Травление, рентгеновских образцов

Существует ряд методов измерения внутренних остаточных напряжений рентгеновский, тензометрический и др. [О, 43] качественно наличие растягивающих остаточных напряжений в поверхностном слое образца или детали может быть выявлено методом травления при существенной их величине травление приводит к растрескиванию поверхностного слоя (рис. 144). [c.179]

Распределение текстуры по объему деформированного образца изучалось при послойном срезании образца по плоскостям, перпендикулярным оси деформации. Перед рентгеновскими измерениями поверхность образцов подвергалась электролитическому травлению для удаления наклепанного слоя. Исследовались отражения с малыми индексами. [c.204]

Трудность расчетного определения полей деформаций и напряжений у вершины трещины привела к необходимости разработки и применения экспериментальных методов исследования деформаций и напряжений. В настоящее время достаточно хорошо разработаны и эффективно используются методы фотоупругих покрытий, сеток, муара, тензометрии, рентгеновского анализа, травления, дифракционных решеток, электронной микроскопии, фазовой интерференции, нанесения медных покрытий, голографии, прямого наблюдения полированной поверхности образцов (1, 10, 6, 34, 49, 56, 130, 187, 199, 260, 261, 287], позволяющие исследовать поля деформаций при статическом и циклическом [c.15]

Уменьшение ширин интерференционных линий свидетельствует об уменьшении остаточных микродеформаций кристаллической решетки. Ручная шлифовка и полировка поверхности образцов после технологической обработки привела к существенному изменению глубины деформированного обработкой слоя (рис. 61, кривая 2). Например, уже при травлении как стали, так и титанового сплава на глубину более 10 мкм полуширины рентгеновских линий остаются неизменными. [c.104]

Приготовление препарата. Образец кратковременно протравливают по режиму, применяемому для количественного разделения фаз данного сплава. Кристаллическая решетка и химический состав получаемого при этом разделении осадка должны предварительно проверяться методами рентгеновского или электронографического анализа. При этом частицы второй фазы, не растворимые в данных условиях травления, образуют выступы на поверхности шлифа (частицы, которые за время травления успели потерять связь с металлом, смываются при последующей промывке образца). [c.35]

Предположим, что микроскопич еским методом установлены границы Х Х+А) и У/У+Л), представленные линиями d и и ef на рис, 228, и что дри передвижении вдоль ef У-фаза становится более стабильной, в то время как в области df травлением нельзя ясно дифференцировать фазы X и У. В этом случае более эффективно применение рентгеновских методов. С этой целью должны быть проведены эксперименты с высокотемпературной камерой на образцах, составы которых простираются через диаг)рамму от фазы X к Y. Эти опыты могут показать, чгго упорядоченная фаза X и неупорядоченная фаза У существуют каждая в ограниченной области а диаграмме и что имеется промежуточная двухфазная область (Х+У). В этом случае, как показ.ано на рис. 231, а, должен тоже существовать трехфазный треугольник (A+X+Y), который граничит с двухфазными областями А+ X) и (Л + У). В соответствии с этим можно ожидать изменения в направлении границы Л-твер-дого раствора там, где она касается вершины треугольника. После такого цредположения должны быть сделаны повторные попытки подобрать реактивы для травления с целью разделить фазы X и Y. Есл1И это окажется невозможным, то должно быть проведено тщательное изучение вида кристаллов, ряда сплавов, выбранных на основании данных рентгеновского анализа, составы которых располагаются в области А + Х) и переходят в область (А + X + Y). Если, например, мы рассмотрим сплавы, обозначенные 1, 2, 3, 4 и 5 на рис. 23, в. то для многих систем будет найдено, что тогда как сплавы 1, 2 и 3 дают структуры одного типа, в трехфазных сплавах 4 и 5 будут существовать кристаллы иного вида и размера. [c.364]

Границы наиболее мелкой субструктуры можно непосредственно наблюдать с помощью просвечивающего электронного микроскопа (ПЭМ). Этот метод позволяет получать точную характеристику границ и дислокаций, из которых они состоят (например, см. [42] в отношении СиаО и [53] в отношении А1) (рис. 6.1). Однако для исследования более крупных субструктур он не подходит и его необходимо дополнять другими. Можно обнаружить границы на поверхности по ямкам травления, полученным после погружения образцов в соответствующие реактивы [242, 314, 384, 385] (рис. 6.2). Для прозрачных кристаллов иногда удается найти способы выделения (декорирования) в них границ. Например, прогрев оливина на воздухе при температуре 900 °С вызывает выделение частиц окиси железа на дислокациях, что позволяет видеть их в оптический микроскоп [209] (рис. 6.3). Можно также наблюдать и изучать границы на поверхности образцов (топография поверхности) без их разрушения методами, использующими рентгеновское [c.191]

Взаимодействие припоя с основным металлом изучалось методами рентгеновского микроанализа и электронной микроскопии яа установках МАР-2 и РЭМ. Диаметр зонда МАР-2 составлял около 5 мкм. Разрешающая способность РЭМ - 500 К. Исследуемые образцы имели Biw параллелепипедов со шлифованной поверхностью одной из его зт)аяей. В отдельных случаях исследуемая поверхность образцов подвергалась травлению. [c.25]

Определение остаточных напряжений в шлифованных образцах из сплава ВТ14 производили не только методом травления, но и рентгеновским [c.110]

С помощью отражательного микроскопа пока не получено существенных для металловедения результатов. Однако непрерывное развитие способов травления и очистки по верхности образца (в особенности ионной бомбардировкой) и дальнейшее совершенствование прибора (микродифракция на отражение , регистрация рентгеновского излучения от образца и т. д.) открывают широкие перспективы использования отражательного микроскопа в ближайшие годы. [c.168]

В этом разделе будут обсуждаться методы рентгеновской фотоэлектронной (РФС) и электронной Оже-спектроскопии (ЭОС). Такие эксперименты выполняются в системах сверхвысокого вакуума при облучении образца рентгеновским или электронным пучками. Возбужденные вследствие одно электронных процессов (метод РФС) и многоэлектронных Оже-про-цессов электроны эмиттируются с поверхности образца и анализируются по энергиям. Измеренные распределения электронов по энергиям затем используются для идентификации состава образца. Кроме того, энергетические распределения чувствительны к электрическому потенциалу вблизи каждого атома, и поэтому с помощью рассматриваемых методов можно измерять и изменения в химических связях. Оба метода связаны с процессами, происходящими вблизи поверхности, и обладают естественным разрешением по глубине от 5 до 30 А в зависимости от энергии наблюдаемых переходов. Для исследования элементного состава по глубине образца методы РФС и ЭОС следует дополнить распылением или другими методами удаления слоев (химическое травление и т. п.). Поскольку в большинстве приложений используется распьшение, то в дальнейшем будет обсуждаться метод исследований элементного состава с помощью распыления. [c.191]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...