Дислокации порядка единица

ДИСЛОКАЦИИ ПОРЯДКА ЕДИНИЦЫ [c.317]

Дислокации порядка единицы. [c.317]

Каждая из составляющих перемещения, перенос и вращение, может быть осуществлена отдельно. Так, в случае кругового кольца, находящегося в состоянии чистого изгиба ( 4.12), имеем дислокацию, зависящую от простого вращения одного края разреза вокруг начала координат. В случае же дислокаций порядка единицы, рассмотренных в 4.29, края разреза (т. е. линии В А, PQ фиг. 4.292) приводятся к совпадению путем параллельного переноса без вращения. В случае фиг. 4.292 перенос направлен перпендикулярно к краям разреза в случае же, полученном из этого путем поворота на 90°, показанном на фиг. 4.291, оба края разреза совпадают, но оказываются передвинутыми [c.433]

Здесь Ь = Ь -f bg — су.ммарный вектор Бюргерса дислокаций /-го типа (Ьо = Ъ lb ), который, по предположению, не зависит от / g — безразмерная функция порядка единицы. [c.251]

Согласно (2.45) и (2.46) поле напряжений в окрестности краевой дислокации имеет разграниченные горизонталью зоны всестороннего сжатия и растяжения (рис. 2.11). Потенциальную энергию этого поля не удается вычислить строго, во-первых, в связи с трудностями установления истинного расположения атомов в ядре дислокации (при г0) и, во-вторых, вследствие неопределенности размеров области, в пределах которой поле напряжений остается невозмущенным. В первом приближении потенциальную энергию U, приходящуюся на единицу длины линии краевой дислокации, оценивают значением порядка Gb [55]. [c.84]

Такую работу нужно затратить на каждую из трех участвующих дислокаций, чтобы разрушить узел, показанный на рис. 6.14.2. В результате этого разрушения изменится длина каждой из трех дислокаций. Следовательно, упругая энергия каждой из них изменится (на единицу длины) на величину порядка (см. задачу 6.9) [c.190]

Однако, поскольку обратные напряжения дальнего порядка изменяются периодически в объеме решетки, так что т и = 0, осредненная сила, действующая на единицу высоты порога движущей дислокации равна примерно [c.276]

Механизм зарождения зон ГП слабо изучен. Плотность дислокаций в рекристаллизованном закаленном сплаве равна 10 — 10 см 2, и в случае гетерогенного зарождения на дислокациях число зон в единице сечения должно было бы характеризоваться этой величиной. В действительности же плотность выделений зон ГП (число зон в единице объема) измеряется величиной порядка 10 см , а в сечении — порядка 10 см . Считают, что для кластеров характерно главным образом гомогенное зарождение на концентрационных флуктуациях. [c.302]

В силу неопределенности расчетов общую величину упругой энергии, связанной с дислокацией (смешанной ориентации), принято считать близкой по порядку величины к на единицу длины или к 6ь на одно межатомное расстояние вдоль оси дислокации [10]. Значения энергии единичной дислокации, оцениваемой приближенно величиной ОЬ или ОЬ , даны в табл. 1. [c.10]

Отсутствие дальнего топологического порядка (как в кристалле с дислокациями) приведет в основном к уширению и размытости далеких пиков этой функции в однородный континуум (рис. 2.19). Масштаб локального порядка можно определить эмпирически как расстояние, за пределами которого функция g(Ria) становится близкой к единице. [c.76]

Измерения Кемпа и др. подтверждают, что сопротивление Wo, вызванное холодной обработкой, меняется как Т . Эта температурная зависимость свидетельствует о том, что рассеяние фононов происходит на отдельных дислокациях. Однако, если величину Wb сравнить с (19.15), то окажется, что число отдельных дислокаций на единицу площади, соответствующее такому теплосопротивлению, должно быть порядка 10 на 1 см . Это значение находится в противоречии с некоторыми другими оценками (см., например, [191]), к тому же оно столь велико, что само представление об изолированных дислокациях теряет смысл. Кроме того, характер температурной зависимости Wц должен измениться. Поэтому следует считать, что рассеяние происходит в основном на группах из N дислокаций одного знака. В этом случае поперечное сечение рассеяния на каждой из таких грунн пропорционально (т. е. сечение рассеяния на отдельной дислокации пропорционально. N). Чтобы согласовать значение W с другими оценками плотности дислокаций (которые дают значения 10 ), N должно быть порядка 50 или 100 [119]. [c.294]

В (71) числами порядка единицы и менее пренебрегаем, так как известно (см. гл. II), что для любой дислокации Edx Em, следовательно, YE JEui > 1. Подставляя (71) в (70), получаем минимальную энергию перегиба [c.127]

В зависимости от взаимного расположения дислокаций вызываемые ими напряжения могут либо складываться, образуя макронапряжения, убывающие на расстояниях порядка размеров кристалла, либо компенсировать друг друга и убывать на расстояниях порядка расстояния между дислокациями, образуя микронапряжения. По мере приближения к дефекту напряжения возрастают по величине и могут достигать значений порядка предела прочности материала. На расстояниях, близких к центру дефекта, в области очень сильных искажений кристаллич. решётки смещения атомов настолько велики, что деформации достигают величины порядка единицы, понятие напряжений теряет определ. физ. смысл и для описания искажения возникает необходимость учёта дискретности среды, её конкретной атомарной структуры. М. определяют ряд физ. свойств кристаллов, и прежде всего закономерности их пластич. деформирования и разрушения. МИКРОНЕУСТОЙЧИВОСТИ ПЛАЗМЫ -- мелкомасштабные плазменные неустойчивости, опасные для удержания плазмы, к-рые не приводят к немедленному разрушению равновесного состояния плазмы, а оказывают влияние на её удержание через процессы переноса — диффузию частиц и теплопроводность. Именно в результате развития М. п. появляются мелкомасштабные пульсации электрич., мага, полей и концентрации плазмы, к-рые увеличивают потоки частиц и тепла поперёк магн. поля, удерживающего плазму. [c.138]

В зависимости от взаимного расположения дислокаций вызываемые ими напряжения могут либо складываться, образуя макронанряжения, убывающие на расстояниях порядка размеров кристалла, либо компенсировать друг друга и убывать па расстояниях порядка расстояния между дислокациями — микропапряжо-ния. По мере приближения к дефекту напряжения возрастают по величине и могут достигать значений порядка предела прочности материала. На расстояниях, близких к центру дефекта, в области очень сильных искажений кристаллич. решетки смещения атомов настолько велики, что деформации достигают величины порядка единицы, понятие напряжений теряет определенный физич. смысл и для описания искажения возникает необходимость учета дискретности среды, ее конкретной атомарной структуры. [c.233]

Т. к. время до спонтанной аннигиляции дислокаций или до их выхода из кристалла велико, то обычно любой кристалл содержит дислокации. Выращивание бездис-локац. кристаллов макроскопич. размеров возможно лишь при соблюдении ряда спец. мер. Осп. долю энергии дислокации составляет энергия упругих искажений решётки вокруг неё на единицу длины дислокации она порядка 0,1Gb, где G — модуль сдвига, т. е. ок. 10 эВ на атомную плоскость, перпендикулярную оси дислокации. Поверхностная энергия Д. упаковки в разл. металлах и сплавах 7 10—200 мДж-м , для межзё-ренных границ f/ -l Дж М . Энергия макроскопич. трёхмерных Д- определяется в осн. их поверхностной энергией и энергией упругих искажений. [c.595]

Другие структурные аспекты материалов с памятью формы рассмотрены в [40 - 08]. В качестве структурных ансамблей исследуются двойники, трехмерные сетки частичных дислокаций с дефектами упаковки между ними и трехмерные сетки парных сверхдислокаций, соединенных антифазными границами. В работе [407] проводится аналогия между сплавами с памятью формы и полимерами, обладающими памятью формы. В полимерах роль таких ансамблей выполняют цепи из мономерных молекулярных единиц. Степень восстановления формы в полимерах определяется степенью порядка таких цепей и их протяженностью. Стабильность ансамбля как в сплавах, так и в полимерах зависит от взаимодействия конкурирующих факторов — полей упругих напряжений от дефектов решетки и процесса релаксации напряжений, сопровождающего мартенситное превращение. [c.251]

В теории жидкостей постулируется существование мельчайших пустот, или дыр . Жидкое состояние рассматривается как псе-вдокристаллическое с большим числом дислокаций. Фишер [19], Френкель [22] и Фёрс [23] предложили теории расчета таких дыр , возникающих в условиях статистического равновесия во всем объеме жидкости в результате случайных тепловых флуктуаций. Фишер [19] и Доринг [17] оценили скорость спонтанного образования дыр в единице объема жидкости. Все эти теории дают одинаковые значения диаметров дыр в условиях статистического равновесия порядка 10 см. Кроме того, согласно этим теориям, такие дыры могут стать центрами разрыва жидкости, если напряжения составляют от 4000 до 10000 атм. Однако эта оценка отличается от экспериментально полученных данных на несколько порядков величины. Наконец, можно показать, что вероятность или скорость спонтанного образования дыр в данном объеме жидкости пренебрежимо мала, если ее температура отличается от критической. Поэтому даже при указанных предельных напряжениях вероятность разрыва жидкости [c.80]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...