Интерференционные приборы и применения интерференции

ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЕ ПРИБОРЫ И ПРИМЕНЕНИЯ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ [c.131]

В технологии изготовления полупроводников на специальные подложки наносят эпитаксиальные и диэлектрические пленки. Одним из параметров, влияющих на качество работы полупроводникового прибора, является толщина пленки. В устройствах контроля толщины пленок с применением лазера используют интерференционный метод (явление Интерференции), а в качестве источника излучения - лазер. [c.192]

Для измерения параметров шероховатостей поверхностей высокой чистоты и толщин пленок микросхем, применяют многолучевые интерференционные микроскопы. Отличительной особенностью этих приборов является применение многолучевой интерференции, позволяющей повысить точность и чувствительность измерений. Так, например, многолучевой микроинтерферометр МИИ-11, выпускаемый Ленинградским ордена Ленина оптико-механическим объединением, дает возможность измерять высоту неровностей и толщину пленок от 50 до 10 А. В этом приборе многолучевая интерференция достигается применением стеклянных пластин, одна сторона которых покрыта тонкой пленкой, обладающей избирательным отражением света. При наложении такой пластины на исследуемую поверхность и освещении монохроматическим светом в зазоре между ними происходит многократное отражение лучей, достигших исследуемой поверхности. В результате этого возникает явление многолучевой интерференции, которое наблюдается в окуляре микроинтерферометра. Неровности исследуемой поверхности изгибают (деформируют) интерференционные полосы. Окулярным микрометром измеряют величину изгиба и по формуле (6.8) определяют высоту неровностей или толщину пленки. [c.132]

Интерференционные приборы. Принцип действия интерферометра изображен на рис. 16. 7 и 16. 8. Положение интерференционных пплпг. ппр/ ттрляртся разностью фаз интерферирующих лучей. Например, если в интерфехюметре Майкельсона (рис. 16. 8) в одном из пучков фаза будет изменяться (например, из-за изменения показателя преломления на пути лучей 1), то интерференционные полосы в поле зрения начнут перемещаться. На этой основе можно использовать интерференцию для измерения плотности вещества показателя его преломления, температуры вещества, измерения длин, углов и т. д. Для автоматизации процесса интерферометрического контроля необходимо осуществить автоматический счет полос, что можно достичь применением фотоэлектрической регистрации интерференционных полос. [c.341]

Главы 7—12 посвящены интерференции и дифракции света. В главе 7 рассматриваются явление интерференции и его применение в интерференционных приборах, а в главе 8 дается элементарная теория дифракции. Строгая теория дифракции, основанная на уравнениях Максвелла и соответствующих граничных условиях, приводитен в главе 11. Эта теория используется для решения задач дифракции света на идеально проводящих плоском экране и полуплоскости, а также для некоторых других задач. В главе 9 дается дифракционная теория аберрации. Разбираются искажения дифракционного изображения точечных и нр<угяженных источников, вызванные аберрациями. В главе 12 рассматривается дифракция св та на ультразвуковых волнах, которая обычно почти не освещается. Очень интересна глава 10, посвященная распространению, интерференции и дифракции частично коге- [c.8]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...