Ионное силицирование

Оказалось, что скорость силицирования металлов в тлеющем разряде заметно превышает скорость обычного газового силицирования прямоточным и циркуляционным способом. Так, ионное силицирование молибдена при 1000° С позволяет получить за [c.222]

Изучение ионного силицирования молибдена прямоточным методом в МВТУ им. Н. Э. Баумана [67, 68] проводили на экспериментальной установке, схема которой показана на рис. 77. Исходной газовой средой была смесь тетрахлорида кремния особой чистоты с техническим водородом. [c.133]

Рис. 77. Схема лабораторной установки для ионного силицирования прямоточным методом

Однако иные закономерности получены при ионном силицировании. [c.135]

Рис. 82. Принципиальная схема установки для ионного силицирования молибдена

Рис. 84. Влияние длительности выдержки на толщину покрытия при ионном силицировании молибдена. Общее давление хлоридов 20 мм рт. ст.. Температура кремния — 1373 К- Температура молибдена

Результаты сравнительных испытаний на жаростойкость силицидных покрытий на молибдене, полученных циркуляционным методом при печном нагреве и в тлеющем разряде показаны на рис. 87, из которого хорошо видно качественное преимущество ионного силицирования. [c.141]

Принципиально аналогичные результаты получены при ионном силицировании других тугоплавких металлов в иных установках и условиях [7, 73]. [c.144]

В результате эксперимента определены оптимальные параметры ионного силицирования вольфрама в хлоридной среде температура вольфрама = 1573 К температура кремния Твх = = 1473 К температура камеры Тка = 900 К давление хлоридов кремния р = 10 мм рт. ст. длительность выдержки определяется требуемой толщиной покрытия в соответствии с кривой 2 на рис. 91. [c.144]

Результаты исследования ионного силицирования вольфрама [c.145]

При парциальном давлении пропана выше 0,1 мм рт. ст. наблюдалось выделение сажи и торможение процесса диффузионного насыщения. Подобные явления наблюдались в других исследованиях [12] и отмечались при описании ионного силицирования. [c.154]

Рис. 87. Схема циркуляционной установки для ионного силицирования а — циркуляционная камера б—электрическая схема I — вакуумный насос 2 — вымораживатель 3 — вентилятор 4 — сосуд с З СЦ 5—вакуумная лампа 6 — ртутный вакуумметр 7 — реакционная камера 8 — анод 9 — пирометр

Экспериментальное подтверждение возможности ионного силицирования молибдена циркуляционным методом в безводородной среде, а также исследование режимов процесса и свойств полученных покрытий было выполнено В. Н. Глущенко [6, 22]. Исследование проводилось на установке, принципиальная схема которой дана на рис. 82. [c.139]

В результате ионного силицирования молибдена циркуляционным методом в безводородной хлоридной среде наблюдается ускорение диффузионного насыщения в 2—3 раза по сравнению с силицированием в циркуляционной установке с печным нагревом. При этом получается иная структура покрытия, имеющая более высокую жаростойкость. [c.141]

После силицирования молибдена в порошковых смесях [32 ] или циркуляционным методом с печным нагревом чаще наблюдается однослойное покрытие из дисилицида молибдена, в то время как кинетические условия при ионном силицировании позволяют образовываться двух- и трехслойным покрытиям. Данные микрорентгеноспектрального анализа, приведенные на рис. 85, подтверждают образование слоя силицида Мо531з в процессе ионного силицирования. [c.141]

Так, например, В. Е. Иванов [7] на лабораторной установке (рис. 89) определил оптимальные параметры ионного силицирования вольфрама в хлоридной безводородной среде. При полном факторном эксперименте в качестве параметра оптимизации была принята толщина диффузионного слоя. Обобщенные результаты этого эксперимента даны на рис. 90 и 91 и в табл. 49. [c.144]

Экспериментально также была доказана возможность получения покрытия из MoSia на поверхности ниобия (рис. 103, б) путем осаждения молибдена на ниобии и последующего ионного силицирования по ранее описанной методике. [c.156]

ИХТО. Ионная химико-термическая обработка — прогрессивный способ азотирования, цементации, нитроцементации, си-лицирования, алитирования и т. д. в ионизированных газовых средах.В специальных установках все поверхности обрабатываемых деталей (катодов) бомбардируются ионами диффундирующих элементов в плазме тлеющего разряда, в результате чего происходит очистка, разогрев н диффузионное насыщение Дв талей. Для высокотемпературных процессов (цементация, Силицирование и ДР- вводится дополнительный Р [c.496]

Возможности химико-термической обработки в тлеющем разряде не ограничиваются ионным азотированием, цементацией и силицированием. Положительные результаты дали опыты по алитированию, борированию и титанированию металлов в ионизированной смеси хлоридов с водородом [70]. [c.155]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...