ДГС-лазеров с широким контактом полосковых лазеров

В большей части лазеров полосковой геометрии растекание тока и боковая диффузия носителей приводят к увеличению пороговой плотности тока по сравнению с лазерами с широким контактом. Эти эффекты рассматриваются в 7 настоящей главы В нем выведены выражения, описывающие распределение [c.182]

В лазерах с широким контактом протекание тока имеет одномерный характер, поэтому плотность тока в активной области равна внешнему току, деленному на площадь сечення лазера. В структурах типа лазера с полосковым контактом ток через р-и/или Р-слой обусловлен дрейфом основных носителей. Как показано на рис. 7.7.1, при этом происходит растекание носителей в боковых направлениях. Из-за растекания ток в активной области течет по площади, большей, чем площадь полоскового контакта. В активной области существует обусловленный рекомбинацией диффузионный ток неосновных носителей в боковых направлениях, который также дает вклад в уширение простран- [c.250]

Внутренний квантовый выход 197, 203 Внутренняя модуляция добротности в ОГС-лазерах 199, 200 Волновое уравнение 278 --решение для полоскового лазера 278—281 Волновой фронт излучения полоскового лазера 276 Вольт-амперные характеристики ДГС-лазеров с широким контактом 225—227 дифференциальные 257 [c.358]

Температура плавления бинарных соединений А В 97 Тепловое сопротивление лазеров с широким контактом 269 определение 264 полосковых лазеров 267 [c.361]

В предыдущих главах были представлены основы теории,, описывающей лазеры на гетероструктурах, и методы эпитаксиального выращивания. Были рассмотрены только те структуры, в которых существует ограничение для носителей -и излучения в лаправлении, перпендикулярном р — л-переходу. Они называются лазерами с широким контактом. Больше всего используются такие полупроводниковые лазеры, в которых ток ограничивается также и в плоскости р — -перехода (боковое ограничение). Они называются лазерами полосковой геометрии. В этой главе будут изложены и обсуждены методы изготовления и рабочие характеристики лазеров как с широким контактом, так и полосковой геометрии. [c.181]

И 1,0 мкм возникает вследствие поглрщения на ионах ОН. Спектральная зависимость потерь лабораторного оптического волокна с низкой концентрацией ионов ОН показана на рис. 5.1.1. Излучение в области малых потерь на длине волны 0,85 мкм можно получить при 0,05 с<1 1/<< 0,1 и 0,3 л 0,4. На практике для применения в системах оптической связи используются полосковые ДГС-лазеры, а не лазеры с широким контактом. Тем не менее ДГС-лазеры с активной областью на А1уОа1 уАз будут кратко описаны здесь, так как добавление А1 в активную область влияет в большей степени на ограничение носителей на гетеропереходах, чем на ограничение в боковом направлении. [c.221]

Хотя любому из представленных в 3—5 лазеров с широким контактом может быть придана полосковая геометрия, работа по созданию полосковых структур в основном была сосредоточена на ДГС-лазерах. В этом параграфе продолжается описа-, ние процессов изготовления лазеров, начатое в 2 настояш,ей главы. Здесь будут описаны методы изготовления полосковых лазеров на GaAs — ALGai tAs и различные виды полосковых [c.239]

Многие излучательные свойства полосковых лазеров идентичны свойствам лазеров с широким контактом, описанным ранее. В силу того что площадь сечения полосковых лазеров меньше, чем у лазеров с широким контактом, получаемые значения выходной мощности здесь меньше. Для лазеров с шириной полоски 15 мкм и длиной резонатора 250 мкм с одного зеркала обычно получают 20—30 мВт световой мощности в непрерывном режиме при типичном значении рабочего тока 200 мА [149]. На таких лазерах были получены значения выходной мощности вплоть до 85 мВт при 310 мА, прежде чем происходило катастрофическое разрушение зеркала [149]. Сообщалось о лазерах мезаполосковой геометрии с шириной полоски 80 мкм и длиной резонатора 300 мкм, в которых была достигнута мощность 390 мВт [119]. На рис. 7.11.1 показана картина-дальнего поля излучения полоскового ДГС-лазера. Для случая, показанного на этом рисунке, толщина активной области и ширина полоски достаточно малы, чтобы обеспечить излучение в основной моде в параллельном и перпендикулярном плоскости р — п-перехода направлениях. Типичные значения полного угла расходимости пучка, взятого по точкам половинной интенсивности (угловой полуширины), равны 45° в направлении, перпендикулярном плоскости р — л-перехода, и 9° в направлении вдоль плоскости р — п-перехода. [c.288]

Шумы являются основным свойством любого источника сигнала. Первые исследования шумов в гомолазерах с широким контактом были проделаны Армстронгом и Смитом [187—189], а в полосковых гомолазерах — Паоли и Риппером [190]. Было найдено, что основным источником флуктуаций выходной мощности в непрерывном режиме является квантовый дробовой шум [190]. Источником дробового шума лазера являются беспорядочные спонтанные или вынужденные переходы. Общее теоретическое описание квантовых флуктуаций в лазерах было дано Мак-Камбером [191]. Его расчеты предсказывали появление максимумов в спектре шумов на релаксационных (пичко-вых) частотах (резонансах), обсуждавшихся в предыдущей части этого параграфа. Подробные расчеты Хауга [192] для полупроводникового лазера показали, -что и здесь получается такая же общая форма спектра шумов. [c.298]

В этой главе были описаны методы изготовления и рабочие характеристики лазеров с широким контактом и полосковых ДГС-лазеров на GaAs (или Al Gai- As) — Al Gaj- As. При описании методов изготовления было показано, как из гетероэпитаксиальных пластин, методам выращивания которых была по- [c.308]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...