Дырка удельная

Так как в собственном полупроводнике имеется два типа носителей — электроны и дырки, удельная проводимость его описывается соотношением [c.190]

При освещении полупроводника концентрация свободных носителей заряда в нем может возрасти за счет носителей, возбужденных поглощенными кванта-.ми света. При оптическом возбуждении электронов из валентной зоны в зону проводимости возникает пара свободных носителей - электрон и дырка. Если за счет света происходит переход электрона из валентной зоны на примесные уровни или с примесных уровней в зону проводимости, образуются свободные носители одного знака - дырки или электроны. В соответствии с увеличением концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике за счет облучения его светом возрастает и его удельная проводимость [c.70]

Удельная электрическая проводимость полупроводника, обусловленная дырками, [c.271]

Аналогичные изменения претерпевает удельная электропроводность материала. В этом случае носители тока (электроны или дырки) отклоняются в результате отталкивания или притяжения со стороны ионизованных дефектов. [c.282]

Время жизни неосновных носителей более чувствительно к облучению, чем удельная электропроводность. Если, например, ввести избыток дырок в полупроводник и-типа (в этом случае дырки являются неосновными носителями, а электроны — основными), то они исчезнут в результате рекомбинации с электронами, но это произойдет не мгновенно. Среднее время, необходимое для рекомбинации неосновного носителя с основным, называется временем жизни неосновного носителя. Эти свойства особенно важны во многих полупроводниковых приборах, особенно в транзисторах. Механизм рекомбинации определяется примесями и другими типами дефектов. В приведенном выше примере дырки и электроны рекомбинируют после захвата дефектами, которые называют центрами рекомбинации. Очень эффективными центрами рекомбинации являются вакансии и междоузлия. [c.283]

Пусть площадь сечения тела равна 1 см , часть этой площади занимают капилляры (дырки), остальную часть — вещество самого тела. Если все капилляры заполнены жидкостью, то удельное ее содержание равно [c.298]

Обращая (32.39), получим тензор удельной проводимости, совпадающий с (32.30). Тензор проводимости, обусловленный дырками, имеет вид [c.199]

Здесь Оо И 0 — удельные объемные проводимости на освещенной и тыльной поверхностях кристалла, z — координата тыльной поверхности. При электроны несколько опережают дырки при диффузионном движении и потенциал поверхности относительно объема повышается, Vq > 0. [c.36]

В общем случае ток в П. обусловливается как электронами, так и дырками и удельная проводимость [c.265]

При изготовлении триодов обеспечивают такое распределение примесей в эмиттере и базе, что количество дырок в единице объема эмиттера значительно больше количества электронов в базе. Поэтому прямой ток через переход Я/ будет определяться в основном движением дырок из эмиттера в базу и в очень малой доле — электронами, переходящими из базы в эмиттер. Поэтому при подаче прямого напряжения (У, происходит впрыскивание — инжекция дырок в область базы (см. рис. 120, в). Дырки , попавшие в базу, частично рекомбинируют с имеющимися здесь электронами, а большая часть их успевает пройти через тонкий слой базы и достигнуть коллекторного перехода П2. Незначительное число дырок , которые рекомбинируют с электронами базы, создают небольшой ток базы /в. Этот ток образуется за счет пополнения от источника тока электронов, исчезнувших при рекомбинации их в базе. Для уменьшения этого тока (исключения возможности рекомбинации электронов и дырок ) ширину базы делают по возможности малой, а удельное сопротивление базы делают большим, чем эмиттера. [c.146]

Кроме дырочного механизма возможны и другие диффузионные про-неееы перемещение дислоцированного атома из одного междоузлия в другие (пока он не попадет в дырку и успокоится ) или обмен местами двух соседних атомов. Дырочный механизм осуществим наи(5олее легко. Расчеты относительно самодиффузии меди дают следующие значения энергии активации процессов для дырочного механизма — 64 ккал/г-атом, перемещение дислоцированного атома 230 ккал/г-атом и при обменном механизме 400 ккал/г-атом. Столь большая разница в энергии активации приводит к тому, что диффузия реально протекает лишь путем дырочного механизма удельное значение других способов перемещения ничтожно мало. [c.321]

Коэффициент линейного расширения а = 6 10 VrpaA (при 10—50° С). Германий тверд (ЯВ 190), но хрупок, при нагреве выше 500° С становится пластичным. Некоторые другие физические свойства германия приведены в табл. 43 . Примеси сильно влияют на электропроводность германия достаточно ввести один атом примеси на 10 — 10 атомов германия, как электропроводность увеличивается. В ряде случаев это нежелательно, так как для приборов иногда необходим германий высокой чистоты с удельным электросопротивлением больше 10 ом-см, что достигается введением в германий определенных примесей в заданных количествах. Для получения триодов необходим германий, у которого электроны и дырки имеют большую подвижность и большое время жизни. Чистый германий обладает этими свойствами у него подвижность электронов 3900 см /в сек, подвижность дырок 1900 см /в-сек, а время жизни носителей заряда достигает 1000 микросекунд. [c.289]

Органические полупроводники охватывают широкий круг химических соединений, в которых проводимость осуществляется электронами или дырками, а не ионами. Все они отличаются пренебройимо малой ионной проводимостью. Удельная проводимость этих соединений составляет 10 -7- 10 IjoM - M, т. е, находится по преимуществу в интервале значений проводимости полупроводников проводимость сростом температуры увеличивается. У некоторых веществ проявляются эффект Холла (полифталоцианин меди) и фотоэффект, т. е. явления, присущие полупроводнику. [c.206]

На первый взгляд, молекулярное строение не позволяет говорить о том, что вещество сплошь, непрерывным образом, заполняет некоторое пространство, ибо это означает бесконечную делимость такого пространства. Иными словами, какой бы малый элемент пространственной области, заполненной сплошной средой, мы не взяли, он при допущении о бесконечной делимости области должен сохранять все изначальные свойства сплошной среды, скажем, иметь массу, не зависящую от времени (если макропроцессы в среде стационарны), содержать среду того же состава и компонентности, что и среда в целом, и т.п. Но как можно говорить о непрерывном распределении массы вещества, если она сосредоточена в ядрах отдельных атомов с плотностью ядерного вещества порядка 10 г/см , причем сами ядра имеют размеры порядка 10 см Это означает, что если, например, всю массу стометрового металлического куба с удельным ве-сом порядка 10 г/см плотно, без промежутков упаковать, то она займет объем, равный объему булавочной головки. А все остальное — это дырка , пустота, не обладающая массой Эти пустоты можно очень простым приемом обнаружить, например, в такой уж куда более сплошной среде, как вода если воду сжать до 7 ООО атм, то она уменьшит свой первоначальный объем более чем на 30 %. Мы уже не говорим [c.9]

В полуцроЕодниках вносят свой вклад в проводимость как электроны, так и положительные дырки. Поэтому удельную электропроводность можно записать в виде [c.160]

Германий, содержащий донорную примесь, называется электронным германием, или германием п-типа (n-Ge), а германий, содержащий акцепторную примесь, — дырочным германием или германием р-типа (p-Qe). В n-Ge основными носителями заряда служат электроны, а и е о с н о з н ы м и — дырки в p-Ge ооновными носителями заряда служат дырки, а неосновными— электроны. Германий без примесей называется собственным германием или германием i-типа (i-Gt) он обладает сравнительно высоким удельным сопротивлением. Многие полупроводники стехиометрического состава, тщательно очищенные от донорных и акцепторных примесей и обладающие ничтожно малой проводимостью [c.39]

Пластинка 4 из п-германия с удельным сопротивлением, близким к 0,1 ом, и толщиной в 0,05 мм покоится на латунной базе 5. С другой стороны к ней подведены два металлических контакта — усика 3 из вольфрама или фосфористой бронзы. Они косо срезаны так, что поверхность контакта составляет около 10 мм . Расстояние между ними 50—240 мк. Один из них с положительным по отношению к базе потенциалом Уэ служит для введения в полупроводник дырок. Поэтому он называется эмиттером. Другой контакт имеет отрицательный потенциал и . Он притягивает к себе введенные в полупроводник дырки. Его называют коллектором. Чем выше потенциал эмиттера, тем больше возникает дырок и тем болыпий ток собирает коллектор. Можно сказать, что эмиттер изменяет проводимость полулрокол.ника и это изменение влияет на величину тока коллектора. [c.135]

Лавинный пробой происходит в результате ударной ионизации атомов кремния несновными носителями в облпсти объемного заряда, что вызывает нарушение ковалентных связей и образование пар электрон — дырка . Процесс возможен лищь при р-п-переходах с большой шириной объемного заряда, в противном случае неосновные носители не смогут приобрести в электрическом поле области объемного заряда достаточную для ионизации энергию. Такие переходы характерны для диодов, изготовленных диффузионным методом на кремнии с большим удельным сопротивлением. Лавинный пробой происходит цри более высокой напряженности электрического поля по сравнению с тепловым. [c.50]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...