре группы 1) кристаллы с атомной решеткой (углерод-графит, кремний, германий) и с молекулярной решеткой (селен, теллур, сурьма, мышьяк, фосфор) 2) различные окислы меди, цинка, кадмия,титана, молибдена, вольфрама, никеля и др. 3) сульфиды (сернистые соединения), селениды (соединения с селеном), теллуриды (соединения с теллуром) свинца, меди, кадмия и др. 4) химические соединения некоторых элементов третьей группы периодической таблицы элементов (алюминий, галлий, индий) с элементами пятой группы (фосфор, сурьма, мышьяк) и некоторые соединения элементов пятой группы (сурьма) и второй группы (магний, цинк и др.). [c.282]

Для фотосопротивлений и фотоэлементов применяются полупроводниковые материалы, сопротивление которых сильно зависит от освещенности. К их числу относятся сульфиды, селениды и теллуриды, т. е. соединения серы, селена и теллура с разными металлами, в частности со свинцом, медью, кадмием и др. Находят применение германий и кремний. Определяющей характеристикой фотосопротивления является удельная чувствительность [c.290]

В работе [46] исследовалось влияние реакторного излучения на электропроводность, ТЭДС и сопротивление сжатию термоэлектрических материалов на основе теллурида германия, легированного висмутом, медью и сурьмой, а также бинарных сплавов РЬТе, легированных РЫз и Pb l2. Образцы приготовлялись методом порошковой металлургии и в течение длительного времени отжигались для снятия неоднородности свойств прессованных материалов. Измерения электрических параметров (электрической проводимости и ТЭДС) проводились как в процессе облучения в реакторе, так и после облучения. [c.77]

С целью снижения величины переходного сопротивления в интервале температур от комнатной до 600° С и для исключения диффузии контактного материала в полупроводник (теллурид германия) ". А. Алатырцев и др. [32] предложили наносить гальваническим методом слой сплава кобальт—вольфрам толш,иной около 10 мкм. [c.100]

Теплопроводность полупроводников. Полупроводниковые материалы замечательны тем, что могут обладать высокой решеточной теплопроводностью, если их кристаллы не слишком дефектны и состоят из легких атомов, как это имеет место, например, у кремния и, германия (см. табл. 4.2). Их электронную теплопроводность можно изменять в широких пределах, изменяя концентрацию электронного газа путем легирования. Тем не менее для большинства полупроводников основной вклад в теплопроводность вносит решетка. Так, для германия, обладающего удельным сопротивлением 1 Ом см при комнатной температуре, отношение KaJKyieui 10 - Даже для такого полупроводника, как теллурид висмута (В)2Тез), обладающего очень низким удельным сопротивлением Ю" Ом см, отношение Достигает величины всего лишь порядка 0,2. [c.142]

Различают полупроводники элементарные и соединения. К элементарным относятся следующие элементы таблицы Менделеева углерод (алмаз), кремний, германий, олово, фосфор, мышьяк, сурьма, висмут, сера, селен, теллур, йод. Полупроводниковые соединения сульфиды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, сзинца селениды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца теллуриды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца арсенид и фосфит галлия карбид кремния и др. Имеются также аморфные (стеклообразные), органические и магнитные полупроводники, свойства которых пока недостаточно изучены. [c.335]

Соединения селена и теллура с индием, галлием, мышьяком, сурьмой и фосфором применяют в электронике для получения новых полупроводниковых материалов, работающих при более высоких температурах, чем кремний и германий [437]. Халькогениды (селениды и теллуриды) индия, являясь полупроводниками, могут применяться в качестве фотопроводников, термистеров и резистеров [438, 439]. Они служат для определения температуры и силы света в виде полупроводниковых радиодеталей применяются в различных радиосхемах [4 40]. [c.274]

Электросопротивление полупроводников обычно сильно зависит от температуры. К числу приборов и устройств, принципы работы которых основаны на свойствах полупроводников, относятся полупроводниковые триоды (транзисторы), многие типы выпрямителей, модуляторов, детекторов, термисторов и фотоэлементов. В этой главе мы рассмотрим главные физические свойства полупроводниковых кристаллов, в частности германия и кремния, Другихми важными кристаллами являются закись меди (СигО), селен (Se), теллурид свинца (РЬТе), сульфид свинца (PbS), карбид кремния (Si ), антимонид индия (InSb), арсенид галлия (GaAs) и графит (С). [c.380]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...