Коэффициент индуктивности температурный

Температурный коэффициент индуктивности ТКИ, 1/ С, не более 300 10- 600- 10- 600-10- 300-10- 300- 10- [c.218]

В табл. 11.1 приведены ориентировочные значения [2] температурного коэффициента индуктивности добротности ( и собственной емкости С( катушек различных типов и назначений. [c.374]

Тип Температурный коэффициент индуктивности (ТКИ) Масса, г Пример записи в документации [c.418]

На коротких и ультракоротких волнах (от 100 до 5—6 м) применяются катушки индуктивности, имеющие однослойную намотку. На каркас катушки наносятся пазы, в которые укладываются витии провода. Для намотки применяются различные виды проводов круглого сечения с изоляцией и без нее, прямоугольного сечения (ленточная намотка) и, наконец, нанесение на каркас катушки (обязательно керамической) проводящего слоя серебра или меди, что обеспечивает весьма малые значения температурного коэффициента индуктивности и повышение стабилизации частоты в схемах с параметрической стабилизацией. [c.371]

Более совершенным с этой точки зрения является получение витков катушки в виде гонкого медного или серебряного слоя, наносимого на керамику. В этом случае проводящий слой лучше связан с керамикой, и поэтому температурный коэффициент индуктивности катушки оказывается значительно пониженным. В табл. 29-3 даны значения температурных коэффициентов индуктивности катушек при разных способах намотки. [c.372]

Температурные коэффициенты индуктивности катушек при разных способах намотки [c.373]

Аналогично температурной зависимости резонансной частоты можно выразить температурную зависимость индуктивности ЭЭС резонатора. Однако в этом случае требования к температуре существенно ниже, поэтому нет необходимости искать такую ориентацию среза резонатора, при которой температурный коэффициент индуктивности был бы равен нулю. Для применяемых типов пьезоэлектрических кварцевых резонаторов температурный коэффициент индуктивности находится, как правило, в пределах 10-5—10 К . [c.149]

Линейный температурный коэффициент индуктивности [c.193]

Свойства катушек оцениваются индуктивностью, добротностью, собственной емкостью и температурным коэффициентом. Разработкой способов расчета индуктивности катушек занимались Дж. К- Максвелл, О. Хевисайд, Дж. У. Рэлей, У. Кельвин, А. Зоммерфельд. Однако точные расчеты существуют лишь для катушек самой простой конфигурации 1[Л. 33, 37]. [c.14]

Керамические материалы, применяемые для изготовления высокочастотных изделий различного назначения, принято называть высокочастотными. За последние десятилетия они заняли значительное место в радиоэлектронном производстве. Многие характеристики керамических изделий определяются свойствами самих материалов. К ним относятся добротность конденсаторов или катушек индуктивности, удельные параметры конденсаторов, температурные коэффициенты емкости и индуктивности, допустимые рабочие напряжения и температуры, механические свойства и др, [c.231]

Особенностью сердеч 1иков из альсифера является то обстоятельство, что при их использовании катушки имеют отрицательный температурный коэффициент индуктивности. [c.355]

При изготовлении высокостабильных однослойных катушек индуктивности для КВ и УКВ диапазонов вжигание слоя серебра в виде витков обмотки решает задачу получения малого температурного коэффициента индуктивности, так как коэффициент линейного расширения обмотки в этом случае становится равным ТКЛР материала каркаса, а известно, что керамика имеет очень низкий ТКЛР=+4-10 гра5 . [c.32]

Температурная стабильность катушки индуктивности определяется изменением ее главных параметров Ь и Q под действием температуры. С изменением температуры изменяются длина н диаметр каркаса катушки. При увеличении температуры это приводит к увеличению индуктивности, а при уменьшении температуры — к уменьшению индуктивности. Температурная стабильность этого параметра количественно оценивается температурным коэффициентом индуктивности ТКИ и коэс ициентом нецикличности КТНИ. [c.190]

Температурные коэффициенты индуктивности катушки и фер-ритового сердечника имеют разные знаки. [c.119]

II — материалы со средним (д, = 200-ь600. В состав этих ферритов вводят меньшее количество цинкового феррита, что позволяет повысить точку Кюри и получить меньшие потери, чем в материалах I группы. Сердечники могут применяться при частотах до нескольких мегагерц. Ферриты со средней проницаемостью используются в катушках индуктивности, вариометрах, а также для магнитных антенн. Для сердечников контурных катушек индуктивности изготовляют ферриты с малым температурным коэффициентом р. [c.248]

Сплавы 68НМ и 79НЗМ характеризуются высокой магнитной проницаемостью и большим приращением индукции при однополярной импульсном намагничивании. После термомагнитной обработки в поперечном поле сплава 68НМ его проницаемость при уровне 3000—4000 Гс/Э мало зависит от поля и температурный коэффициент проницаемости не более 8-10" 1/Х в интервале температур 60—120° С. Сплав выпускают в виде ленты толщиной 0,006—0,02 мм и используют для катушек постоянной индуктивности, дросселей фильтров, широкополосны трансформаторов. [c.266]

Из других ВИДОВ высокочастотной керамики следует отметить цельзиановую керамику. Цельзиановая керамика характеризуется очень низким коэффициентом термического расширения, сравнительно небольшим положительным температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости и небольшими диэлектрическими потерями при нормальной и повышенной температурах (300—400° С). Цельзиановая керамика рекомендуется для изготовления катушек индуктивности высокой стабильности, изоляторов и высокочастотных конденсаторов большой реактивной мощности. [c.296]

Вжигание серебра в стекло, кера гаку, слюду является широко распространенным способом при изготов.т1ении электротехнических и радиотехнических деталей. Он обеспечивает по сравнению с предыдущими способами наиболее прочное сцепление в результате проникновения серебра в поверхностный слой неметаллического материала. Благодаря этому слой серебра становится близким по температурному коэффициенту расширения неметаллическому материалу, и это позволяет готовить высокостабильные катушки индуктивности с керамическим каркасом, слюдяные конденсаторы, а также осуществлять вакуумплотную пайку деталей из керамики стекла и кварца. [c.591]

Конденсаторы из обычного стекла нашли применение только в отдельных специальных случаях техники. Известно, что разработаны способы получения очень тонких стеклянных пленок, которые используют в производстве конденсаторов. Секции стеклянных конденсаторов набирают из чередующихся слоев стеклянной ленты в виде тонкой пленки толщиной 12,7—25 мк и алюминиевой фольги и спекают в монолитный блок. Диэлектрическая проницаемость стекла выще, чем у слюды, поэтому объем стеклопленочных конденсаторов меньше объема слюдяных той же емкости. Стеклянные конденсаторы имеют положительный температурный коэффициент порядка 140 10 град- . Так как корпус конденсатора изготовляется из стекла, то подобные конденсаторы имеют высокое значение добротности при малых емкостях. Малая индуктивность выводов, непосредственно присоединенных к обкладкам, дает высокое значение добротности и при больших емкостях. Добротность их не ниже следующих значений [c.364]

Испытываемые образцы нагревают в пламени газовой горелки или в плазме, в солнечных печах, в электропечах сопротивления различных форм и размеров, непосредственным пропусканиелг тока, при помощи квантовых генераторов, индуктивным, электроннолучевым и другими способами. При выборе метода нагрева учитывают обеспечение необходимой скорости нагрева, коэффициент полезного действия нагревательного устройства, удобство регулирования и длительного поддержания заданного температурного режима, долговечность системы. [c.255]

Например, С,, — изохорная теплоемкость и Ср — изобарная теплоемкость, где индексы и и р обозначают, что объем (V), давление (/ ) остаются в процессе пеизменпыми Од и — температурные коэффициенты сопротивления и магнитной проницаемости, где Лир, — индексы, обозначающие электрическое сопротивление и магнитную прон1щаемость и — емкостное и индуктивное сопротивления электрическо11 цепи, где индексы С Ь — означают электрическую емкость и индуктивность. [c.270]

Оперирование структурными параметрами компонентов неудобно при проектировании принципиальных электрических схем. Действительно, при анализе схем в значительной мере используется аппарат теории электрических цепей на основе замены принципиальных схем эквивалентными. Элементами эквивалентных схем являются сопротивления, емкости, индуктивности, токи и напряжения источников. Эти величины называются электрическими параметрами. Часто перечисленные величины не являются постоянными, но могут быть представлены в виде несложных с вычислительной точки зрения функций некоторых других величин. Тогда электрическими параметрами являются аргументы этих функций. К особенностям электрических параметров обычно относят возможность определения этих параметров по результатам измерения токов и напряжений на внешних выводах компонента. Примерами электрических параметров биполярных транзисторов при анализе малосигнальных схем могут служить широкоизвестные Н- и у-параметры, при анализе нелинейных схем — объемное сопротивление тела базы, барьерные емкости, тепловые токи и температурные потенциалы переходов, коэффициент усиления тока и др. [c.18]

Цельзиановая керамика ВаО АЬОз-ЗЗЮг характеризуется весьма малым tg 6 при нормальной и повышенной температуре, малым, значением температурного коэффициента диэлеетрической проницаемости ТКе, высокими значениями р, а, преимущественно электронной электропроводностью. Благодаря высоким электроизоляционным свойствам и малому а этот материал широко используется для изготовления установочных деталей, каркасов высокостабильных катушек индуктивности и высоковольтных конденсаторов с большой реактивной мощностью. [c.691]

Программа PSPI E позволяет изменять имитационные модели резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности таким образом, чтобы эти компоненты становились зависимыми от температуры. Для этого используются линейный (ТС1) и квадратичный (ТС2) температурные коэффициенты. И тогда при заданной температуре компонента программа PSPI E вычисляет значение сопротивления по формуле [c.153]

Схему ОБ также применяют в усилителях мощности КВ диапазона. Она имеет следующие преимущества по сравнению со схемой ОЭ меньшую зависимость коэффициента усиления от частоты меньшую критичность к разбросу параметров транзистора лучшую температурную стабильности меньший коэффициент нелинейных искажений высокую устойчивость к самовозбуждению и больший. коэффициент усиления на близких к частотах у тех транзисторов, которые имеют малое сопротивленне базы и малую индуктивность. базового вывода. [c.155]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...