Термы одиночные

Отсюда видно, что ПЭ зависит от электрического поля так же, как ТЭ зависит от температуры ln(j/S2) = = f(l/ ё) (рис. 25.47). При высоких температурах плотность тока ПЭ возрастает с Т, особенно сильно в области малых (но уже вызывающих ПЭ) электрических полей. Распределение по энергиям электронов, эмитируемых из металла, при ПЭ при низких температурах эмиттера начинается от энергии, соответствующей уровню Ферми в металле (принимаемому за нуль), и простирается в область отрицательных энергий. Ширина распределения на половине высоты составляет около 0,5 эБ (рис. 25.48). При возрастании температуры энергетический спектр эмитируемых электронов расширяется в сторону положительных энергий. ПЭ полупроводников обладает рядом особенностей, связанных с распределением электронов по энергиям в них, с проникновением внешнего электрического поля в полупроводник и с сильной термо- и фоточувствительностью полупроводников, оказывающей влияние на ток ПЭ (рис. 25.49) [28, 29]. Токи ПЭ с большой плотностью удается получать с эмиттеров, имеющих форму острия. Предельная плотность тока, еще не разрушающего острие, /кр возрастает с увеличением угла при вершине эмитирующего конуса, так как с увеличением этого угла улучшается отвод теплоты от острия (табл. 25.27, рис. 25.50). В очень сильных электрических полях, когда плотность тока ПЭ достигает 10 —10 А/см локальные участки катода, из которых происходит эмиссия, (острия) в результате сильного разогрева взрываются, образуя плотную плазму, расширяющуюся со скоростью t = 10 см/с. Этот процесс сопровождается возникновением интенсивной эмиссии (взрывная электронная эмиссия, рис. 25.51) [30]. Ток /, А, взрывной электронной эмиссии при взрыве одиночного острия [c.588]

Варьирование эффективной теплопроводности первичного преобразователя. Эффективная теплопроводность одиночного датчика теплового потока (рис. 3.8,а) целиком определяется теплопроводностью промежуточного термоэлектрода 1 и может варьироваться лишь в узких пределах, определяемых возможными материалами для этого термо-электрода (константана, копеля, платинородия), а также долей сечения отверстий 3 для перфорации. Изготовление [c.70]

Рассмотрим в отдельности случай 5 = 0 и 5=1. Первый из них характеризуется взаимной компенсацией спиновых моментов обоих электронов суммарный спиновый момент атома ( = 0. Этому состоянию соответствуют одиночные термы, для которых по (2) значения квантового числа J совпадают с L (см. левую половину схемы 3). Во втором случае суммарный спиновый момент отличен от нуля и характеризуется значением квантового числа 5=1. По формуле (2) каждому L (кроме 1 = 0) соответствует по три возможных значения J и, следовательно, возникновение триплетных термов. [c.69]

Из схемы 10 видно, что кроме обычных одиночных и триплетных термов (две верхние части схемы) возникает еще большое число термов, соответствующих одновременному возбуждению двух электронов (две нижние части схемы). В схеме не приведены более высокие возбужденные состояния (4d, 4f и т, д), но она легко может быть обобщена и на эти случаи. [c.175]

Внешне спектры инертных газов совершенно не похожи на спектры атомов с одиночными и триплетными термами. [c.254]

Однако ион меди, как сказано, может также находиться в состоянии 3d 4s, которому отвечают триплетный и одиночный термы и D. При прибавлении к иону меди, находящемуся в этом состоянии, еще одного электрона возникают квартетные и новые дублетные термы, которые могут комбинировать с обычными дублетными термами меди [4б-50] Таким образом, простая аналогия спектра меди со спектрами щелочных металлов нарушается. Из этих новых термов меди наиболее глубоко расположен дублетный терм [c.279]

Для всех одиночных термов g l, что соответствует их нормальному типу расщепления. [c.339]

Одиночный терм iSq не расщепляется. [c.547]

К диэлектрическим покрытиям для МДП предъявляются следующие требования толщина одиночного слоя 0.04—0.06 мм, суммарная толщина до 0.12 —0.25 мм согласование по КТР с металлом, обеспечивающее минимальное коробление МДП (менее 1 мкм/мм), которое особенно резко проявляется при одностороннем нанесении покрытия адгезионная и когезионная прочность 20 МПа, обеспечивающая устойчивость к вибрационным и ударным нагрузкам (одиночным до ЮОО , 0.2—0.5 мс, многократным до 150 °, 1—5 мс) способность выдерживать изгибы радиусом 35—50 см контактная совместимость с элементами ГИС при многократном вжигании и эксплуатации (исключение термо- и электропереноса компонентов, приводящего к деградации схемы сохранение геометрии схемы, для чего эффективная вязкость покрытия при температуре вжигания должна находиться в интервале 10 —10 П) высокие электроизоляционные параметры в интервале от —60 до - -150 (удельное объемное сопротивление [c.141]

Последовательное соединение нескольких термопар (рис. 92, а) обеспечивает получение значительной термо-э. д. с. при малых перепадах температур рабочих (tl) и свободных ( о) спаев. Число одиночных термопар п можно определить исходя из верхнего предела измерения прибора чувствительности термопары [c.162]

Измерение коэффициента теплопроводности в стационарном режиме. По методу определения % в стационарном режиме кроме тепломеров используются одиночные термопары для измерения температуры или перепада температур, в частности медь-константановые высокой стабильностью и воспроизводимостью в диапазоне 170... 375 К. Градуировка их производится до закладки в теп-ломассомеры и в готовом устройстве по реперным точкам и в термостатах. Поскольку абсолютные отклонения термо-э. д. с. от табличных величин не превышали 0,05 мВ, таблицу из [14] можно использовать в качестве рабочей. [c.124]

Таким образом, разбор серий, возникающих при переходах между три-плетными термами, показывает, что только для главной и 2-й побочной серий внешний вид линий оправдывает название триплетного спектра" линии остальных серий образуют более сложные группы из 6 линий. Что касается ОДИНОЧНЫХ термов, то они дают серии, состоящие из одиночных линий, характер которых был достаточно выяснен в 1. [c.71]

Простейшей атомной системой с двумя валентными электронами является нейтральный атом гелия. Как мы видели, его термы распадаются на две группы одиночные и триплетные. Нормальным состоянием нейтрального атома гелия является одиночное состояние IsIs Sq второе формально возможное состояние Isls Sj не осуществляется, так как оно противоречит принципу Паули. При возбуждении атома или иона с двумя валентными электронами наиболее часто возникают состояния, при которых лишь один из двух электронов переведен на энергетически более высокий уровень, второй же остается на нормальном уровне Is. Схема 5 дает такие возможные состояния атома гелия и соответствующие им термы. Цифры в первых трех графах указывают число электронов, находящихся в данном состоянии. [c.160]

У всех этих элементов наблюдаются интеркомбинационные переходы между одиночными и триплетными уровнями, причем чем тяжелее элемент, тем более вероятны эти интеркомбинационные переходы. На рис. 83 приведены схема уровней и возникновение основных линий в спектре Са I. Схема уровней ртути была приведена в 14 (см. рис. 43). На рис. 84 дано расположение термов Bel, Mgl, Zn I, d I и Hg-1 (без учета триплетного расщепления) в сравненни с термами водорода. [c.167]

Наряду с комбинированием смещенных одиночных термов с обычными одиночными и смещенных триплетных — с обычными три-плетными, у щелочноземельных элементов встречаются и интеркомбинации между смещенными триплетными и обычными одиночными термами. [c.176]

В нейтральном атоме бериллия четвертый электрон может располагаться, как и третий, в одном из двухквантовых состояний, так как по принципу Паули в двухквантовом состоянии могут располагаться до 8 электронов. Эти два двухквантовых электрона определяют квантовые числа результирующего состояния S. L и J, а следовательно, и характер спектра бериллия, так как два внутренних электрона бериллия образуют замкнутую оболочку. Мы видели, что спектр Bel состоит из одиночных и. триплетных серий с нормальным термом Отсюда можно заключить, что нормально четвертый электрон, как и третий, представляет собой электрон 2s. Графики Мозелея для изоэлектронного ряда Bel, В II, С III,. .. непосредственно подтверждают значение главного квантового числа п 2 для наиболее внешних электронов этого ряда. [c.230]

Прибавление одного Зр-электрона ведет также к появлению одиночных, три-плетных и квинтетных термов по схеме [c.250]

Интенсивности интеркомбинационных линий, возникающих при переходах между одиночными и триплетными термами, велики. На снимке IV приведена фотография спектра Nel в видимой области. [c.254]

Исходя из этих спектров, можно разобрать схему термов ионов S II, YII и La II, Очевидно, прибавление к иону, находящемуся в состоянии D, одного электрона ns ведет к возникновению состояний и Так же определяются состояния, отвечающие электронным конфигурациям dp и dd в последнем случае надо иметь в виду, что если оба квантовых числа одинаковы, то мы имеем дело с двумя эквивалентными d-электронами. Кроме того, у S П, У II и La II может оказаться возбужденным и второй электрон, что ведет также к набору одиночных и триплетных термов, соответствующих конфигурациям ss, sp и sd. Основные электронные конфигурации и термы Sell охватываются схемой 21. [c.264]

Четыре эквивалентных d-электрона соответствуют нормальной конфигурации иона VII. Им отвечают одиночные, триплетные и квинтетные термы S, D, Ю. Ф, F, S, D, F. >G, Ч, P. D, F, G, и D. из которых наиболее глубоко расположен терм D. [c.273]

Спектр La II, несмотря на то, что у него лишь два валентных электрона, весьма сложен, так как эти электроны образуют конфигурации 5d , 5d 6s, 4f 5d и т. д. Нормальным является терм 5d F электронной конфигурации 5d , кроме того, соответствует триплетный терм и одиночные термы S, и 0 все они расположены сравнительно невысоко по othq- [c.291]

Дважды ионизованный торий (Th III) имеет вне замкнутых оболочек два электрона, однако в возбужденных состояниях им соответствует сложлый набор одиночных и триплетных термов из-за наличия f-электрона. Наиболее глубокий терм Th III относится к электронной конфигурации 6d2. Это очень широкий триплетный терм. Конфигурации 6d2 соответствуют еще триплетный и одиночные термы Ю, Ю, S. Группы их перекрывают друг [c.305]

Рис. 186. Типы магнитных расщеплений интеркомбинаций между одиночными и триплетными термами.

Как видно, одиночный терм не расщепляется, а триплетный расщепляется причем терм с J=l— 1 дает обратное расположение подуровней по сравнению с их положением для термов с и J = L Расщепление три-плетных термов при ядерном моменте I приведено на рис. 308. Таким образом, по расщеплению термов легко определить а по нему так же, как в случае одного валентного электрона. [c.546]

Как видно, данные наблюдения и расчета достаточно хорошо согласуются. Роль специфического смещения проявляется весьма заметно на одиночных и триплетных уровнях, соответствующих электронной конфигурации Is яр. Для одиночного терма 1з2рФ значение АТэксп > специфический сдвиг ДТ в этом случае прибавляется к нормальному ДТ , и полное расчетное смеще- [c.562]

К наиболее простому случаю относится конфигурация d (d ) (см. рис. 1). Здесь имеются три одиночных терма Tj, Аз, Та и четыре пары взаимодействующих термов типа Ai, Е, Результаты расчетов, [c.15]

Смотреть страницы где упоминается термин Термы одиночные : [c.158] [c.161] [c.171] [c.178] [c.215] [c.215] [c.216] [c.254] [c.265] [c.269] [c.279] [c.281] [c.288] [c.292] [c.293] [c.293] [c.295] [c.546] [c.560] [c.561] [c.534]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...