Задержки распространения сигнала

Универсальность. При определении ОА необходимо выбрать совокупность внешних параметров и совокупность выходных параметров у/, отражающих учитываемые в модели свойства. Типичными внешними параметрами при этом являются параметры нагрузки и внешних воздействии (электрических механических, тепловых, радиационных и т.п.). Увеличение числа учитываемых внешних факторов расширяет применимость модели, но существенно удорожает работу по определению ОА. Выбор совокупности выходных параметров также неоднозначен, однако для большинства объектов число и перечень учитываемых свойств и соответствующих им выходных параметров сравнительно невелики, достаточно стабильны и составляют типовой набор выходных параметров. Например, для макромоделей логических элементов БИС такими выходными параметрами являются уровни выходного напряжения в состояниях логических О и 1 , запасы помехоустойчивости, задержка распространения сигнала, рассеиваемая мощность. [c.150]

Большинство выходных параметров объекта являются функционалами зависимостей V(Z), т. с. для их определения необходимо при заданных X н О выполнить решение системы уравнений (1.2) и по полученным результатам решения рассчитать V. Примерами выходных параметров-функционалов служат мощность рассеяния, амплитуда колебаний, длительность задержки распространения сигнала и т. п. [c.23]

Основные электрические параметры микросхем время задержки распространения сигнала—400- 500 не, рассеиваемая мощность— менее 2 мВт, коэффициент нагрузки-4- 50, напряжение питания 4 В 10% помехоустойчивость — [c.707]

Основные электрические параметры микросхем средняя задержка распространения сигнала — 35 — 50 не, рассеиваемая мощность—до 20 мВт, коэффициент нагрузки 4—20, напряжение питания 5 В 10%, помехоустойчивость не менее 0,9 В. [c.707]

Вероятность появления гребней возрастает при переходе от некоторой совокупности выходных параметров, каждый из которых отражает одно определенное свойство схемы, к меньшему числу выходных параметров, интегрально отражающих различные свойства схемы. Например, в переключательных схемах быстродействие можно оценивать совокупностью таких отдельных параметров, как длительности задержки переднего и заднего фронтов, длительности самих фронтов. Эти выходные параметры не являются гребневыми функциями своих аргументов. Быстродействие можно характеризовать и таким интегральным параметром, как средняя задержка распространения сигнала 4р, отражающим скорости включения и выключения. Рост такого параметра, как сопротивление нагрузки коллекторной цепи, приводит к увеличению степени насыщения транзистора и, следовательно, к уменьшению фронта включения, но и к увеличению времени выключения. В результате может оказаться [c.160]

Время 71 задержки распространения сигнала 59 конечное 68,70 [c.319]

Устанавливает задержку распространения сигнала до указанных выходов. Основная форма 1 [c.268]

Если взять группу логических вентилей глубиной в несколько слоёв, таблица соответствия может быть весьма эффективной с точки зрения использования ресурсов и задержки распространения сигнала. Здесь под глубиной подразумевается количество логических элементов между входом и выходом цепочки, так на Рис. 4.3 глубина составляет два слоя. Однако недостатком архитектуры на таблицах соответствия является то, что если с их помощью реализовать небольшую функцию, например 2-входовый логический элемент И, для этого придётся использовать всю таблицу. Результирующая задержка для такой простой функции окажется весьма большой. [c.70]

Существовала также возможность каждому вентилю сопоставить некоторую задержку распространения сигнала. Эти задержки, в примере они опущены для простоты изложения, обычно представлялись в виде чисел, кратных некоторой единице времени системы моделирования (см. гл. 19). [c.121]

Задержки распространения сигнала [c.339]

Что касается линий передачи, в которых задержка распространения сигнала больше длительности его распространения, то все возникающие при этом значения взаимных ёмкостей и индуктивностей зависят от текущего положения движущегося фронта. Это значит, что мы должны рассматривать проводник в виде последовательности небольших КЬС-сегментов, которые на рисунке с целью его упрощения не показаны. [c.342]

Физический синтез — для большинства людей этот вид синтеза подразумевает учёт информации о реальном расположении различных логических элементов в устройстве, использование этой информации для оценки точных значений задержки распространения сигнала, реализация полученных значений задержек при выполнении операции итогового расположения элементов и других оптимизаций. Интересно за- [c.394]

Последовательность вычислений при определении составляющих градиента задержки распространения в пространстве параметров компонентов по описанному способу сводится к следующему. Производится численное интегрирование системы из т нелинейных дифференциальных уравнений (5.10) и п систем, каждая из которых состоит из т линейных дифференциальных уравнений с, переменными коэффициентами (5.15), до момента времени 4. когда выходной сигнал достигает заданного уровня а. Далее в соответствии с (5.14) вычисляются составляющие вектора дtt/д W. [c.134]

Алгоритм вычислений сводится в этом методе к следующему. В прямом времени интегрируется система нелинейных дифференциальных уравнений (5.10) до момента времени когда выходной сигнал достигает уровня а+Аа. При этом запоминается вектор V (/). В обратном времени интегрируется система линейных дифференциальных уравнений с переменными коэффициентами (5.22) при начальном условии (4) = 0. С момента времени необходимо дополнительно интегрировать аналогичную систему дифференциальных уравнений (5.26) при начальном условии Ха ( х) = 0. Одновременно необходимо вычислять определенные интегралы, вошедшие в (5.27). При вычислении задержки распространения инвертирующих схем в выражениях (5.22), (5.26) и (5.27) ду ду [c.138]

При непрерывном характере хотя бы части элементов векторов Уэт (2) и Упр (2) соответствие моделей устанавливается по совпадению выходных параметров у . Выходные параметры —это величины, характеризующие свойства системы. Типичные примеры выходных параметров —функционалы зависимостей Vэт (2) и Упр(2), например, задержка распространения, амплитуда выходного сигнала, частота генерируемых колебаний. Если в результате моделирования для каждого тестового воздействия получают с оговоренной точностью совпадение выходных параметров, рассчитанных с помощью сравниваемых моделей, то говорят о соответствии (корректности) проверяемого описания. [c.14]

На рис, 14,7 приведена структурная схема устройства для определения времени запаздывания А, соответствующего значению бг, применительно к двум траекториям распространения сигнала на рис. 14.6. Практически эта схема обеспечивает вычисление автокорреляционной функции принятого сигнала и на ее основе — расчет временной задержки. Ограничимся определением ОСП соответствующих компонентов Антенна предполагается ненаправленной в вертикальной плоскости она ие обеспечивает разрешения траекторий лучей по углу прихода. [c.378]

Введение дополнительных петель позволяет ввести дополнительную задержку и выравнять время распространения сигнала. Современные системы трассировки имеют соответствующие средства для описания таких приемов при трассировке. [c.184]

Рассмотрим конвейер, у которого тактовая частота выбрана таким образом, что максимальная задержка между регистрами составляет величину 15 пикосекунд. Допустим, что для этого устройства сложилась ситуация, которая показана на Рис. 19.12, а. В этом случае максимальное время распространения сигнала в первом логическом блоке составит 10 ПС. Другими словами, положительный резерв времени составит 5 ПС, а во втором логическом блоке максимальное время прохождения сигнала будет равно 20 пс, т. е. величина отрицательного резерва составит величину 5 пс. [c.255]

Как уже упоминалось, при использовании современных кремниевых кристаллов, задержка, вызванная распространением сигнала через внутренние соединения, преобладает над задержкой вентилей, особенно в ПЛИС. В свою очередь, задержки внутренних соединений зависят от значений паразитных ёмкостей, сопротивлений и индуктивностей, которые определяются топологией и формой используемых проводников. [c.257]

Методы решения логических уравнений. Анализ переходных процессов в логических схемах выполняют с помо-щь 0 асинхронных моделей (4.56), т. е. на основе асинхронного моделирования. К началу очередного такта ti известны значения векторов внутренних V/= U]<, V2i, Vni) и входных Ui переменных. Подставляя V и U,- в правую часть выражений (4.57), получаем новые значения которые примут внутренние переменные в моменты времени где ТА — внутренняя задержка распространения сигнала Vk в соответствующем элементе схемы. Далее переходим к следующему такту, в котором вычисления по (4.57) повторяются со значениями векторов V и U, соответствующими новому моменту времени (напомним, что время измеряется в количестве тактов). Асинхронное моделирование называют потактовым. [c.250]

Анализ экспериментальных данных показа л, что предложенная модель задержки распространения сигнала в базис-н(тм элементе ипфровой схемы качественно правильно отражает реалг.ные физические процессы, протекающие в логических элементах. [c.125]

В, задержка распространения сигнала менее 400 не, Яагрузоч-иая способность от 3 до 6, помехоустойчивость более 100 мВ. [c.705]

В этом примере рассмотрим подготовку исходных данных, процесс оптимизации и его результаты для схемы токового ключа, показанной на рис. 46. В отличие от предыдущих примеров здесь использовалась математическая модель схемы в виде системы дифференциальных уравнений. Интегрирование этой системы позволяет получить такие выходные параметры схемы, как з.р — задержка распространения сигнала — верхний уровень выходного напряжения Ai/gjjj — перепад напряжения на выходе. Параметры и i/n —допустимые уровни помехи в логических состояниях О и 1 — можно было бы найти в процессе анализа передаточной характеристики, полученной путем решения системы алгебраических и трансцендентных уравнений. Однако в данном случае для 11 и i/n имеются достаточно точные явные зависимости от параметров компонентов [18], которые мы и включим в ММС [c.228]

Примеры выходных параметров для условий работоспособности соответственно (3.4), (3.5), (3.6) время передачи сообщения по каналу связи, задержка распространения сигнала в логическом элементе, потребляемая мощность КПД источника питания, полоса пропускания щирокополосного усилителя, запас помехоустойчивости частота кварцевого генератора, полоса пропускания избирательного усилителя, фокусное расстояние оптического устройства. Все условия работоспособности можно свести к виду (3.4). Для этого в (3.5) обе части неравенства умножаются на (—1), а (3.6) предварительно заменяется на два неравенства Уi T +ATj, У1 Т1—АТгде ДГ/ — допустимая погрещность выполнения условия (3.6). Для простоты рассуждений будем полагать, что все условия работоспособности объекта имеют вид (3.4). [c.65]

Pair — пара цепей, которые должны иметь равное время задержки распространения сигнала, а следовательно равную длину и симметричную трассировку. [c.634]

DELAY Установка задержки распространения сигнала до указанного выхода [c.264]

Для цифровых ИС важными параметрами являются среднее время задержки распространения сигнала и допустимая мощность рассеивания на одном приборе. Срещ1ее время задержки представляет собой интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении цифровых микросхем. Для транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) время задержки порядка [c.24]

Раньше все задержки распространения сигнала от входа до выхода микросхемы у многовходовых вентилей были одинаковыми. Например, в случае 3-входового вентиля И с входами д, и с, и выходом у любые задержки вида ЬН и НЬ при прохождении по пути а-у, Ь-у и с-у были одинаковыми. Изначально это обстоятельство не вызывало никаких проблем, поскольку таким же способом задержки описывались и в соответствующих справочниках. Однако со временем в справочниках стали определять задержки индивидуально для каждого пути прохождения сигнала, и в результате возникла необходимость модернизировать системы моделирования для поддержки этих возможностей. [c.248]

У традиционного логического/НОЬ-синтеза была одна проблема, которая заключалась в том, что он был разработан в то время, когда задержка распространения сигнала в основном определялась задержкой вентилей, а задержки на проводниках были сравнительно малыми. Это значит, что средства синтеза могли использовать простые модели на-фузки на шину для оценки влияния задержек на проводниках. Такие модели включали параметры ненагруженной шины, ёмкость шины при нагрузке в виде одного логического элемента — х пикофарад (пФ), ёмкость шины при нафузке двумя логическими элементами — у пФ и т, д. По этим данным средства синтеза могли оценивать задержку, связанную с каждым проводником, как функцию её загрузки и сопротивления вентиля, подключенного к этому проводнику. [c.253]

Могу вас заверить, что с этого места ваша жизнь станет намного интересней (поверьте мне, разве я вас когда-нибудь обманывал ) До этого времени мы с вами рассматривали эффекты, которые влияют на величину задержки распространения сигнала через вентиль, (задержки вывод-вывод), но многие из этих эффектов также воздействуют на выходные характеристики сигнала, которые вентиль вьщает на свой выход (или выходы). Например, выходная характеристика вентиля может зависеть от пути прохождения сигнала от входа до выхода (Рис. Б.15). [c.355]

Большинство ИЗ эффектов, влияющих на задержку распространения сигнала, представленных в этой главе, существовали всегда, даже в мультимикронных технологиях, но многие из них по степени своей значимости на три-четыре порядка были меньше других, и при анализе не рассматривались. Когда геометрические размеры устройств перешагнули через барьер в 0.5 микрона и достигли 0.35 мкм, то некоторые из этих эффектов начали проявлять себя сильнее, и их значимость стала возрастать с каждой новой ступенькой в технологии изготовления микросхем и понижении напряжения питания. [c.360]

Наилучшим материалом для возбуждения М. в. являются ферриты, в частности монокристаллы железоит-триевого граната, обладающие высокой добротностью как магнитной, так и упругой подсистем. Эти кристаллы используются в акустоэлектронике для изготовления линий задержки сигналов СВЧ. Управляя посредством неоднородного магн. поля скоростью распространения сигнала (за счёт преобразования волн), можно [c.17]

При этом надо следить за тем, как меняются с частотой два параметра — коэффициент усиления и фазовое запаздывание. Последний параметр и есть в сущности та самая задержка, которая и приводит как к неустойчивости, так и к нежелательным колебаниям при отработке возмущающих воздействий и при переходных движениях. Так как каждая система обладает конечным временем распространения сигнала и конечной мощностью, а с увеличением скорости изменения сигнала неизбежно возрастает мощность, необходимая для движения, то с ростом частоты увеличивается фазовое запаздывание и уменьшается коэффициент усиления. Если коэффициент усиления в разом-КЕ1утом контуре меньше единицы, то при его замыкании неустойчивость возникнуть не может, так как любые колебания в контуре будут постепенно угасать. Следовательно, нас интересуют только свойства системы на тех частотах, где усиление в контуре без обратной связи больше единицы. [c.40]

Если сигнал ROM S, который возвращается в матрицу, используется для инициации циклов ожидания, то в ПЛИС появляется дополнительная задержка распространения. Так как в нашем примере тактовая частота относительно невелика (4-8 МГц), эта дополнительная задержка не вызовет проблем. Однако при использовании высоких тактовых частот рекомендуется создать еще один подобный логический блок (используя промежуточную переменную SELE T ROM), применив выражения для буферизированной логической схемы. [c.379]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...