Электронная компонент мультиплета

Величина мультиплетного расщепления. Величина расщепления, появляющегося вследствие спин-орбитального взаимодействия, легко вычисляется только в случае линейных молекул. Так же как и в двухатомных молекулах, при относительно малом спин-орбитальном взаимодействии (связь Рассела — Саундерса) электронная энергия компонент мультиплета описывается уравнением [c.26]

В вырожденных электронных состояниях, поскольку, вообще говоря, Се не равно нулю, существует орбитальный магнитный момент в направлении оси симметрии поэтому можно предположить довольно большое спиновое расщепление, подобное расщеплению электронных состояний П, А,. . . в линейных молекулах. Детальное теоретическое рассмотрение этого случая до сих пор не проводилось. Возможно, что при большом мультиплетном расщеплении вращательные энергетические уровни различных компонент мультиплета можно описать с помощью эффективных вращательных постоянных, слегка отличающихся друг от друга. [c.91]

Перемешивание штарковских компонент объясняет эффект подавления фотоионизации, обнаруженного в эксперименте [4.47]. Атом бария каскадно возбуждался в ридберговские состояния с главными квантовыми числами п = 25 и 35. В этой же области пространства, где осуществлялось возбуждение, имелось постоянное электрическое поле с напряженностью 100 В/см. В постоянном поле ридберговские уровни расщеплялись на штарковские мультиплеты, причем расщепление было линейно по напряженности поля. Под действием излучения мощного лазера с частотой, значительно превышающей энергию связи электрона в указанных ридберговских состояниях, возникал процесс фотоионизации из штарковских компонент. Результат эксперимента состоит в том, что вероятности фотоионизации из компонент состояния с п = 25 меньше, чем из компонент состояния с п = 35. [c.104]

При построении диаграмм Гротриана мы исключили из рассмотрения слишком высокие ридберговские уровни энергии и автоионизационные состояния, отвечающие двухэлектронному возбуждению и лежащие выше ионизационного предела атома. Положение атомных уровней энергии (под ними подразумевалось обычно положение центров тяжести мультиплетов Т = l,Tigil1,gi, где Ti — компонента мультиплета, gi — статистический вес i-ro подуровня) определяется по шкале ординат в обратных сантиметрах, кроме того, цифры над горизонтальными линиями уровней обозначают соответствующее значение энергии возбуждения в электрон-вольтах (1 эВ = 8065, 54 см- ). [c.838]

Взаимодействие электронных состояний одинаковых типов. Все расчетные электронные состояния одного и того же типа взаимодействуют друг с другом, так как в волновом уравнении электронного движения всегда существуют какие-нибудь члены, которыми пренебрегают в первом или более высоком приближении и которые, будучи учтенными, привели бы к слабому перемешиванию состояний одного и того же типа. Не всегда легко установить получающиеся в результате этого сдвиги электронных энергетических уровней или изменения потенциальных функций. Это возможно только когда невозмущенные энергетические уровни получены в очень грубом приближении, или когда известны ридберговские серии электронных состояний, из которых легко определить отклонение от формулы Ридберга, обусловленное наличием другого состояния такого Hie типа, не принадлежащего к серии (точно так же, как в атомных спектрах см. [21] Взаимодействие мен ду неридберговскими состояниями одного и того же типа имеет большое значение для понимания валентности и стабильности электронных O TOHHHII (гл. П1). Однако оно мало сказывается на электронных переходах, влияя лишь на их полную интенсивность. Подобный вывод относится также к мультиплетным состояниям данного орбитального типа при малом спин-орбитальном взаимодействии или к индивидуальным компонентам мультиплета со спин-орбитальными функциями одного и того же типа при большом спин-орбитальном взаимодействии. [c.69]

Рядом с линиями уровней в прямоугольной рамке приведены значения энергии расщепления мультиплет-ных уровней с нужным знаком, характеризующим либо нормальный (+), либо обращенный (—) мультиплет. Штриховые метки использовались для обозначения электронных конфигураций, отвечающих разным исходным состояниям атомного остова. В случае атомов инертного газа и атома иода, у которых возбужденные состояния классифицируются по схеме //-связи моментов, на диаграммах Гротриана были указаны только положения нижней и верхней компонент мультиплетных подуровней (отмеченных соответственно чертой снизу и сперху при символе квантового числа J полного момента атома) и граничные длины волн переходов между заданными мультиплетными уровнями. [c.838]

Каждое изменение электронного состояния в атоме вызывает возникновение линии, тогда как каждсе изменение электронного состояния в молекуле вызывает возникновение системы полос. Различные полосы системы возникают вследствие изменений колебательного состояния молекулы, которое, как правило, соответствует гораздо меньшим изменениям энергии молекулы, чем изменения электронного состояния. Поэтому при переходе от одного источника к другому полосы определенной системы обнаруживают в своем поведении некоторое сходство с компонентами узкого мультиплета, появляясь и исчезая одновременно. Но в то время, как мультиплет содержит относительно небольшую часть линий всего спектра, отдельная система полос зачастую состоит из нескольких сотен полос и может охватывать все обычно возбуждаемое излучение данной молекулы. Включение всех таких полос в один список приводит к большому числу совершенно случайных совпадений по длинам волн. Такие совпадения причиняют большие неудобства в случае полос, чем в случае линий, так как определяемая длина волны канта полосы в очень большой степени зависит от суждения наблюдателя и от примененной дисперсии. Таким образом, отождествление отдельной полосы только по длине волны гораздо менее надежно, чем такого же рода отождествление отдельной линии. Поэтому отождествление всякий раз должно быть дополнительно чем-либо подкреплено. [c.9]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...