ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы в предыдущих главах мы рассмотрели особенности химической связи и дефекты в полупроводниках. Было показано, что анализируя электронную конфигурацию и величины кристаллохимических параметров взаимодействующих атомов, возникающую в кристалле химическую связь, можно прогнозировать получение полупроводников с заданными параметрами. Обсуждались также свойства и основные принципиальные причины возникновения дефектов (без технологических деталей), их влияние на некоторые параметры полупроводниковых кристаллов. Однако прежде чем перейти к обсуждению методов получения полупроводниковых материалов, нам необходимо познакомиться с термодинамическим подходом к описанию взаимодействия веществ и их фазовых превращений. Это позволит определить условия протекания фазового превращения, в результате которого образуется полупроводник, а также условия получения материала в стабильном состоянии при заданных внещних параметрах. Также необходимо иметь представление о процессе образования кристаллических зародыщей и о механизмах их роста. Полученные сведения будут использованы в последующих главах, посвященных обсуждению методов получения полупроводниковых материалов, их очистке, легировании и способов управления ростом кристаллов. [Выходные данные]