Формула Галлея

Таким образом, при определении ширины криволинейного конвейера для всех конструкций роликов вполне можно пользоваться приведенной номограммой фирмы Галле, но с уточнением по формуле [c.45]

По значениям э. д. с. рассчитывались активности менее благородного компонента сплава (алюминия или галлия) по формуле [c.381]

Арсенид галлия — прямозонный материал, который на протяжении ряда лет используют в разнообразных полупроводниковых приборах. Он наиболее хорошо отработан технологически и проверен в работе из всех полупроводников А " — В . Естественно, что именно этот материал был первым применен при разработке источника для оптической связи. Из формулы (8.2.2) следует, что максимум излучения соответствует длине волны [c.220]

Гранаты. Редкоземельные соединения со структурой типа граната (кубическая симметрия) являются в настоящее время наиболее перспективным классом материалов твердотельной квантовой электроники. Общая формула их AaBjOj,, где А — ион иттрия или ионы некоторых редкоземельных элементов, а В — ионы алюминия, галлия, железа или некоторых других трехвалентных элементов переходной группы железа. [c.76]

Время фоточувствительности структур на основе BSO, BGO и кристаллов группы AsBe также определялось экспериментально по временной зависимости электрического тока через образец структуры [160, 163], так как формула (3.45) справедлива только в режиме питания прямоугольными импульсами. Оно было достаточно велико (до 10" с), в результате чего структуры способны регистрировать низкие уровни световой интенсивности. В то же время в отличие от структур с арсенидом галлия и кремнием оно ограничивалось малым удельным сопротивлением используемых жидкокристаллических смесей 0М СМ< -Српп), так как при времени импульса питания более 10 мс (соответственно на частотах питания менее 100 Гц) устанавливался режим сквозной проводимости. Действительно, ЖК ведет себя в МДП как типичный диэлектрик только при временах, меньших или равных Времени диэлектрической (максвелловской) релаксации [c.174]

Теплообмен жидких металлов в трубах исследовался в ряде работ. Почти во всех экспериментальных работах длина начального участка была достаточна для установления полностью развитого профиля температуры l/d 10 -г 20), однако гидродинамической стабилизации потока в этих условиях не было. Только в [5] длина начального участка была достаточна l/d 220) для установления развитого профиля скорости. В этой работе изучался теплообмен сплава индий-галлий-олово в присутствии однородного продольного магнитного поля и впервые получено резкое изменение зависимости Nu = /(Ре), где Ре = PrRe - критерий Пекле, при переходе от ламинарного течения к турбулентному. Экспериментальные данные сопоставлялись с результатами расчетов, полученных с помощью модифицированной формулы Ван-Дриста, в которой учитывалось влияние магнитного поля. Недостатком таких расчетов является необходимость знания Re в каждом случае. [c.572]

Как уже указывалось в 1, ряд промежуточных фаз, образованных металлами второй и третьей групп периодической системы элементов Д, И, Менделеева с элементами шестой и пятой групп, обладает полупроводниковыми свойствами. Все эти соединения имеют общую формулу АВ и существуют в очень узком интервале концентраций, описываемом этой формулой. Такие соединения обладают либо кубической решеткой типа алмаза, либо гексагональной решеткой. При этом атомы металла расположены таким образом, что их ближайшими соседями являются атомы металлоида. Примером соединений с алмазной решеткой могут служить арсениды и фосфиды галлия и индия ОаАз, ОаР, 1пАз, 1пР. Сульфиды и селениды кадмия и ртути — Сс15е, С(15, Н 5е— обладают гексагональной решеткой. [c.81]

Проведено экспериментальное исследование удельного влеетрического сопротивления галлия, рубидия и цезия вблизи точки плавления в твердой и жидкой фазе, а также внебольшом интервале жидкого состояния. Рекомендуется формула дпя расчета электросопротивления жидких металлов. [c.222]

В этой и следующей главах мы рассмотрим распространение рэлеевских волн в двух конкретных кристаллических структурах (структуре типа вюрцита и структуре типа сфалерита), в которых возможно интенсивное взаимодействие ультразвуковых волн с электронами проводимости через пьезоэффект. Окончательные численные расчеты будут проведены нами для двух кристаллов — сульфида кадмия (группа AjBe) и арсенида галлия (группа AgBg, структура сфалерита). Естественно, что все полученные расчетные формулы справедливы и для остальных представителей этих структур. [c.203]

Таким образом, в системах медь—цинк, медь—галлий. и медь—олово образуются р-фазы переменного состава, однако в грубом приближении они соответствуют соотношению компонентов 1В формулах Си2п, СызОа, СиаЗп,. при котором отношение числа валентных электронов к числу атомов или электронной концентрации 3/2=11,5. [c.170]

Результаты немногочисленных ранних исследований по измерению фаз сравнительно низкочастотных осцилляций, проведенные с галлием, графитом и цинком [44, 116, 381], показали существование расхождений с теорией. Наиболее явно эти расхождения проявились в случае осцилляций на иглах в Zn, где значение фазы основного тона ф/2тг [определяемой формулой (9.7)] оказалось равным 0,58. Учитывая, что экстремальное сечение иглы максимально, и воспользовавшись формулой (9.8), получим, что это соответствует значению у либо 0,3, либо 0,8 (соответственно тому, является ли спиновый множитель отрицательным или положительным), а не ожидаемому по теории значению Vi. Поэтому до получения дополнительных сведений знак спинового множителя остается неопределенным. Поскольку в методе крутильных весов, использовавшемся при проведении этих экспериментов, требуется, чтобы ориентация была отлична от экстремальной, то на первый взгляд может показаться, что это расхождение обязано сдвигу фазы, обусловленному мозаичностью [см. формулу (8.73)]. Однако оценки показывают, что это соверщеяно невероятно. Более того, последующие эксперименты [314, 416] с использованием иной техники измерений, когда поле было ориентировано строго вдоль гексагональной оси и использовались образцы лучшего качества, подтвердили наличие расхождений. Их причиной, по-видимому, является магнитный пробой и межзонное взаимодействие, что может привести к заметному изменению значения у [366], хотя теория этого явления не завершена. Мы вернемся к рассмотрению этого вопроса при обсуждении результатов измерения g-фактора в п. 9.6.1. [c.518]

Ширина прямой запрещенной зоиы (Г8- Гб) арсенида галлия высокой чистоты равна 1,424 эВ при комнатной температуре [16]. Ее зависимость от температуры может быть выражена формулой [17] [c.220]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...