Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Ионное силицирование

Оказалось, что скорость силицирования металлов в тлеющем разряде заметно превышает скорость обычного газового силицирования прямоточным и циркуляционным способом. Так, ионное силицирование молибдена при 1000° С позволяет получить за  [c.222]

Изучение ионного силицирования молибдена прямоточным методом в МВТУ им. Н. Э. Баумана [67, 68] проводили на экспериментальной установке, схема которой показана на рис. 77. Исходной газовой средой была смесь тетрахлорида кремния особой чистоты с техническим водородом.  [c.133]


Рис. 77. Схема лабораторной установки для ионного силицирования прямоточным методом Рис. 77. Схема <a href="/info/535770">лабораторной установки</a> для ионного силицирования прямоточным методом
Однако иные закономерности получены при ионном силицировании.  [c.135]

Рис. 82. Принципиальная схема установки для ионного силицирования молибдена Рис. 82. <a href="/info/4763">Принципиальная схема</a> установки для ионного силицирования молибдена
Рис. 84. Влияние длительности выдержки на толщину покрытия при ионном силицировании молибдена. Общее давление хлоридов 20 мм рт. ст.. Температура кремния — 1373 К- Температура молибдена Рис. 84. Влияние длительности выдержки на <a href="/info/43614">толщину покрытия</a> при ионном силицировании молибдена. Общее давление хлоридов 20 мм рт. ст.. Температура кремния — 1373 К- Температура молибдена
Результаты сравнительных испытаний на жаростойкость силицидных покрытий на молибдене, полученных циркуляционным методом при печном нагреве и в тлеющем разряде показаны на рис. 87, из которого хорошо видно качественное преимущество ионного силицирования.  [c.141]

Принципиально аналогичные результаты получены при ионном силицировании других тугоплавких металлов в иных установках и условиях [7, 73].  [c.144]

В результате эксперимента определены оптимальные параметры ионного силицирования вольфрама в хлоридной среде температура вольфрама = 1573 К температура кремния Твх = = 1473 К температура камеры Тка = 900 К давление хлоридов кремния р = 10 мм рт. ст. длительность выдержки определяется требуемой толщиной покрытия в соответствии с кривой 2 на рис. 91.  [c.144]

Результаты исследования ионного силицирования вольфрама  [c.145]


При парциальном давлении пропана выше 0,1 мм рт. ст. наблюдалось выделение сажи и торможение процесса диффузионного насыщения. Подобные явления наблюдались в других исследованиях [12] и отмечались при описании ионного силицирования.  [c.154]

Рис. 87. Схема циркуляционной установки для ионного силицирования а — циркуляционная камера б—электрическая схема I — вакуумный насос 2 — вымораживатель 3 — вентилятор 4 — сосуд с З СЦ 5—вакуумная лампа 6 — ртутный вакуумметр 7 — реакционная камера 8 — анод 9 — пирометр Рис. 87. Схема циркуляционной установки для ионного силицирования а — циркуляционная камера б—<a href="/info/4765">электрическая схема</a> I — <a href="/info/41598">вакуумный насос</a> 2 — вымораживатель 3 — вентилятор 4 — сосуд с З СЦ 5—<a href="/info/276385">вакуумная лампа</a> 6 — <a href="/info/427476">ртутный вакуумметр</a> 7 — реакционная камера 8 — анод 9 — пирометр
Экспериментальное подтверждение возможности ионного силицирования молибдена циркуляционным методом в безводородной среде, а также исследование режимов процесса и свойств полученных покрытий было выполнено В. Н. Глущенко [6, 22]. Исследование проводилось на установке, принципиальная схема которой дана на рис. 82.  [c.139]

В результате ионного силицирования молибдена циркуляционным методом в безводородной хлоридной среде наблюдается ускорение диффузионного насыщения в 2—3 раза по сравнению с силицированием в циркуляционной установке с печным нагревом. При этом получается иная структура покрытия, имеющая более высокую жаростойкость.  [c.141]

После силицирования молибдена в порошковых смесях [32 ] или циркуляционным методом с печным нагревом чаще наблюдается однослойное покрытие из дисилицида молибдена, в то время как кинетические условия при ионном силицировании позволяют образовываться двух- и трехслойным покрытиям. Данные микрорентгеноспектрального анализа, приведенные на рис. 85, подтверждают образование слоя силицида Мо531з в процессе ионного силицирования.  [c.141]

Так, например, В. Е. Иванов [7] на лабораторной установке (рис. 89) определил оптимальные параметры ионного силицирования вольфрама в хлоридной безводородной среде. При полном факторном эксперименте в качестве параметра оптимизации была принята толщина диффузионного слоя. Обобщенные результаты этого эксперимента даны на рис. 90 и 91 и в табл. 49.  [c.144]

Экспериментально также была доказана возможность получения покрытия из MoSia на поверхности ниобия (рис. 103, б) путем осаждения молибдена на ниобии и последующего ионного силицирования по ранее описанной методике.  [c.156]

ИХТО. Ионная химико-термическая обработка — прогрессивный способ азотирования, цементации, нитроцементации, си-лицирования, алитирования и т. д. в ионизированных газовых средах.В специальных установках все поверхности обрабатываемых деталей (катодов) бомбардируются ионами диффундирующих элементов в плазме тлеющего разряда, в результате чего происходит очистка, разогрев н диффузионное насыщение Дв талей. Для высокотемпературных процессов (цементация, Силицирование и ДР- вводится дополнительный Р  [c.496]

Возможности химико-термической обработки в тлеющем разряде не ограничиваются ионным азотированием, цементацией и силицированием. Положительные результаты дали опыты по алитированию, борированию и титанированию металлов в ионизированной смеси хлоридов с водородом [70].  [c.155]


Смотреть страницы где упоминается термин Ионное силицирование : [c.133]    [c.142]    [c.156]    [c.13]    [c.109]    [c.220]   
Смотреть главы в:

Химико-термическая обработка металлов в активизированных газовых средах  -> Ионное силицирование



ПОИСК



Иониты

Ионов

По ионная

Силицирование

Силицированне



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте