ДГС-лазеров с широким контакто однородность

На рис. 7.4.17, а показано ближнее поле излучения ДГС-лазера на GaAs — ALGai j As с широким контактом, на рис. 7.4.17,6 — изменение интенсивности излучения, измеренное при развертке одной строки в видиконе с кремниевой мишенью. Отдельные локализованные области стимулированного излучения называют каналами генерации. Визуальное наблюдение воз-йикновения каналов в инфракрасном микроскопе является удобным методом определения порога в лазерах с широким контактом. При увеличении тока число каналов генерации увеличивается. По всей вероятности, каждый канал имеет свой собственный порог генерации. Лазеры с высокой дифференциальной эффективностью имеют наиболее однородное ближнее поле. В 2 гл. 8 обсуждается влияние однородности ближнего поля [c.224]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...