Дефекты структуры типа внедрения

Дефекты структуры кристалла стехиометрического состава разделяются на два типа. Во-первых, это дефекты (так называемые дефекты Шоттки), которые содержат анионные и катионные вакансии в эквивалентных количествах, и, во-вторых, дефекты по Френкелю, которые содержат дефекты либо в одной катионной, либо в одной анионной подрешетке, а парные дефекты состоят из вакансий или внедренных атомов одного и того же компонента. [c.48]

С изменением парциального давления кислорода может меняться тип проводимости. Так, при высоких давлениях кислорода оксид может иметь р-проводимость, а при низких давлениях этот же оксид принимает свойства п-проводимости. В таком случае дефекты структуры окалины представляют собой соответственно внедренные атомы кислорода (р-проводимость) и кислородные вакансии (и-проводимость), диффузия во внешнем слое окалины происходит преимущественно путем переноса внедренных ионов, а во внутреннем слое (около металла) путем диффузии вакансии. Это ведет к тому, что внутри окалины существуют р—п-переходы, которые и должны воздействовать на процессы переноса. [c.57]

И. В. Батенин и др. [36] исследовали влияние облучения на механические свойства металлов. После облучения микротвердость всех исследованных металлов и сплавов повысилась. Однако относительное изменение твердости было неодинаковым для различных материалов. Авторами высказано предположение, что при нейтронном облучении упрочнение связано не только с возникновением дисперсной структуры зерна, но и с изменением свойств кристаллов в микрообластях, повышением сопротивления движению дислокаций. Изменение свойств в случае облучения обусловлено наличием точечных дефектов (типа вакансия — внедренный атом ) и характером их распределения. [c.238]

Таким образом, в облученном кристалле движущимся дислокациям необходимо преодолевать кроме обычного рельефа Пайерлса и сил взаимодействия с другими несовершенствами исходной структуры еще целый спектр барьеров радиационного происхождения изолированные точечные дефекты и их скопления, кластеры и дислокационные петли вакансионного и межузельного типов, поры, выделения, возникающие в результате ядерных превращений. В табл. 6 приведена примерная классификация барьеров по степени взаимодействия с дислокациями. Видно, что скопления вакансий и атомы растворенного вещества с симметричными полями напряжений ведут себя, как сравнительно слабые барьеры для движения дислокаций. Дефекты с тетрагональными полями (атомы внедрения в ОЦК-ме-таллах, малые призматические петли, комплексы кластер — атом примеси) являются промежуточными барьерами по сопротивлению [c.62]

Второй тип дефектов — дефекты в связях решетки. Такие дефекты могут быть вызваны присутствием инородных атомов (водород, кислород, азот и др.), или способностью атомов углерода находиться в различных валентных состояниях. Дефекты в структуре графита возникают также при внедрении чужеродных элементов в межслоевое пространство. При достаточно высокой их концентрации можно говорить об образовании соединений внедрения. [c.10]

Дислокации, даже при значительной их плотности, достаточно подвижны, если сопротивление решетки невелико, но стабильность дислокационной структуры существенно зависит от типа присутствующих дислокаций. Образование, например, расщепленных дислокаций с широким дефектом упаковки, как указывалось, сильно ограничивает подвижность их. Возникновение сегрегаций на дефектах упаковки или дислокациях при сильном взаимодействии их (например, примесей внедрения) приводит, к образованию стабильной структуры. Стабилизация дислокационной структуры возможна за счет создания конфигурации с малой энергией, например полигонизованной структуры (см. гл. V). В данном случае комбинация пластической деформации, легирования и термической обработки может обеспечить стабильные дислокационные конфигурации и хорошую прочность не только при комнатных, но и при повышенных температурах [289, 290]. [c.327]

Упорядочение. При исследовании упорядоченных сплавов можно получить инфор.ма-цию о структурном типе упорядочения (в том числе в разбавленных твердых растворах внедрения), о взаимном расположении упорядоченных и неупорядоченных областей, их форме, особенностях дефектов решетки, доменной структуре упорядочения и др. Специфический дифракционный контраст на изображениях упорядоченных структур связан с возникновением сверхструктурных отражений и с наличием в структуре антифазных доменов, разделенных антифазными границами (АФГ). Поскольку интенсивность сверхструктурных рефлексов пропорциональна степени дальнего порядка, по контрасту на темнопольных изображениях в сверхструктурных отражениях при определенных условиях можно судить о степени упорядочения. Наличие контраста на [c.57]

Два типа неупорядочепностн решетки вакансин и дефекты внедрения коренным образом отличаются от примесных атомов тем, что последние, в идеальном случае, могут быть полностью удалены из кристалла. Неупорядочеипость решетки, напротив, является неизбежной. Прп заданной температуре устанавливается отчетливое равновесие между этимн типами дефектов структуры кристалла. [c.93]

В бинарных репгетках АВ, напрнмер, в ионпых кристаллах с противоположно заряженными подрешетками, возможно несколько типов дефектов структуры неупорядоченность по Френкелю в Л-решетке неупорядоченность по Френкелю в Я-решетке образование пар вакансий Уа, 1 в образование пар дефектов внедрения /а, 1в перестановка двух атомов между двумя подрешетками Ав, Да).-Образование пар в каждом случае необходимо для сохранения нейтральности. Из уно-мянутых типов дефектов структуры кристалла важны лишь иеупорядоченность но Френкелю и образование пар вакансий. [c.94]

Обычно структура материалов типа металлов упорядочивается по элементам атом — кристалл (блок мозаики) — зерно. Дефекты в твердых телах можно разделить на две группы 1) искажения в атомно-молекулярной структуре в виде вакансий, замещения, внедрения, дислокации и т. п. 2) трещины — разрывы сплошности. Эти дефекты — локальные искажения однородности — совместно со сложностями структуры создают концентрацию напряжений. Что касается трещин, то их условно по размерам разделяют на три разновидности мельчайшие (субмикроскопические), микроскопические и макроскопические (магистральные). Вопросы взаимодействия локальных дефектов между собой и их роль в образовании субмнкроскопических и микроскопических трещин более относятся к физике твердого тела и являются одним из основных направлений физики разрушения. Не останавливаясь на детальном описании этих специальных вопросов, отметим, что в результате приложения внешних нагрузок в теле возникают дополнительные к силам межатомного взаимодействия силовые поля, приводящие в движение различные дефекты, которые, сливаясь, образуют субмикроскопические, а в последующем и микроскопические трещины. [c.182]

Рис. 2.1. Типы дефектов слоевых упаковок в структуре вюртцитоподобных нитридов А1, Ga, In замена одного (I), двух (II, III) базисных слоев на слои типа сфа лерита, IV — внедрение сфалеритоподобного слоя в межслоевой интервал исходного кристалла

Значение критической влажности воздуха при излучении смещается в область значений относительной влажности 15... 30 % и зависит от мощности поглощенной дозы. Минимальная доза, ускоряющая коррозию при у-и р-излучении, — 10 эВ/см с. Повышение дозы до 10 эВ/см -с для листового металла ведет к его перегреву, при котором пленка влаги на поверхности отсутствует и коррозии не происходит. Деструктирующий эффект Эдо обусловлен упругим и тепловым воздействием поверхности металла с излучаемыми частицами. Ионизирующее излучение, особенно тяжелыми частицами, приводит к появлению в структуре твердого тела различных дефектов вакансий, дислокаций, пустотелых каналов, атомов внедрения и т. д. В окисных пленках в результате воздействия излучения происходят аналогичные процессы и возникают изменения структуры оксида и поверхностного слоя металла. Возрастает скорость диффузии различных компонентов раствора через пленку и ее ионная проводимость. особенно опасен для металлов, коррозионная стойкость которых обусловлена образованием плотных защитных слоев покрытий конверсионного типа, например, окисных пленок. - [c.535]

Бартенев с сотрудниками выдвинул гипотезу об уровнях прочности стекла и стеклянных волокон. Согласно этой гипотезе у стеклянных волокон имеется четыре уровня прочности сТ , ст , Первые три соответствуют волокнам с различными по типу дефектами, а уровень прочности аз имеют бездефектные волокна. Авторы предлагают различать три типа дефектов 1) точечные-дырки (вакансии), внедрение атомов или молекул примесей в структуру стекла 2) групповые - бивакансии, линейные дефекты (дислокации), фононы и др. 3) субмикроскопические и микроскопические объемные дефекты-микротрещины, включения, микроразрывы, резкие нарушения плотности и состава в объемах, значительно больщих элементов микронеоднородной структуры. Последняя группа дефектов, точнее их наличие, количество и величина, особенно в поверхностном слое, и определяет прочность стеклянного волокна. На объемную дефектность стекла можно влиять регулированием технологического процесса получения волокон. [c.20]

Согласно современной теории разупорядочения [2], нестехиометричность кристалла связана с образованием точечных дефектов типа вакансий или внедренных ионов. Учитывая, что ферриты со структурой шпинели имеют две катионные и одну анионную подрешетки, трудно без непосредственного эксперимента решить вопрос о природе доминирующих точечных дефектов. В некоторых случаях полезная информация может быть получена из термодинамических исследований. Однако природа дефектов и характер их распределения по подрешет-кзм сложного кристалла могут быть установлены структурными исследованиями, связанными с измерением интенсивности дифракционных отражений в дефектных кристаллах. [c.12]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...