Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Селениды и теллуриды

При работе механизмов при высоких температурах, в химически активных средах и в вакууме жидкие смазки теряют свои свойства. В этих случаях применяют твердые смазки, к которым относятся графит, а также сульфиды и селениды молибдена или вольфрама. Из твердых смазок наибольшее распространение получил дисульфид молибдена (МоЗ ), который наносится на трущиеся поверхности в виде пленки толщиной 20. . . 30 мкм и применяется в обычных условиях и 1 вакууме при больших перепадах температур (—180. .. -г 400 С) и высоких удельных давлениях. В опорах трения часто применяют металлокерамические самосмазывающиеся материалы в виде бронзо-графитовых и железо-графитовых материалов, где кроме твердой смазки (графита) присутствует жидкая смазка, заполняющая поры материала. Применяют также пористые антифрикционные материалы на основе меди и серебра, поры которых заполнены сульфидами, селенидами и теллуридами молибдена, вольфрама, ниобия. В этих случаях твердая смазка обеспечивает высокую несущую способность и малые коэффициенты трения.  [c.168]


Основные характеристики селенидов и теллуридов  [c.192]

Применение в качестве твердых смазок сульфидов, селенидов и теллуридов титана, циркония, гафния и тория обеспечивает низкий коэффициент трения, особенно при трении этих материалов друг по другу. Однако при трении по металлическим поверхностям они имеют худшие антифрикционные характеристики, чем графит. В настоящее время имеется большое число различных антифрикционных материалов и покрытий. Как указано в монографии [200] невозможно перечислить беспредельные комбинации пОлимер-комплекс наполнителей (сухих смазок) .  [c.252]

ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРЕНИЯ НЕКОТОРЫХ СУЛЬФИДОВ, СЕЛЕНИДОВ И ТЕЛЛУРИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ  [c.133]

Фотопроводники. Окись, сульфид, селенид и теллурид индия являются фотопроводниками, причем селенид, по-видимому, наиболее перспективен.  [c.241]

Селен и теллур. При 800° и более высокой температуре пары селена и теллура сильно действуют на тантал. В противоположность этому мало или лишь слегка действуют на тантал жидкие селениды и теллуриды иттрия, редкоземельных элементов и урана в интервале температур 1300 2100°, в связи с чем тантал считают удовлетворительным материалом, в котором можно обрабатывать эти соединения 165].  [c.721]

Применяются также фотосопротивления из селенистого и теллуристого свинца [Л. 721]. Селенистый кадмий дает поликристал-лические слои, в некоторых условиях с максимальной чувствительностью при 0,72 лтм, простирающейся за 1 мкм [Л. 722]. Были предложены также сульфиды, селениды и теллуриды свинца, олова, индия, таллия, кадмия, висмута, сурьмы [Л. 723], германия [Л. 724] и т. д. Мы могли бы широко распространить эти указания на фотоэлементы, о которых имеются многочисленные статьи [Л. 45, 46, 725—730].  [c.359]

Особенности теплового движения молекул в жидкостях проявляются в их оптических свойствах, и особенно спектрах светорассеяния, которые простираются в более длинноволновую область, чем у кристаллов, и имеют дополнительно несмещенную компоненту. По типу электропроводности жидкие среды принадлежат к проводникам П рода, значительно реже — П1 рода. Полупроводниковые электрические свойства наиболее изучены у расплавов оксидов, сульфидов, селенидов и теллуридов, у некоторых биологических структур.  [c.9]

Идея объединить в одном томе термодинамические данные для важнейшей группы полупроводниковых веществ — селенидов и теллуридов металлов, включая элементарные селен и теллур и их соединения с кислородом и галогенами, возникла у одного из авторов настоящего издания еще в середине шестидесятых годов. Однако бурное развитие работ по термодинамике этих веществ в последнее десятилетие дало оригинальные и интереснейшие результаты, которые требовали сопоставления и критического осмысления-Фактически перед химической термодинамикой были поставлены некоторые новые проблемы, связанные с особенностями химической природы фаз переменного состава. Это относится главным образом к исследованиям равновесий в системах твердый халькогенид — насыщенный пар в интервале составов твердой фазы, принадлежащих к области гомогенности соединения равновесий со сложным составом пара к выяснению характера процессов возгонки и испарения (степень конгруэнтности, устойчивость в газовой фазе и др.).  [c.65]


В шестой том Химической термодинамики в цветной металлургии включен справочный материал по термодинамическим свойствам селена и селенидов, теллура и теллуридов. Наряду с окислами и хлоридами селена и теллура рассмотрены селениды и теллуриды 14 металлов (Си, Ай, 2п, Сс1, Н0, Са, 1п, Т1, Ое, 5п, РЬ, Ав, 5Ь и В ), представляющих значительный интерес в полупроводниковой технике.  [c.308]

Для фотосопротивлений и фотоэлементов применяются полупроводниковые материалы, сопротивление которых сильно зависит от освещенности. К их числу относятся сульфиды, селениды и теллуриды, т. е. соединения серы, селена и теллура с разными металлами, в частности со свинцом, медью, кадмием и др. Находят применение германий и кремний. Определяющей характеристикой фотосопротивления является удельная чувствительность  [c.290]

Сведения о селенидах и теллуридах рассредоточены  [c.3]

Селен и теллур образуют значительное количество бинарных соединений, во многом сходных с соединениями серы. В природе также встречаются селениды и теллуриды, которые чаще всего сопутствуют сульфидным месторождениям. Селену сопутствуют обычно медь, серебро, ртуть, реже свинец, никель, кобальт, висмут. Теллур связан с серебром, золотом, реже с медью, свинцом, ртутью, висмутом, никелем, платиной.  [c.5]

К полупроводниковым соединениям А"В относят халькогени-ды цинка, кадмия и ртути. Среди них можно выделить сульфиды, селениды и теллуриды.  [c.292]

Селениды. Несомненны аналогии в свойствах и применении селенидов и сульфидов некоторых d-элементов. В частности, представляют интерес МоЗег, NbSea, TaSeg, являющиеся полупроводниками и смазочными веществами [92]. Свойства некоторых селенидов и теллуридов описаны в [89].  [c.19]

Изучены температурные зависимости коэффициента трения и износостойкость в интервале температур от комнатной до 1200—1400° С в вакууме (5-1о мм рт. ст.) и в гелии высокой чистоты покрытий из сульфидов, селенидов. и теллуридов на молибдене, вольфраме, ниобии и тантале. Проведенные испытания показали, что покрытия из M0S2, WS2 и TaSej пригодны для использования их в узлах трения, работающих при температурах до 1250° С в инертных газовых средах и в вакууме.  [c.155]

Индий образует соединения с другими металлами, например селеном, теллуром, сурьмой и мышьяком, а также с неметаллическими элементами — кислородом, водородом, азотом, серой, фосфором и галогенами. Многие Из этих соединений, в том числе фосфид, арсенид, антимонид, окись, сульфид, селенид и теллурид индия, являются полупроводниками. В последние годы проведены многочисленные исследования, посвященные изучению этих соединений, особеннофосфида,арсенида и антнмонида иидия.  [c.229]

Халькогепидные стекла (ХС) — бескислородные стеклообразные сплавы сульфидов, селенидов и теллуридов (т. е. халькогеницов) мышьяка, сурьмы, фосфора, висмута и таллия. Получаются при самом различном сочетании указанных компонентов обладают разнообразными химич., физич., электрич. и оптич. св-вами. Среди указанных халькогенидов наилучшие стеклообразователи As Sj и AsjSej, особенно при сочетании их друг с другом и халькогенидами таллия, сурьмы и висмута. Известно большое количество ХС. Получают ХС при медленном подъеме темп-ры до 900° обычно в герметичных вакуумированных сосудах. ХС легкоплавки, начинают размягчаться при темп-рах более низких, чем соответствующие крис-таллич. халькогениды (табл. 1).  [c.257]

Неорганические материалы со слоистой (ламелярной) структурой тальк, слюда, графит, дисульфиды молибдена, вольфрама и титана, нитрит титана, селениды и теллуриды вольфрама и др. Смазывающие свойства этих веществ сильно зависят от дисперсности продукта - чаще используют порошки высокой чистоты с размерами частиц основной фракции 1. .. 7 мкм. Наибольшее распространение из веществ этой группы получили графит (в виде брикетов, карандашей и в качестве компонента жидких и пластичных СОТС), а также дисульфид молибдена, используемый в основном как наполнитель твердых, пластичных и жидких СОТС.  [c.459]

Халькогеннды кадмия. Сульфид, селенид и теллурид кадмия имеют ширину запрещенной зоны большую, чем у соответствующих им соединений ртути у dS она составляет 2,4 эВ, у dSe — 1,8 эВ, у dTe — 1,6 эВ. Все они являются кристаллофосфорами и применяются в разнообразных электролюминесцентных устройствах.  [c.99]

Халькогеннды цинка. Сульфид, селенид и теллурид цинка обладают большой шириной запрещенной зоны, которая соответственно равняется 3,6, 2,7 и 2,2 эВ,  [c.99]

Сульфид, селенид и теллурид свинца в естественном состоянии встречаются в виде минералов галенита, клаусталита и алтаита. Первый минерал является одной из самых распространенных руд свинца, два других в природе обнаруживаются довольно редко. Монокристаллы PbS, PbSe, РЬТе получают путем осаждения из газовой фазы, методом Бриджмена — Стокбаргера, методом Чохраль-  [c.103]


Из-за малой величины чисел переноса Та и Тк, затрудняющей их измерение, подобные исследования проводились редко. Рейнгольду [54] удалось показать наличие одновременной диффузии электронов и ионов в сульфиде, селениде и теллуриде серебра. По данным Гундермавна и Вагнера [55], число переноса одновалентных ионов меди в закиси меди при 1000° С получилось равным 5-10 , причем эта величина не зависела от давления. Для определения чисел переноса в жидких окислах СигО, СоО и N 0 Шраг [56] проводил измерения на жидких мостиках , образующихся между электрическими контактами. Число переноса ионов в окиси никеля при 1800° С составляло, напоимер, 3,9-Ю З, тогда как остальная часть проводимости была электронной. Измерения подобного рода были проведены и на растворах металлов или интерметаллидных соединениях, но они имеют для нас меньшее значение. Недостаток таких измерений состоит в том, что они, как правило, дают суммарную подвижность ионов без подразделения на относительные вклады анионов и катионов.  [c.41]

Кроме селенида кадмия используется в качестве полупроводника и селенид свинца РЬ5е. В нем может быть получена электронная проводимость при избытке свинца, дырочная — при избытке селена используются и некоторые примеси. Потенциал запрещенной зоны у селенида свинца равен 0,26 В. Его используют при изготовлении термоэлектрических генераторов ширина запрещенной зоны у теллурида свинца очень близка к запрещенной зоне селенида свинца. Находит применение сплав теллурида висмута и селенида висмута. Он представляет собой твердый раствор с максимальной в зависимости от соотношения компонентов шириной запрещенной зоны 0,31 В. Этот материал применяется для изготовления различных термоэлементов, а также наряду с селенидами и теллуридами, взятыми в отдельности, для фоторезисторов и фотоэлементов, о которых сказано в 5-5, г.  [c.279]

Исследования селенидов и теллуридов переходных элементов и особенно редкоземельных в первую очередь направл 1ны на изучение их структурных особенностей. Технология получения, химические, свойства и природа межатомной связи этих соединений исследованы недостаточно. Довольно хорошо изучены магнитные свойства селенидов РЗЭ, меньше — электрические, гальвано-магнитные, тепловые, термические, термодинамические и др. Селениды и теллуриды актиноидов почти не изучены, имеются только сведения о соединениях в системах с торием, плутонием и ураном.  [c.3]

Селениды и теллуриды начали получать искусственным путем около 70 лет назад, однако техиологических методов получения разработано очень мало.  [c.6]


Смотреть страницы где упоминается термин Селениды и теллуриды : [c.292]    [c.191]    [c.192]    [c.66]    [c.298]    [c.301]    [c.302]    [c.305]    [c.378]    [c.896]    [c.131]    [c.186]    [c.206]    [c.183]    [c.170]    [c.56]    [c.666]    [c.61]    [c.760]   
Смотреть главы в:

Радиотехнические материалы  -> Селениды и теллуриды



ПОИСК



Меднозакисные полупроводники. Селениды и теллуриды

Селениды

Теллурид



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте