ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы Если ширина слаболегированной области (базы) значи-тельно превышает диффузионную длину дырок (?>Р — коэф. диффузии дырок, т„ —время жизни дырок), то концентрация неравновесных (избыточных) дырок экспоненциально убывает в глубь базы: />(x)=/)iexp( —jc/L ,). Аналогично для электронов в эмиттере n{x) = n-i np{xlL„), где X принимает отрицат. значения. На границе р- и к-областей полный ток, протекающий через р—л-переход, складывается из диффузионного тока дырок jj, = eD„(dpjdx) o и диффузионного тока электро-. нов j,=eD„(anldx): Q (см. Диффузия носителей заряда в полупроводниках). При этом доля дырочного тока [Выходные данные]