ДГС-лазеров с широким контакто характеристик

Внутренний квантовый выход 197, 203 Внутренняя модуляция добротности в ОГС-лазерах 199, 200 Волновое уравнение 278 --решение для полоскового лазера 278—281 Волновой фронт излучения полоскового лазера 276 Вольт-амперные характеристики ДГС-лазеров с широким контактом 225—227 дифференциальные 257 [c.358]

В предыдущих главах были представлены основы теории,, описывающей лазеры на гетероструктурах, и методы эпитаксиального выращивания. Были рассмотрены только те структуры, в которых существует ограничение для носителей -и излучения в лаправлении, перпендикулярном р — л-переходу. Они называются лазерами с широким контактом. Больше всего используются такие полупроводниковые лазеры, в которых ток ограничивается также и в плоскости р — -перехода (боковое ограничение). Они называются лазерами полосковой геометрии. В этой главе будут изложены и обсуждены методы изготовления и рабочие характеристики лазеров как с широким контактом, так и полосковой геометрии. [c.181]

В предыдущих главах были представлены разнообразные свойства ДГС-лазеров. В 4 настоящей главы приведены экспериментальные свойства, такие, как плотность порогового тока и излучательные характеристики. Получено хорошее согласие между плотностью порогового тока при комнатной температуре, вычисленной без использования подгоночных параметров, и экспериментальными значениями. (Расчет коэффициента усиления для GaAs был дан в гл. 3.) В этом параграфе будет дано краткое обсуждение причин возникновения каналов генерации в лазерах. Во всех лазерах с широким контактом стимулированное излучение возникает в локализованных областях с размерами порядка 10 мкм. Эти области называются каналами генерации. Они приводят к большим вариациям мощности оптического излучения по зеркальной грани лазерного диода. [c.182]

Рис. 7.4.18. Вольт-амперная характеристика ДГС-лазера с широким контактом на GaAs — Alo.sGao,tAs, Площадь сечеиия прибора 6-10 см .

В этой главе были описаны методы изготовления и рабочие характеристики лазеров с широким контактом и полосковых ДГС-лазеров на GaAs (или Al Gai- As) — Al Gaj- As. При описании методов изготовления было показано, как из гетероэпитаксиальных пластин, методам выращивания которых была по- [c.308]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...