Конфигурационная диаграмм

Рис. 2.7, Схема конфигурационной диаграммы реконструкции примесного центра замещения с образованием различных типов ОХ-центров 1—4, см. текст)

Более справедливо говорить о существовании в примесных системах набора состояний, когда, наряду с основным (глубоким), имеется ряд метастабильных (мелких) состояний, отличающихся зарядом и локальной координацией. Общую ситуацию можно проиллюстрировать с помощью схематической конфигурационной диаграммы рис. 2.7, представляющей вероятные варианты образования ВХ-центров примеси в зависимости от ее смещения из позиции замещения по обобщенной конфигурационной координате [61]. Видно, что вариант (1) соответствует нестабильному ОХ-центру. Варианты (2, 3) — метастабильному (2) и стабильному (5) ВХ-центрам, отделенным от основного состояния (позиция замещения) потенциальными барьерами. Случай (4) описывает ситуацию, когда основное состояние по отношению к ВХ-состоя-нию нестабильно. [c.47]

Рис. 2.8. Конфигурационная диаграмма реконструкции нейтральной (О ) и отрицательно заряженной (О ) донорной примеси в системе в — AiN 0. Указаны величины корреляционной энергии (и), энергии оптической ионизации (Е ,) Е , Е — энергетические барьеры захвата и эмиссии электрона, соответственно

Рис.8.9. Конфигурационная диаграмма адсорбционного медленного состояния, захватывающего электрон

Рис. 8.3.9. Конфигурационная диаграмма для зависимости энергии от расстояния [53]. и Еп—пороги оптического возбуждения в равновесии до и после рекомбинации Ьс и — энергии края зоны проводимости и валентной зоны У — энергия ловушки.

Суммирование проводится по всем различным диаграммам без обозначения индексов с Ъ связями. Это выражение дает решение проблемы разложения конфигурационного интеграла по степеням X. [c.224]

Таким образом, разложение в ряд свободной энергии (6.3.10) действительно намного проще, чем разложение (6.2.5) конфигурационного интеграла оно получается из последнего исключением всех приводимо связанных и всех несвязанных диаграмм и делением полученного выражения на N. В результате каждый член ряда становится не зависящим от N. Этот важный факт дает возможность убедиться в существовании свободной энергии в расчете на одну частицу при условии, чтл [c.228]

Коллективные эффекты в плазме I 246, II 46, 80 Кольцевые диаграммы равновесной плазмы I 249 Конфигурационная свободная энергия I 210 --— газа со слабым взаимодействием I 229 [c.392]

Рассмотрим сначала случай />1, соответствующий четному k и положению конфигурационной точки в первом или третьем квадрантах G-диаграммы. В этом случае [c.36]

Пример зависимости формирования DX-центров от некоторых из упомянутых условий — структуры кристалла, зарядового состояния примеси и внешнего гидростатического давления демонстрируют расчеты [63] примесей О, Si в вюртцитоподобной (в) и сфалеритоподобной (с) полиморфных модификациях A1N, GaN. Вычисления проведены в рамках теории функционала электронной плотности самосогласованным методом неэмпирического псевдопотенциала в моделях 32- и 72-атомных сверхячеек. На конфигурационной диаграмме (рис. 2.8) четко прослеживается образование глубокого DX-цент-ра при сдвиге атома кислорода в анионном состоянии (О ) вдоль направления [0001] в e-AlN. Корреляционная энергия DX-конфи-гураций, в соответствии с (2.1), рассчитывалась как U = Е + Е -- 2Е , где Е > — энергия образования дефекта в зарядовом состоянии q. Видно (см. табл. 2.4), что для О 1/ < 0 при значительном релаксационном смещении примеси, тогда как для нейтрального (и катионного) состояний дефектов дополнительные (метаста-бильные) минимумы Е > отсутствуют, и их наиболее устойчивой позицией является узел замещаемого элемента (азота). Любопытно, что для -A1N DX-состояний для примесного кислорода не возникает. Этот факт объясняют [63] различиями во взаимодействиях 0 с атомами матрицы, составляющими третью координационную сферу дефекта. В e-AlN третью сферу О" в направлении [0001] образуют атомы А1, рис. 2.9. Значительный релаксационный сдвиг 0 ( 0,9 А) уменьшает дистанцию О—А1 от 3,1 A (в нерелаксированной решетке) до -2,06 A, что лишь на -0,2 A больше равновесного состояния А1—О (1,89 А) в оксидах алюминия. Это указывает на причину формирования стабильного DX-центра в e-AlN как следствие образования сильной ковалентной связи А1—О. Наоборот, в -AlN ближайший атом А1 в [c.48]

При локализации двух электронов в одной потенциальной яме, помимо кулоновского отталкивания, имеет место эффект корреляции, связанный, в частности, с деформацией решетки в области локализации захватываемого электрона. Как известно, вызванная захватом электрона поляризация решетки ответственна за сдвиг Стокса в люминесценции на конфигурационной диаграмме (см. рис.8.9 в п.8.2.1) ему соответствует сдвиг обобшенной координаты 0. Другими словами, энергия корреляции (Ясог) это энергия нижнего состояния электронного газа за вычетом кинетической энергии электронов и энергии их обменных взаимодействий. Качественные оценки пока- [c.168]

ПОЛИКРИТЙЧЕСКАЯ ТОЧКА (мультнкритическая точка) — особая точка на диаграмме состояния фнз. системы, допускающей существование нескольких упорядоченных фаз. Разл. виды упорядочения в этих фазах (конфигурационное, ориентационное, магнитное, сверхпроводящее и др. см. Дальний и ближний порядок) характеризуются многокомпонентным параметром порядка (1 = 1,. .., я). Классификация П. т. [c.14]

Этим методом мы выявили все классы в каждом порядке. Нетрудно найти вклад индивидуального члена класса в конфигурационный интеграл. Сначала перенумеруем вершины произволь-ныьш числами, например, первыми числаьш натурального ряда в произвольном порядке. Затем диаграмме сопоставляем интеграл. Например, диаграмма Зс дает интеграл [c.219]

Следовательно, разные члены в Лгразложении конфигурационного интеграла Q ведут себя различным образом в термодинамическом пределе все они расходятся пропорционально числу N, взятому в степени, определяемой связанностью соответствующих диаграмм. Вследствие такой неоднородности в этом пределе нельзя приписать Q какой-либо смысл. [c.225]

В отличие от линейной аморфной структуры при сетчатой аморфной структуре сегменты молекул полимера имеют многосторонние жесткие связи — узлы. Чем чаще расположены узлы, тем меньше свобода конфигурационного деформирования сегментов молекул, заключенных между узлами. Если при этом сегменты имеют ограниченную способность к деформированию, что наблюдается, например, при растяжении, то пластмасса будет иметь такую же структурную диаграмму, как двухфазная. В этом случае приемлемы соотношения (18—27), полученные в предыдущем параграфе. При наличии наполнителя его роль сводится к экономии полимера. При сжатии сетчатая структура полимера обычно является менее жесткой, чем при растяжении. Примером пластмасс, основанных на полимерах сетчатой структуры, являются стружечные плиты. При сжатии они деформируются весьма сильно и в продолжение очень длительного времени, при растяжении же деформирование их имеет во времени более узкие пределы. На рис. 15 показаны кривые приращения деформаций в результате ползучести камышесечковой плиты (мочеви-ноформальдегидная смола 13%, рубленый камыш 80%, влага 7%) при сжатии и растяжении под воздействием одного и того же напряжения. Деформирование растянутого образца прекратилось полностью через 3 месяца, в то время как деформирование сжатого образца продолжалось по истечении даже 1,5-летнего срока (кривая ползучести сжатого образца на рис. 15 оборвана). Поскольку размельченный камыш не имеет сплошности по всему объему, здесь проявляются реологические свойства самого полимера. [c.55]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...