Перестроечные кривые

К поверхности. Действительно, при этом изменяется значение Пе, которое зависит от угла между оптической осью и вектором электрического поля, и, следовательно, изменяется длина волны, при которой выполняется равенство (5.47а). Толщина пластинки (равная обычно 0,3—1,5 мм) определяет ширину перестроечной кривой, т. е. разрешающую силу. Чем тоньше пластинка, тем шире доступная область перестройки и ниже разрешающая сила. Наконец, заметим, что в лазерах с малым усилением, таких, как непрерывные газовые лазеры или лазеры на красителях, можно обойтись без двух поляризаторов, если остальные поляризующие компоненты, такие, как окна Брюстера лазерной трубки, обеспечивают достаточную дискриминацию по потерям между двумя поляризациями. [c.254]

Рис. II3.1. Перестроечные кривые для коллинеарного взаимодействия при

Соответствующие перестроечные кривые приведены на рис. ПЗ.З. [c.155]

Перестроечные кривые. Пропорциональность интенсивности ПР с данной частотой и направлением) функции синхронизма 1 (см. (8)) определяет довольно своеобразную конусную структуру рассеянного поля, напоминающую структуру черепковского излучения. Условие синхронизма А = О, которое можно трактовать как следствие законов сохранения энергии и импульса при взаимодействии трех фотонов, определяет в х-пространстве (т. е. в пространстве, образованном возможными волновыми векторами сигнала) поверхность синхронизма , на которой излучение максимально. [c.24]

А — А ( i). Найдем частотную ширину А со перестроечной кривой лри изменении со из условия ZA = 2я. Зависимость А (со ) при малом изменении со , как правило, можно считать линейной [c.26]

Таким образом, ширина спектра, излучаемого в данном направлении, определяется взаимным запаздыванием холостой и сигнальной волн на длине взаимодействия I. Аналогично определяется угловая ширина перестроечной кривой [c.26]

Рис. 6.30. Характеристики ПГС на кристалле AgGaS , накачиваемом основной частотой YAG Nd + лазера а — перестроечные кривые б — зависимость квантовой эффективности от длины волны светлые кружки — сигнальная волна, темные — холостая [91]

Для создания ПГС в ИК диапазоне весьма перспективно использование кристаллов AgGaSj, обладающих высокой нелинейностью и широким окном прозрачности от 0,6 до 13 мкм. На рис. 6.30а приведена перестроечная кривая этого генератора с накачкой от YAG лазера. Рис. 6.306 иллюстрирует зависимость квантовой эффективности от длины волны излучения [91]. [c.279]

ПЕРЕСТРОЕЧНЫЕ КРИВЫЕ [КОЛЛИНЕЛРНЫЙ, КАСАТЕЛЬНЫЙ И ВЕКТОРНЫЙ СИНХРОНИЗМЫ) [c.151]

Результаты приведены на рис. П3.1. На рис. П3.2 показана поверхность ф(Я1г, Яр) для кристалла KDP, позволяющая, в отличие от стандартной формы перестроечных кривых рис. П3.1, полут1ить на одном рисунке информацию о ф для разных сочетаний длин волн накачки и ИК-излучения. [c.153]

В общем случае из выражения (21.8) следует, что частота генерации не является линейной функцией частоты настройки со , поскольку 8 является также функцией со . В зависимости от соотношения вепичин А и б (х = А/б) получаются различные перестроечные кривые (рис. 21.6), рядом с кривыми указано значение х. Видно, что чем шире кон- [c.202]

Рис. 5.17. Перестроечная кривая (У) и обратная пороговая характеристика (2) перестраивас-

Как мы уже отмечали, для того чтобы устранить эффект затягивания частоты и обеспечить тем самым линейный закон перестройки iзaви имo ть частоты генерации от частоты настройки резонатора), необходимо, чтобы селектирующий элемент имел один, достаточно узкий (бУр< АУл) максимум пропускания. Этому требованию удовлетворяет, например, дисперсионная призма. Перестроечная кривая лазера на неодимовом стекле с такой призмой приведена на рис. 5.17 [77]. Диапазон перестройки составляет примерно 50 нм, причем затягивание частоты невелико. [c.235]

Оц резонансно рас- д качивает заряженные ионы решетки, которые в свою очередь излучают свет. В результате групповая скорость волны и резко уменьшается почти до нуля при точном резонансе), а ее фазовая скорость становится немонотонной функцией частоты (так называемая аномальная дисперсия). Функции и (со) = д,(й1йк и п (со) = кс а) однозначно связаны с законом дисперсии поляритонов, т. е. зависимостью (О к) (рис. 3). Вследствие закона сохранения импульса при рассеянии связь соа к определяет по формулам тригонометрии наблюдаемую перестроечную кривую сох ( ). [c.28]

В эксперименте же дисперсия обычно имеет нормальный вид, соот-ветствуюпщй связи (4) при 7 = О, и лишь некоторые колебания дают аномальную дисперсию перестроечных кривых. Оба типа наблюдаемых резонансов описываются формулой (1) при различных соотношениях между резонансной и нерезонансной частями квадратичной поляризуемости. Оказывается, что колебания, не активные в обычном КР при 0 90°, могут проявляться в рассеянии на малые углы (д 5°) за счет в виде аномального изгиба и локального уширения перестроечной кривой. Эти ИК-активные колебания не дают вклада и согласно (1), (2) им соответствует коэффициент рассеяния [c.31]

Эффект линеаризации. Феноменологические формулы (1), (2) описывают еще один эффект. Уже в первых экспериментах по наблюдению ПР в кристаллах ниобата лития было замечено исчезновение рассеяния при приближении холостой частоты к области ИК-поглощения 1400 см ). Было естественным объяснить, это явление отрицательным влиянием затухания холостой волны на эффективность параметрического взаимодействия. Однако согласно флуктуационно-диссипативной теореме ( 2.4) при увеличении поглощения растут и флуктуации, так что должно происходить лишь уширение перестроечной кривой ( i) при сохранении интегральной (по Wi или ) интенсивности. Это явление описывается формулой (6). Действительно, в дальнейших экспериментах было замечено восстановление рассеяния после провала на частоте 1400 см , хотя продолжало расти. Сейчас уже ясно, что провал объясняется интерференцией между электронной X и электронно-колебательной Хрез нелинейностями, приводящей к линеаризации восприимчивости кристалла (х -Ь Хрез = = 0) на определенных частотах. Такие же провалы на перестроечных кривых наблюдаются вблизи многих решеточных резонансов и. Этот эффект аналогичен прохождению через нуль линейной диэлектрической прот ц омости на частотах продольных резонансов. [c.32]

Как нетрудно убедиться, вакуумная часть излучения (6) имеет заметную величину лишь при выполнении условия синхронизма Д 0. При р" = О (6) описывает чисто параметрический процесс (ГПР) с максимумом на перестроечной кривой Л = 0. При приближении к резонансной области излучение нарастает за счет роста 1x1) причем при больших интенсивностях накачки должно наблюдаться антипересечение или отталкивание перестроечных кривых (ог = о и А (о, ) = О в плоскости (о, ). [c.234]

Фиг. 6.3. Перестроечные кривые для некоторых преобразовате-ией частоты от инфракрасного диапазона к видимому.

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...