Возбужденные состояния. Представление экситонов

Возбужденные состояния. Представление экситонов ) [c.183]

Классификация состояний механических экситонов с А = 0 и правила отбора для квадрупольных переходов. Хорошо известно, что стационарные состояния в кристалле и, в частности, экситонные возбужденные состояния можно классифицировать по неприводимым представлениям пространственной группы кристалла (см., например, [66—68]). Каждая пространственная группа содержит подгруппу параллельных переносов, заключающих в себе все возможные [c.202]

Легче всего наглядно представить себе такие точечные дефекты, как отсутствующие ионы (вакансии), избыточные (междоузельные) ионы или же ионы другого типа (примеси замещения). Не столь очевиден случай, когда ион в идеальном кристалле отличается от своих соседей только возбуждением электронного состояния. Такой дефект называется экситоном Френкеля. Поскольку в возбужденном состоянии может находиться любой ион, а между внешними электронными оболочками ионов имеется сильное взаимодействие, энергия возбуждения может в реальной ситуации передаваться от одного иона к другому. Следовательно, перемещение экситона Френкеля по кристаллу не связано с изменением положения ионов, поэтому он (как и полярон) имеет гораздо большую подвижность, чем вакансии, междоузельные атомы и примеси замещения. В большинстве задач вообще не имеет смысла считать экситон локализованным. При более строгом описании электронную структуру кристалла, содержащего экситон, представляют как суперпозицию квантовомеханических состояний, в которой возбуждение с равной вероятностью может быть отнесено к любому иону в кристалле. Последний подход связан с представлением [c.244]

В 1937—38 Дж. Ванье (G. Wannier) и Н. Мотт (N. Mott) ввели представление об Э. как о перемещающихся по кристаллу связанных состояниях электрона и дырки, к-рые могут находиться на разл. узлах кристаллич. решётки (3. большого радиуса), экситон Френкеля можно представить как предельный случай, когда связанные электрон и дырка сидят на одном и том же узле (3. малого радиуса). Ванье—Мотта экситон чаще всего наблюдается в полупроводниках и диэлектриках. В молекулярных кристаллах, в к-рых силы взаимодействия между отд, молекулами значительно меньше взаимодействия между атомами и электронами внутри молекулы, Э. представляет собой элементарное возбуждение электронной системы отд. молекулы, к-рое распространяется по кристаллу в виде волны. Молекулярные экситоны определяют спектр поглощения и излучения молекулярных кристаллов, [c.501]

Теория вибронных спектров молекулярных кристаллов, основанная на естественном обобщении обычной теории экситонов, развивалась в работах Серикова и автора [332, 333]. Основные положения этой теории будут изложены ниже. Напомним прежде всего некоторые особенности вибронных возбуждений свободных молекул. Теория таких возбуждений хорошо развита в большом числе оригинальных работ и описана в ряде обзоров и монографий (см., например, [334, 335]). При описании вибронных состояний свободных молекул будем использовать представление вторичного квантования, которое удобно при обобщении на кристаллы. Рассмотрим для простоты только основное/ = О, и одно невырож- [c.391]

Доказательство существования безызлучательного переноса триплетного возбуждения в конденсированных системах впервые дано Терениным и Ермолаевым [410] в 1952 г. и затем подтверждено во многих работах. О подвижности триплетных состояний свидетельствуют многие явления. В частности, явление запаздывающей флуоресценции в органических кристаллах было объяснено Хохштрассером, Авакяном и др. [411—413] на основе представления о превращении при столкновении пары триплетных экситонов в синглетный экситон. Такая триплет-триплетная аннигиляция широко используется для изучения свойств трип летных экситонов [413]. [c.531]

При очень низких температурах в кристаллах с дипольно активными экситонами нижайшей зоны электронных возбуждений их взаимодействие с фотонами нельзя рассматривать методом теории возмущений. Вследствие большой вероятности взаимного превращения экситонов и фотонов необходимо их взаимодействие учитывать точно. Это легко осуществляется путем использования представления о поляритоиах, характеризующих квазистационарные состояния системы взаимодействующих экситонов и фотонов (см. 45). При этом взаимодействие поляритонов с фононами учитывается методом теории возмущений. [c.585]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...