ДГС-лазеров с широким контакто

Сусаки и др. [144] устранили шунтирующее действие Р — М-перехода, добавив, как показано на рис. 7.7.9, дополнительный слой п-тнпа. Смещенный в обратном направлении Р — п-переход ликвидирует шунтирующий ток. В такой структуре температурная зависимость /пор между —40 и 100°С была практически идентична температурной зависимости обычного ДГС-лазера с широким контактом [144]. Пороговые токи в непрерывном режиме при комнатной температуре составляли для этой новой структуры 30—40 мА. Излучение в единственной продоль-ной и в основной поперечной модах наблюдалось до токов, в два раза превышающих пороговый [144]. [c.264]

ДГС-лазеров с широким контактом 224 [c.358]

Внутренний квантовый выход 197, 203 Внутренняя модуляция добротности в ОГС-лазерах 199, 200 Волновое уравнение 278 --решение для полоскового лазера 278—281 Волновой фронт излучения полоскового лазера 276 Вольт-амперные характеристики ДГС-лазеров с широким контактом 225—227 дифференциальные 257 [c.358]

Дальнее поле излучения ДГС-лазеров с широким контактом 205 [c.358]

В последнем из посвященных лазерам с широким контактом 5 рассматриваются свойства лазеров на структурах с четырех- и пятислойными волноводами, обсуждавшимися в 9 гл. 2. Они включают в себя лазеры с расширенным оптическим резонатором (РОР-лазеры), лазеры со структурой Ppn N и симметричные и асимметричные гетеролазеры с раздельным ограничением (ДГС-РО-лазеры). Они предназначены главным образом для применений, в которых нужна большая мощность излучения при сохранении низких порогов, свойственных ДГС-лазерам. [c.182]

В предыдущих главах подробно разбирались свойства ДГС-лазеров с широким контактом. Как было показано на рис. 1.4.2, 2.3.1 и 2.3.2, структура слоев ДГС может быть типа N — р Р или N — п — Р. В гл. 2 рассматривался волноводный эффект в асимметричных и симметричных ДГС и были приведены численные значения коэффициента оптического ограничения. В 3 гл. 4 были представлены диаграммы энергетических зон ДГС. Численные примеры для прямого смещения приведены на рис. 4.3.16 и 4.3.17. В 6 гл. 4 рассматривалось ограничение носителей в структуре GaAs — Alj Gai xAs. Было показано, что обычно носители хорошо удерживаются в активной области. В 5 гл. 6 были описаны методы многослойной ЖФЭ. Изготовление приборов обычно следует методике, описанной в 2 гл. 7. [c.202]

Рис. 7.4.18. Вольт-амперная характеристика ДГС-лазера с широким контактом на GaAs — Alo.sGao,tAs, Площадь сечеиия прибора 6-10 см .

Существует большое количество вопросов, относящихся к ДГС-лазерам на GaAs — ALGai j As с широким контактом, которые для сохранения разумной краткости здесь не рассматриваются. Эти вопросы включают, например, рассмотрение мощности, приходящейся на моду резонатора [77, 78], а также из-гибные и продольные колебания, встречающиеся при импульсной накачке [79]. Имеются модификации обычного ДГС-лазера, в которых введен дополнительный р — п-переход. При этом получается iV — jO — п — Р-структура с быстрым включением [80, 81]. Соответствующим образом сконструированный ДГС-лазер с широким контактом может служить модулятором интен- сивности [83] или фазовым модулятором [82]. Нужно заметить, что при удалении одного из зеркал ДГС-лазер становится супер-люминесцентным светоизлучающим диодом (СИД) с большей яркостью и меньшим углом расходимости, чем в других конфигурациях СИД [84]. [c.227]

В предыдущих главах были представлены разнообразные свойства ДГС-лазеров. В 4 настоящей главы приведены экспериментальные свойства, такие, как плотность порогового тока и излучательные характеристики. Получено хорошее согласие между плотностью порогового тока при комнатной температуре, вычисленной без использования подгоночных параметров, и экспериментальными значениями. (Расчет коэффициента усиления для GaAs был дан в гл. 3.) В этом параграфе будет дано краткое обсуждение причин возникновения каналов генерации в лазерах. Во всех лазерах с широким контактом стимулированное излучение возникает в локализованных областях с размерами порядка 10 мкм. Эти области называются каналами генерации. Они приводят к большим вариациям мощности оптического излучения по зеркальной грани лазерного диода. [c.182]

И 1,0 мкм возникает вследствие поглрщения на ионах ОН. Спектральная зависимость потерь лабораторного оптического волокна с низкой концентрацией ионов ОН показана на рис. 5.1.1. Излучение в области малых потерь на длине волны 0,85 мкм можно получить при 0,05 с<1 1/<< 0,1 и 0,3 л 0,4. На практике для применения в системах оптической связи используются полосковые ДГС-лазеры, а не лазеры с широким контактом. Тем не менее ДГС-лазеры с активной областью на А1уОа1 уАз будут кратко описаны здесь, так как добавление А1 в активную область влияет в большей степени на ограничение носителей на гетеропереходах, чем на ограничение в боковом направлении. [c.221]

На рис. 7.4.17, а показано ближнее поле излучения ДГС-лазера на GaAs — ALGai j As с широким контактом, на рис. 7.4.17,6 — изменение интенсивности излучения, измеренное при развертке одной строки в видиконе с кремниевой мишенью. Отдельные локализованные области стимулированного излучения называют каналами генерации. Визуальное наблюдение воз-йикновения каналов в инфракрасном микроскопе является удобным методом определения порога в лазерах с широким контактом. При увеличении тока число каналов генерации увеличивается. По всей вероятности, каждый канал имеет свой собственный порог генерации. Лазеры с высокой дифференциальной эффективностью имеют наиболее однородное ближнее поле. В 2 гл. 8 обсуждается влияние однородности ближнего поля [c.224]

Хотя любому из представленных в 3—5 лазеров с широким контактом может быть придана полосковая геометрия, работа по созданию полосковых структур в основном была сосредоточена на ДГС-лазерах. В этом параграфе продолжается описа-, ние процессов изготовления лазеров, начатое в 2 настояш,ей главы. Здесь будут описаны методы изготовления полосковых лазеров на GaAs — ALGai tAs и различные виды полосковых [c.239]

Многие излучательные свойства полосковых лазеров идентичны свойствам лазеров с широким контактом, описанным ранее. В силу того что площадь сечения полосковых лазеров меньше, чем у лазеров с широким контактом, получаемые значения выходной мощности здесь меньше. Для лазеров с шириной полоски 15 мкм и длиной резонатора 250 мкм с одного зеркала обычно получают 20—30 мВт световой мощности в непрерывном режиме при типичном значении рабочего тока 200 мА [149]. На таких лазерах были получены значения выходной мощности вплоть до 85 мВт при 310 мА, прежде чем происходило катастрофическое разрушение зеркала [149]. Сообщалось о лазерах мезаполосковой геометрии с шириной полоски 80 мкм и длиной резонатора 300 мкм, в которых была достигнута мощность 390 мВт [119]. На рис. 7.11.1 показана картина-дальнего поля излучения полоскового ДГС-лазера. Для случая, показанного на этом рисунке, толщина активной области и ширина полоски достаточно малы, чтобы обеспечить излучение в основной моде в параллельном и перпендикулярном плоскости р — п-перехода направлениях. Типичные значения полного угла расходимости пучка, взятого по точкам половинной интенсивности (угловой полуширины), равны 45° в направлении, перпендикулярном плоскости р — л-перехода, и 9° в направлении вдоль плоскости р — п-перехода. [c.288]

Условия возникновения мод высокого порядка здесь те же самые, что и в лазерах с широким контактом, которые обсуждались в гл. 2 и 4 этой главы [см. (7.4.2)]. Картины дальнего поля излучения ДГС-лазера на GaAs — Alo,4зОао,57Аз при т = [c.289]

В этой главе были описаны методы изготовления и рабочие характеристики лазеров с широким контактом и полосковых ДГС-лазеров на GaAs (или Al Gai- As) — Al Gaj- As. При описании методов изготовления было показано, как из гетероэпитаксиальных пластин, методам выращивания которых была по- [c.308]

Деление этого выражения на заряд электрона q дает число фотонов, испускаемых с двух торцевых граней кристалла. Коэффициент 2 в выражении (3.8.26) учитывает излучение с обеих граней. На рис. 3.8.10 для GaAs—Al,Ga, As ДГС-лазера построена зависимость выходного тока Id от тока через диод II. Этот лазер с широким контактом с выпиленными боковыми сторонами имел ширину 130, длину 360 мкм и толщину активного слоя 0,1 мкм. В рассматриваемом примере лазер не укреплялся на теплоотводе. Накачка велась импульсами длительностью 0,1 МКС с малой частотой повторения, что предотвращало нагревание лазера. [c.207]

На рис, 7.4.16 показано семейство продольных мод. Обычно наблюдается ТЕ-поляризация. Как правило, модовый состав излучения ДГС-ла ера с широким контактом при / >/пор предполагает существование нескольких семейств мод, что, по-видимому, является результатом возникновения каналов генерации, описываемых ниже. С увеличением тока все больше каналов достигает порога и минимумы между дискретными линиями заполняются. Межмодовое расстояние определяется выражением (3.8.11). Огибающая спектра лазера лежит на несколько миллиэлектрон-вольт ниже запрещенной зоны чистого GaAs и имеет почти ту же температурную зависимость, что и ширина запре- [c.223]

На рис. 2.7.4 была показана зависимость относительной интенсивности в дальнем поле от угла для ДГС-лазера на GaAs — А1лОа1 лгА8 с широким контактом [51]. На рис. 2.7.5 [c.288]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...