Число атомов в критическом зародыше

Число атомов в критическом зародыше- [c.364]

Пс — число атомов в зародыше критического размера Ппь — число атомов в критическом зародыше мартенсита п — показатель степени при времени t в уравнении Аврами [c.342]

Температура конденсации 7 также оказывает значительное влияние на критические размеры и ориентацию зародышей. Так, при больших пересыщениях и низких 7 преобладает неориентированный рост. С повышением 7 при некоторой определенной температуре Т происходит изменение числа атомов в критическом зародыше (по крайней мере от 1 до 2), и тогда уже должен наблюдаться ориентированный рост. Таким образом, при низких 7 велика вероятность образования стабильных критических зародышей, но отсутствует ориентация. При повышении 7 скорость зародышеобразования падает, но начинает преобладать ориентированный рост. [c.328]

Дайте вывод формулы для расчета числа атомов (молекул) в критическом зародыше. [c.147]

Число критических зародышей, возникающих при этом в единице объема-за единицу времени, а также л, с. р. кристаллов растут, В результате этого скорость перлитного превращения возрастает. Для обеспечения роста критических зародышей цементита необходим постоянный подвод атомов углерода. Следовательно, диффузионное перераспределение углерода в перлитном превращении играет важную роль. [c.7]

В этом уравнении rig — число атомов расплава, находяш ихся в контакте с поверхностью критического зародыша. п 100) [c.157]

Зародыши, образуюш иеся на межзеренных границах, вовсе не обязательно возникают равномерно по всей поверхности межзеренных границ (т. е в местах соединения двух зерен), так как, вероятно, энергия образования зародыша критического размера еще меньше на ребрах и на вершинах зерен (т. е. в местах стыка 3 или 4 зерен). Однако эти места с наинизшей критической свободной энергией образования зародышей не обязательно оказывают наибольшее влияние на общую скорость зародышеобразования, поскольку общее число атомов, которые могут участвовать в процессе образования зародышей, уменьшается с уменьшением мерности мест зарождения. Таким образом, при рассмотрении образования зародышей на поверхности межзеренных границ множитель iVp в уравнении (4), вероятно, следует заменить на N b— число атомов на единицу объема межзеренных границ. [c.242]

Для зарождения кристаллика цементита необходимо, чтобы при хаотическом тепловом движении атомов углерода случайно в небольшом объеме содержание их повысилось от среднего (0,8%) до 6,67%, а расположение оказалось близким к расположению углерода в цементите. Причем размер этого образовавшегося зародыша должен быть достаточно большим. Только в случае, если зародыш окажется больше определенного объема, называемого критическим, образовавшийся кристаллик цементита будет расти. Кристаллики размером меньше критического самопроизвольно распадаются. Чем меньше степень переохлаждения, тем большим должен быть размер устойчивого зародыша кристалла цементита. При малых степенях переохлаждения вероятность образования устойчивого зародыша относительно невелика. Таких зародышей появляется мало в единицу времени в единице объема. С увеличением степени переохлаждения размер устойчивого зародыша уменьшается и число центров [c.127]

Пусть общее число зародышей новой фазы мало, то есть существует флуктуационное равновесие с исходной метастабильной фазой. Это предположение позволяет ввести представление о квазиравновесном распределении зародышей критического размера. Тогда согласно статистике Больцмана получаем Якр 1 ехр(—Д Д7 ), где п = Р/кТ — концентрация частиц в газовой фазе (атомов или молекул, не входящих в зародыши). [c.177]

Малая величина угла 0 соответствует тому случаю, когда между зародышами и центром существует хорошее сцепление и авц < Ац. Когда кристаллизация происходит предпочтительно на каких-нибудь центрах, образоваме зародышей носит гетерогенный характер. Такое зарождение может иметь место при любой величине 0<18О°. Это отвечает условию аАц<авц + аАв. В этом случае число атомов в зародыше критического размера при гетерогенном образовании зародышей меньше, чем при гомогенном. Чем меньше величина 0, тем эффективней центр кристаллизации. Для гетерогенной кристаллизации степень переохлаждения существенно меньше, чем для гомогенной. При гетерогенном зарождении радиус зародыша не меняется, однако уменьшается число атомов в зародыше, благодаря чему возрастает вероятность достижения критической величины. [c.174]

Следовательно, с увеличением степени переохлаждения (или с понижением температуры кристаллизации) размер критического зародыша уменьшается, тогда и работа, необходимая для его об-разова1птя, будет меньше. Поэтому с увеличением стеиени переохлаждения АТ, когда к росту способны зародыши все меньшего размера, сильно возрастает число зародышей (центров) кристаллизации (ч. з.) или скорость образования этих зародышей (с. р.) (см. рис. 22) Рост зародьппей кристаллизации происходит в результате перехода атомов из переохлажденной л идкости к кристаллам. Кристалл растет послойно, при этом каждый слой имеет одноатомную толщину. Различают два элементарных процесса роста кристаллов, [c.33]

Зависимость скорости образования зародышей, т. е. числа центров (ч. ц.) и линейной скорости роста кристаллов (с. к.) от степени переохлаждения. Эта зависимость устанавливается опытным путем. Увеличение степени переохлаждения, понижаюш,ее размеры критического зародыша, уменьшает работу, необходимую для его образования, поэтому скорость образования зародышей, т. е. число кристаллических центров (ч. ц.), в единицу времени в единице объема (1 m Imuh) резко увеличивается и достигает максимума (фиг. 25). Затем при дальнейшем увеличении переохлаждения отрыв и перемещение атомов затрудняются вследствие увеличения энергетического барьера Q (энергии активации), и скорость самопроизвольного зарождения д1 ентров понижается. [c.43]

Так как этот размер весьма мал, то равновесное давление пара в замкнутом объеме может в несколько раз превышать давление насыщенного пара над массивным телом, вследствие чего пересыщение, приводящее к появлению видимого тумана в большой системе, может оказаться недостаточным для стабильного существования кластера в ограниченной. системе. Если в замкнутом объеме имеется ограниченное число атомов аргона, то наличие димеров, учитываемых с помощью второго вириального коэффициента (см. [274]), приводит к увеличению высоты барьера нуклеации критического радиуса зародыша R и свободной энергии образования стабильного кластера Аг (рис. 26) [240]. Рассчитанные для такой системы методом МС распределения по размерам полиатом-ных комплексов пара и стабильных кластеров показаны на рис. 27 1240]. [c.90]

Если сопоставить рис. 59 и 60, то для кривых, соответствующих Ипр 30 (s = 3040) и Ипр - 17 (s = 30 400), при п Пщ1п стационарные кинетические концентрации к/хастеров и концентрации кластеров принудительного равновесия совпадают. Можно сказать, что кластеры с числом атомов, соответствующим минимальной концентрации, играют роль критических зародышей, но их размер, согласно сказанному выше, не определяется максимумом размерной зависимости свободной энергии, как это предполагает классическая теория нуклеации. Рисунок 61 демонстрирует различие значений /ст, вычисленных из уравнения (236) в приближении принудительного равновесия и по классической теории нуклеации для разных пересыщений пара железа. Кинетическая оценка превышает классическую примерно на 12 порядков величины. Однако, как и в классической теории, кинетический стационарный поток кластеров по оси размеров очень сильно зависит то пересыщения пара. [c.129]

Максимально достижимое переохлаждение в нашем примере оказывается равным Ощах = 0,0765 ( /0тах = 43,1). Зародыш критических размеров при таком переохлаждении содержит 46 атомов. Число центров конденсации V = 4-10"11 на атом, что гораздо меньше, чем число ионов [c.461]

Если необходимая величина переохлаждения не достигнута, 1 то жидкий металл продолжает характеризоваться кристаллп-I ческими построениями ближнего порядка (таким термином обозначается состояние динамического равновесия между атомами жидкой фазы и атомами нестабильных кристаллических. образований). Потребность в переохлаждении связана, таким обра ом, с необходимостью образовать кристаллические зародыши, или кристаллические центры, достаточно крупного раз- мера, который называется критическим. Критический размер I соответствует устойчивому состоянию кристаллического зародыша. Начиная с момента появления первых стабильных заро-- дышей, процесс кристаллизации ускоряется, в нем участвует у все большее и большее число кристаллических зародышей. С увеличением переохлаждения критический размер зародыша уменьшается, кристаллизация интенсифицируется. [c.11]

В условиях нагрева выше при превращении низкотемпературной фазы в высокотемпературную кривые изменения числа возникающих зародышей и объемной скорости превращения имеют другую закономерность, чем при охлаждении. По мере повышения степени перенагрева обе эти характеристики превращения непрерывно возрастают, так как одновременно с ростом числа зародышей и уменьшением их критических размеров увеличивается и подвижность атомов. Этими особенностями, в частности, обусловлено то, что перенагреть низкотемпературную фазу значительно труднее, чем переохладить высокотемпературную. Таким образом, при непрерывном нагреве по мере повышения температуры все более полное развитие должны получать процессы диффузии, что само по себе должно снижать вероятность протекания обратных бездиффузионных (мартенситных) превращений. [c.80]

Слоисто-спиральный механизм роста аналогичен описанному механизму роста соверщенного кристалла со ступенью (только ступенька в нащем случае незарастающая). На ступени, возникающей благодаря винтовой дислокации, имеются изломы вследствие существования тепловых флуктуаций. Адсорбированные атомы диффундируют к ступени, а затем к изломам, где они встраиваются в рещетку кристалла, в результате чего ступень движется. Поскольку один конец ступени зафиксирован в точке выхода дислокации, то ступень может двигаться только путем вращения вокруг этой точки. При определенном пересыщении каждый участок на прямой ступеньке движется с одинаковой линейной скоростью. Поэтому участок ступеньки вблизи линии дислокации имеет более высокую угловую скорость и за одинаковое время должен сделать большее число оборотов, чем далеко отстоящие от линии дислокации участки. По мере увеличения кривизны участка ступени в области выхода дислокации равновесное давление пара над этим участком повышается, местное пересыщение понижается и, следовательно, линейная скорость движения этой части ступени замедляется. Спираль закручивается до тех пор, пока радиус кривизны в центре ее не достигнет значения критического радиуса двумерного зародыша. По достижении стационарного состояния спираль вращается как единое целое вокруг линии дислокации, при этом форма ее приближенно может быть описана уравнением архимедовой спирали. [c.186]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...