Хиральность

При использовании в производстве нанотрубок электрической дуги с графитовыми электродами образуются разнообразные трубки с различными диаметрами и хиральностью. Этим определяется различие их электронной структуры и электрических свойств. Распределение нанотрубок по размерам и углу хиральности существенно зависит от конкретных условий горения дуги и не воспроизводится [c.40]

Продукты распыления, осаждаемые на охлажденных стенках разрядной камеры, а также на поверхность катода, который имеет меньшую температуру, чем анод, содержат частицы графита, фул-лерены, нанотрубки. Эти нанотрубки отличаются разными углами ориентации графитовой плоскости относительно оси трубки, т. е. разной хиральностью. [c.36]

Молекулярная О, а. обнаруживается во всех агрегатных состояниях и растворах. У оптически активных молекул отсутствуют центр и плоскости симметрии (хиральные молекулы). Такая молекула может быть смоделирована двумя взаимодействующими осцилляторами, расположенными взаимно перпендикулярно, расстояние между к-рыми а сравнимо с Я (т. е. фазы поля в местах осцилляторов различны), а скорость передачи взаимодействия сравнима со скоростью распространения света в среде. Такая система, очевидно, будет по-разному реагировать на правую и левую круговую поляризацию волн, вследствие чего их скорости станут различными. В квантовой электродинамике оптич. вращение рассматривается как двухфотонный процесс рассеяния света на молекуле с роглощением одного фотона и испусканием другого, причём возникает интерференция двух участвующих в процессе фотонных мод. При этом должны учитываться все возможные в молекуле виды взаимодействия электрич. и магн. дипольных и квадру-польных моментов, наведённых проходящей световой волной. [c.426]

О. а. вещества определяется суммой вкладов отд. молекул, к-рая зависит от их расположения и ориентации. При беспорядочном расположении молекул (напр., в жидкости или в газе) эффект дают только хиральные молекулы к ним относятся энантиоморфные (зеркальные) группы симметрии С , Л , Т, О (см. Энантио-морфизм, Симметрия кристаллов). В этом случае вращение определяется силой вращения П (псевдоскаляром) [c.426]

При упорядоченном расположении хиральных молекул появляется ещё вклад квадрупольных моментов и векторного произведения [рт] суммарная О. а. может быть больше. В частности, она сильно возрастает в хиральных структурах в этом случае вклад в О. а. могут давать и молекулы тех групп, где отсутствует лишь центр симметрии (С , ), О, а. может также [c.426]

Структурная (кристаллическая) О. а. В кристаллах, где существует дальний порядок, вклад в О. а. помимо хиральных молекул (если таковые имеются) дают коллективные процессы, в основном процессы переноса. Эти процессы могут создавать О. а. в веществе, где отд. частицы не хиральны, при наличии в кристалле необходимых элементов симметрии. В табл, приведены те классы симметрии кристаллов, в к-рых может возникать О. а. молекулярного и структурного происхождения. [c.426]

В кристаллах часто происходит деформация тех или иных элемептов структуры (молекул, атомных в ионных группировок) внутр. полем кристалла, благодаря чему они становятся хиральными. Для этого достаточно весьма малых деформаций (смещений) - (1—0,5)10" нм. [c.427]

В молекулярных кристаллах могут возникать дополнит, вклады в О. а., связанные с бестоковыми переносами возбуждений — акситонами, В кристаллах, состоящих из хиральных молекул или обладающих хиральной структурой, каждая экситонная зона расщепляется на две — правую и левую, что и создаёт О. а. в области частот экситонных линий поглощения со своеобразным ходом дисперсии вращения, различным для кристаллов из хиральных или симметричных молекул. Сказанное относится и к валентным п ионным кристаллам в последних особенно существенна деформация ионных группировок сильным внутр. полем. В полупроводниковых кристаллах имеется значит, вклад свободных носителей и межаонных переходов. Экспериментально показано, что О. а. может возникать на вакансиях и на дефектных структурах, а также на примесных центрах. [c.427]

К О. а. в. первой группы относится большое количество оргавич. соединений (ряд к-т и эфиров, сахара, стероидные соединения, сульфиды, селениды и др.). Оптич. активностью обладают мн. комплексные соединения металлов (в особенности переходных N1, Со), металлоорганические соединения, а также хиральные и холестерические жидкие кристаллы. Особо важна роль О. а. в. в биосфере. Оказывается, что все наиб, важные для живых систем вещества хиральны, причём с определённым для каждого знаком во всей биосфере. Таковы -аминокислоты, П-сахара и т. д. Различны и усвояемость и физиология, действие антиподов иапр,, -сахара не усваиваются, -фенилаланин вызывает психич. заболевания в отличие от безвредного П. Оптич. активностью обладают белки, нуклеиновые К-ты ДНК и РНК, хлорофилл, гемогоюбин и т. д. Поэтому проблемы изучения О. а. в. играют огромную роль в биофизике, биохимии, медицине и фармакологии. [c.444]

ХИРАЛЬНАЯ СИММЕТРИЯ МОЛЕКУЛ (киральная симметрия молекул) — симметрия молекул, при к-рой их атомы могут располагаться двумя зеркально симметричными способами относительно кирального атома —асимметричного центра (обычно атома С). X. с. м. приводит к оптич. изомерии молекул. [c.413]

На рис. 2.21 показаны схемы трубок, образующихся в результате свертывания полос атомных сеток графита (графенов) в бес-щовные цилиндры. Важная структурная характеристика нанотрубок — хиральность, определяемая взаимной ориентацией гексагональной графитовой сетки по отнощению к продольной оси нанотрубки. Для однослойных трубок различают три возможных варианта свертывания [c.40]

Рис. 2.21. Схемы свертывания однослойной наиотрубки типа гофр (А), зиг-заг (2) и хиральной трубки (Н) [18]

Мнотообразные взаимосвязи между особенностями структуры и электронным строением выявлены для углеродных и других трубчатых структур. В случае однослойных углеродных трубок результаты теоретических расчетов зонной структуры и экспериментальных исследований свидетельствуют о том, что зигзагообразные трубки обладают металлической проводимостью, а все спиралевидные (хиральные) трубки — полупроводники, причем ширина запрещенной зоны коррелирует с радиусом трубок (для узкощелевых полупроводников AEg для широкощелевых AEg Л )- [c.49]

Ом см до полупроводниковых порядка 10 Ом см. Следует отметить также, что расчеты зонной структуры продемонстрировали для углеродных нанотрубок со структурой типа зиг-заг и гофр наличие типичного металлического электронного спектра, а для хиральных трубок — зоны запрещенных энергий шириной около 0,5 эВ, зависящей от диаметра трубки. [c.69]

Слоистая форма карбонитрида бора (ВСН) выбрана для конструирования нанотубулярной структуры в [176]. Авторы полагали, что внутрислоевая зарядовая анизотропия, образующая плоские каналы сгущения и разряжения электронной плотности в сетках B N, при их свертке в цилиндрические структуры по хиральному типу сохранится и будет образовывать спиральные квазиодномер-ные мотивы. В результате в B N—НТ могут возникнуть круговые [c.25]

Расчеты показали, что нанотрубы малых диаметров сохраняют тип проводимости, присущий исходным монослоям B 2N. Для (л, т) НТ в зависимости от диаметра и хиральности возможна смена типа проводимости от металлического до полупроводникового. Предполагается, что наиболее устойчивым будут (и, и) НТ, атомная конфигурация которых обеспечивает возшжновение максимального числа наиболее прочных С—С- и В— N-связей. [c.26]

Деформация хиральных смектиков-С под действием механических сил или электрических полей сопровождается изменением точечной сим.четрии ЖК- Симметрия самого смектика-С описывается Группой оо2, Монодоменная текстура, образуемая при приложении электрического поля или сдвиговой механической деформации вдоль оси второго порядка, описывается точечной группой 2. Это явление должно приводить к пьезоэффекту, который в самом деле наблюдается в данных условиях. Кроме того, в ДОБЛМБЦ обнаружен пироэлектрический эффект, который так-же обусловлен типом симметрии хиральных смектиков. [c.104]

Основное преимущество линейного по полю электрооптическо- 0 эффекта в сегиетоэлектрических ЖК состоит в том, что характерное Время отклика x si [/(p-E) в отличие от квадратичного эффекта в неполярных ЖК, где т=1> /(Де 2) [90, 91]. В самом деле, динамическая вязкость ЖК Vi в обоих случаях примерно одинакова, а момент диэлектрических сил (р-Е) для линейного эффекта может более чем на порядок превышать типичные значения Де 2 для квадратичного эффекта [92]. Однако в неориентированных образцах хиральных смектиков быстрая раскрутка спирали в электрическом поле невозможна из-за наличия топологических дефектов. Скорость их перемещения под действием поля ограничивает прсмена переключения значениями, сравниваемыми с характерными временами квадратичных эффектов в ЖК- С другой стороны, если начальное состояние ориентации ЖК соответствует раскрученной спирали, т о под действием ноля происходит только переориентация директора за время, определяемое диэлектрическим моментом и вязкостью, Начальная раскрутка спирали мож( т быть достигнута с помощью поверхностей электродов на подложках при правильном выборе толщИНы ячейки, ориентации смектических слоев и граничных условий на подложках. [c.104]

Наличие антисимметричной компоненты Ф О, приводит к появлению нелокальной нелинейности, обеспечивающей направленную перекачку энергии между двумя взаимодействующими пучками (рис. 2.4). В данном случае необходимым условием возникновения нелокального отклика является хиральность кристалла, вследствие чего направление знергооб-мена связано с состоянием поляризации взаимодействующих пучков, а ие с ориентацией их относительно полярных осей [21]. Знак штисиммет-ричной компоненты тензора фотогальванического зффекта (0i3i)a при известном знаке компоненты электрооптического тензора ri 13 определяет, [c.49]

Механизм компенсадии в системе хиральных стержней в ахиральном растворителе можно исследовать, моделируя межмолекулярные силы. При этом очень интересно попытаться использовать континуальные мо дели, разработанные для расчета вандерваальсовых сил (или сил Лифшица), действующих между макроскопическими поляризующимися частицами, погруженными в диэлектрическую.среду. Мне и Т. Сеймалски [c.74]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...