Скрайбирование лазерное

Скрайбирование лазерное 524 Слюда 695 Слюдинит 698 [c.736]

По мере перемещения пластины относительно луча в ней образуется последовательный ряд углублений с большим коэффициентом перекрытия, в результате чего получается ровная непрерывная канавка, имеющая в сечении V-образную форму, с шириной на поверхности пластины не более 25 мкм и глубиной около 50 мкм. При этом отсутствуют радиальные микротрещины и нагревание пластины, закрепленной к рабочему столу при помощи вакуумной присоски. Недостаток лазерного скрайбирования состоит в том, что испаренный из зоны обработки материал оседает на более холодную поверхность пластины. Однако этот тонкий слой легко удаляется ультразвуком без повреждения полупроводника или интегральной схемы. Глубина нарезанной канавки очень важна при раскалывании интегральной схемы или других тонких пластин на отдельные элементы. Экспериментально обнаружено, что при глубине канавки в 25—35% от общей толщины пластины получается раскалывание высокого качества. Более глубокие разрезы, естественно, повышают качество раскалывания, но, как правило, для их получения приходится уменьшать скорость скрайбирования. [c.172]

Модель 1400 АХ лазерной установки обеспечивает скорость скрайбирования от 120 до 240 мм/с. Производительность установки зависит от диаметра пластины и расстояния между канавками (рис. 104) и от толщины. [c.172]

Данные сравнительного экономического анализа лазерного и алмазного скрайбирования [c.173]

Рис. 104. Зависимость производительности лазерной установки для скрайбирования от расстояния между канавками в полупроводниковых пластинках при диаметре пластинок 35 мм (/), 50 мм (2) и 75 мм (3)

Помимо того есть еще и другие направления исполь-Бования лазерного луча. К ним относятся лазерная закалка, лазерное остекловывание, поверхностное упрочение металлов,. маркировка изделий, скрайбирование, ла-верное легирование, лазерная металлургия. [c.70]

Режимы лазерного скрайбирования некоторых материалов [c.582]

Для лазерного скрайбирования стекла и большинства полупроводниковых материалов используются ИАГ-лазеры свободной генерации и лазеры на азоте. Вследствие более высокой поглощающей способности керамики на длине волны 10,6 мкм для скрайбирования керамических пластин более эффективны СОг-лазеры. [c.582]

Однако в отдельных случаях нагрев лазерами оказывается эффективным, например, при лазерном скрайбировании заготовок кристаллов из германия и кремния (при нанесении риски лазером и дальнейшем механическом разрушении хрупких материалов). Дпя лазерной обработки кремния используются обычно импульсные УА0-К(1-лазеры. Характеристики таких лазеров варьируются в следующих пределах длительность импульса =0,1-1-200 мкс, частота следования импульсов у =(10-5-5) 10 Гц, энергия в импульсе -Би =0,1-5-500 мДж. [c.524]

ЛАЗЕРНОЕ СКРАЙБИРОВАНИЕ И МАРКИРОВАНИЕ [c.315]

Лазерное скрайбирование значительно повышает точность разделения пластин на отдельные кристаллы и производительность операции резки, обеспечивает высокое качество поверхности пластин, а также позволяет автоматизировать этот процесс. Процесс лазерного скрайбирования универсален и применим для приборов различной геометрии и широкого ряда материалов. Он экономичен даже при малом объеме производства, не требует высокой квалификации операторов. Этот метод используется для обработки хрупких материалов типа керамики, стекла. [c.315]

Лазерное скрайбирование требует меньших затрат энергии на единицу длины, поскольку для его осуществления не требуется прорезать материал на всю толщину. По этой причине процесс разделения образца на части с прямолинейными краями вьшолняется методом скрайбирования значительно быстрее, чем путем непосредственной резки. Края заготовок, получаемых в результате разделения по методу скрайбирования, менее подвержены разрушению в результате избыточного нагрева и менее искажены термическими напряжениями. Поэтому в тех случаях, когда необходимо получить заготовки прямоугольной формы, целесообразнее применять метод скрайбирования. Методы непосредственной [c.315]

Учитывая, что разделение материалов методом лазерного скрайбирования с последующим разламыванием наиболее рационально осуществлять с помощью импульсного лазерного излучения, анализ физических процессов, протекающих при этом, сходен с анализом процесса возгонки лазерным лучом отверстий в материале. [c.315]

При дальнейшем повьппении степени воздействия лазерного излучения часть стекла разлагается, возгоняется и испаряется, образуя вдоль линии обработки дорожку, сопровождаемую крестообразными трещинами. При этом последующее разламывание значительно облегчается. Однако края разделенного таким образом стекла получаются неровными из-за наличия трещин, искажающих область разделения, а также возможности ухода трещин в сторону от линии скрайбирования. Этот недостаток можно устранить повьпиением энергии лазерного излучения снижением времени его воздействия до такой степени, чтобы стекло испарялось вдоль линии обработки практически без прогрева прилегающей области стекла. [c.316]

Учитывая, что в режиме скрайбирования применяется фокусировка лазерного излучения в пятно минимального размера, диаметр которого меньше линейной протяженности области прогрева, лазерное излучение можно считать точечным источником и использовать для вычисления температурного поля соответствующую формулу [c.316]

Скрайбирование пластин из кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материалов выполняют для последующего разделения пластин на отдельные элементы по линии надреза. В электронной промыщленности такой способ разделения применяют на одной из стадий групповой технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. Лазерное скрайбирование находит все более широкое применение, вытесняя скрайбирование алмазным резцом. [c.316]

В процессе лазерного скрайбирования часть удаляемого полупроводника может оседать около надреза на поверхности пластины. С подложкой эти загрязнения связаны слабо и поверхность пластины не загрязняют. Очистка полупроводниковых пластин может осуществляться в ультразвуковых ваннах. Кроме того, применяются специальные предохраняющие покрьггия (например, натуральный латекс), которые наносят на поверхность пластины перед скрайбированием и удаляют после него. Чтобы избежать загрязнения поверхности со структурами, применяется скрайбирование нижней поверхности пластины. В этом случае необходимо использовать глубокое (до 80. .. 90 % толщины пластины) скрайбирование во избежание повреждения структур при разламывании. [c.317]

Появились установки с лазерами на ИАГ для обработки керамики в США они составляют примерно 10% парка лазерного оборудования для скрайбирования керамики. [c.324]

В зоне локализации излучения форма и диаметр светового пятна изменяются от единиц до сотен микрометров и, в зависимости от температуры и давления, развиваемых на поверхности материала, возможны вариации названных процессов и, следовательно, различные виды лазерной обработки - прошивка отверстий, резание, скрайбирование, сварка, термообработка. [c.612]

Фирма Электроглас (США) выпустила лазерный прибор для скрайбирования лазерных пластин (модель 1400 АХ). Прибор использует лазер на НАГ, работающий в режиме модуляции добротности и обеспечивающий мощность излучения, достаточную [c.171]

Однако применение алмазного скрайбера осложняется тем, что в процессе обработки появляется ряд микротрещин, сколов, особенно в месте пересечения линий скрайбирования, а также имеет место заметный износ алмазного инструмента. Эти недостатки приводят к значительному браку. Они устраняются при использовании лазерной технологии, позволившей резать полупроводнико- [c.171]

Процесс скрайбирования происходит в результате теплового воздействия интенсивного лазерного луча на обрабатываемый материал, при этом температурное поле рассчитывается по формулам, приведенным в п. 14. Мощный лазерный поток скрайби-рует пластину путем выпаривания материала, образуя при перемещении лазерного пятна по поверхности пластины глубокую канавку без механических напряжений в прилегающих к ней областях. Блок-схема установки для скрайбирования приведена на рис. 103 [76]. [c.171]

С помощью установки фирмы Квантроникс время разделения пластин диаметром 50 мм на элементы размерами 1,27x1,27 мм сокращается до 2 мин с учетом вспомогательных операций [178]. Данные сравнительного экономического анализа лазерного и алмазного скрайбирования, проведенного фирмой Моторола с использованием установки Квантроникс-60Ь>, приведены в табл. 28 [76]. Таким образом, лазерное скрайбирование является экономически выгодным прежде всего благодаря уменьшению потерь материала. Кроме того, при лазерном скрайбировании сокращается трудоемкость операции разделения пластин кремния в 10—15 раз. [c.172]

На фирмах Вестерн Электрик и Моторола в течение нескольких лет используется лазерная система для скрайбирования, включающая машинный контроль и позволяющая получать высокое качество канавок и низкую стоимость конечного продукта [177]. Следует отметить, что при обработке материалов с низкой теплопроводностью не обязательно применять импульсные лазеры. Для скрайбирования используются непрерывные СОз-лазеры [77, 80]. Метод лазерного скрайбирования может быть применен в микроэлектронике для разделения пластин из керамики, ситалла [198], а также стеклопрофилита. [c.173]

Лазеры на парах металлов в последнее время привлекают пристальное внимание специалистов в самых различных о астях лазерной техн6логйй. лагодаря возможности хорошей фокусировки и видимому диапазону спектра излучения медный лазер можно с успехом использовать для скрайбирования и резки тонколистовых материалов. Особый интерес он вызывает как источник накачки перестраиваемых лазеров на красителях, используемых в селективной технологии. Вместе с лазерами на парах золота медный лазер находит применение в медицине. [c.164]

В последнее время получила распространение еще одна важная область применения лазеров —лазерная технология, с помощью которой обеспечивается резка, сварка, легирование, скрайбирование металлов и обработка интегральных микросхем. Причем отмечаются такие преимущества лазерной обработки, как высокая скорость выполнения операций, высокое качество обра ботки, возможность автоматизации onejTannft обработки и др.. [c.7]

Лазерное скрайбирование. Скрайбиро-вание представляет собой широко распространенный метод резки и контурной обработки образцов, в ходе которого испарению подвергается лишь часть поверхности вдоль фаницы раздела. Скрайбирование осуществляется путем нанесения на поверхности сплошной канавки или прошивки близко расположенных [c.581]

В зависимости от режимов действия лазерного излучения производят ту или другую технологическую операцию упрочнение поверхности, отжиг, скрайбирование, переплав и наплавку, сварку, резку и размерную обработку, аморфизацию поверхности, поверхностное микрорегулирование. [c.521]

В общем случае лазерного воздействия на материал при скрайбировании необходимо учитывать следующие процессы поглощение и рассеивание излучения, плавление и испарение, термомехани-ческе разрушение и пластическую деформацию, а также изменение структурного состояния и физико-химических характеристик материала. [c.524]

Отечественной промышленностью выпускается полуавтомат лазерного скрайбирования ЭМ-220, предназначенный для обработки полупроводниковых пластин. Полуавтомат снабжен ИАГ Nd-лaзepoм, работающим в режиме модулированной добротности. [c.323]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...