Ван Флека модель

Ван Флека модель 346, 349 Вектор-потенциал 157, 189 Видемана — Франца закон 428 Вина закон излучения 141 Вириал 48 [c.443]

Соотпсшения, выражают,по влияние взаимодействия магнитных ионов на восприимчивость, былз впервые получены Лоренцем и Онзагером. Расчеты последних основывались на классических моделях соответствующие формулы ужо обсуждались в и. 7. Можно использовать разложение в ряд Ван-Флека с прибавлением к энергии ионов члена - E jui [c.467]

Величина диполь-дипольного взаимодействия парамагн. ядер изменяется в зависимости от ориентации магн. поля На относительно кристаллографич. осей. Изучение этой анизотропии даёт возможность определить взаимную ориентацию спинов ядер, расстояния между ядрами, характер и симметрию ближайшего окружения парамагн. центра, а также исследовать структурные дефекты кристаллов. При взаимодействии большого числа парамагн. ядер анализ сложных спектров ЯМР осуществляют с помощью т. н. второго момента спектральной линии, к-рый при взаимодействии одинаковых ядер описывается ф-лой Ван Флека [1, 2]. Второй момент определяется среднеквадратичной величиной локальных магн. полей, созданных на ядре всеми др. ядерными диполями. Каждая структурная модель характеризуется определ. значениями величины второго л омента, что успешно применяется при анализе структуры стеклообразных полупроводников. Существуют программы Для расчёта на ЭВМ вторых моментов линий ЯМР по структурным моделям для монокристаллов произвольной сингонии [9 ]. [c.678]

Структурные исследования. Для нахождения положений внедренных атомов изучаемого изотопа в металлах и их сплавах задаются струк-, турной моделью двух встроенных друг в Друга подрешеток, одна из которых состоит из атомов металла, другая — из атома примеси. Таких моделей может быть несколько И для каждой из них методом Ван-Флека рассчитывают теоретически второй момент резонансной линии (Дv J, p). Экспериментально второй момент линии (AVз J(.p) определяют по спектру ЯМР, предполагая, что в выбранном температурном интервале подрё-шетку из внедренных атомов можно считать жесткой. Отличие между и ДУдксп не [c.178]

Летохов [7.3, 7.4] предложил так называемую флуктуацион-ную модель, позволившую количественно описать механизм синхронизации мод в твердотельных лазерах. Основой модели является предположение о том, что в результате нелинейного воздействия поглотителя из большого числа флуктуационных выбросов интенсивности, существующих в резонаторе к началу процесса усиления, выделяется и усиливается самый большой выброс, тогда как остальные подавляются. Аналогичные предположения были независимо сделаны Флеком [7.5], который моделировал процесс усиления в твердотельном лазере при помощи компьютера. Эта модель получила дальнейшее развитие в ряде работ [7.6—7.13, 7.40—7.44]. Следующее ниже, в разд. 7.2, теоретическое описание процесса синхронизации мод в твердотельном лазере главным образом основывается на работах [7.12, 7.13]. [c.228]

Метан, СН4 и D4 О- Обычно предполагают, что четыре атома водорода молекулы Hi образуют правильный тетраэдр, в центре которого находится атом углерода. Такое предположение основывается на элементарных соображениях теории валентности (см., например, Ван Флек [884]). Оно подтверждается очень точно путем исследования структуры инфракрасных и комбинационных спектров. В разделе 3 гл. I мы видели, что СН, не имеет вращательного комбинационного спектра (в отличие, например, от NH3). Этот результат совместим только с тетраэдрической моделью, так как вращательный комбинационный спектр отсутствует только у молекул с кубической симметрией, а единственным способом ее осуществления является именно тетраэдрическая модель (см. стр. 55). [c.330]

Рассмотреть антиферромагнитиый кристалл, каждый атом которого имеет спин S. В отличие от гейзенберговского ферромагнетика обменное взаимодействие соседних спинов, равное 2 J Sj-Si, способствует их антипараллельной ориентации. Пусть кристалл имеет такую структуру, что его решетку можно разделить на две взаимопроникающие подрешетки (подобно рщеальному сплаву типа АВ). При этом спины, принадлежащие одной подрешетке, имеют тенденцию к параллельной ориентации, а принадлежащие к разным подрешеткам — к антипараллельной (модель антиферромагнетика Ван Флека). В рамках приближения молекулярного поля вычислить парамагнитную восприимчивость X при температурах выше Тс- Использовать предположение о том, что молекулярное поле равно — q2 Ia —для подрешетки а и — qi Ia для подрешетки Ь. [c.346]

Найти магнитную восприимчивость модели Ван Флека (см. задачи 3 и 13) при температурах Т С Гд. Снова воспользоваться приближением молекулярного поля. (Намагниченности подрешеток ниже температуры Нееля равны по величине, но противоположны по направлению Ма = — Мъ = М. ) Обратить внимание на различие между случаями, когда внешнее поле Ж перпендикулярно и параллельно Д , чему соответствуют поперечная (%J ) и продольная (хц) восприимчивости. [c.349]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...