Теллурид галлия

Системы III—VI. Данные по этой группе систем трудно обобщить. Теллуриды индия и галлия плавятся с небольшим изменением или вовсе без изменения удельного сопротивления и имеют отрицательные температурные коэффициенты удельного сопротивления в твердом и жидком состояниях их удельные сопротивления в жидком состоянии высоки. Так же ведут себя теллуриды и селениды таллия, удельное сопротивление которых в жидком состоянии лежит между 3-10 и 10 мком-см. Сульфиды в жидком состоянии имеют такое же или более высокое удельное сопротивление. Эти жидкости, сходные с некоторыми другими сульфидами, явно ведут себя в жидком состоянии как собственные полупроводники и вырождаются, как только со- [c.133]

Технические полупроводники могут быть разбиты на четыре группы 1) кристаллы с атомной решеткой (углерод-графит, кремний, германий) и с молекулярной решеткой (селен, теллур, сурьма, мышьяк, фосфор) 2) различные окислы меди, цинка, кадмия,титана, молибдена, вольфрама, никеля и др. 3) сульфиды (сернистые соединения), селениды (соединения с селеном), теллуриды (соединения с теллуром) свинца, меди, кадмия и др. 4) химические соединения некоторых элементов третьей группы периодической таблицы элементов (алюминий, галлий, индий) с элементами пятой группы (фосфор, сурьма, мышьяк) и некоторые соединения элементов пятой группы (сурьма) и второй группы (магний, цинк и др.). [c.282]

Методика измерений была тщательно отработана в различных условиях эксперимента [6—8]. Удовлетворительное согласие полученных данных при опробовании метода на Hg и 8п [6] позволяет считать метод вполне надежным. В последнее время на двух установках, работающих по принципу метода узкой перемычки , измерена теплопроводность, число Лоренца, температурный коэффициент электросопротивления Hg и системы ртутно-индиевых амальгам шести разных процентных составов в интервале температур (293—600° К), твердого и жидкого олова в интервале температур (293—1100° К), свинца высокой чистоты (293—1100° К), галлия (280—700° К), индия (293—900° К), теллура (293—1000° К), теллурида [c.148]

ТЕЛЛУРИДЫ ГАЛЛИЯ ОаТе (М = 197,32), [c.37]

Энергия диссоциации. Масс-спектрометрически найдены [100] следующие значения энергий диссоциации и атомизации газообразных теллуридов галлия [c.273]

В сплавах с большим содержанием теллуридов галлия и в эквимоляр-ном сплаве InSb — GaSb в области высоких температур W не зависит от температуры. Это, по-видимому, можно объяснить ограничением длины свободного пробега фононов вплоть до значений, близких к параметру решетки. При этом перенос тепла, как предположил А. Ф. Иоффе [5], осуществляется посредством обмена квантами энергии между соседними атомами. [c.104]

Кроме материалов, применяемых при создании фазовых модуляторов, в поляризац. ячейках используют Ва ЗЮ о, а в ИК-диапазоне — арсенид галлия (ОаАз) и теллурид кадмия (СйТе). В нек-рых случаях используются поляризац. ячейки с центросимметричными средами, напр. с жидкостями типа нитробензола. В таких веществах изменение показателя преломления пропори. квадрату электрич, поля Г — 2пВ1Е , где В — постоянная Керра. Полуволновые напряжения в таких ячейках составляют 12 -ь 45 кВ. [c.180]

На рис. 2 приведены фототермоионизац. спектры чистых образцов Ge и Si. Линии в спектрах относятся к техноло-гически неконтролируемым остаточным кол-вам примесей и примесных комплексов, В образце Ge (рис. 2, а) суммарная концентрация акцепторов jVa = 6-10 см , доноров Л д = 9 10 см -, темп-ра образца Г=6,5 К, разрешение 0,03 см . В образце Si (рис. 2,6) Л л=10 м 10 см , Т= 1 К, разрешение 0,25 см . Кроме анализа чистоты Ge и Si Ф. с, используется также для исследования локализованных состояний и анализа примесей в арсениде галлия, фосфиде индия, теллуриде кадмия, ПП алмазе и др. Чистые полупроводники AjB, содержат больше остаточных примесей, чем Ge и Si. Для устранения эффектов, связанных с перекрытием состояний близко расположенных атомов примеси, приводящих к сильному уширению и даже исчезновению линий в спектрах, исследуемые образцы помещают в маги, гголе, к-рое сжимает основное и возбуждённое состояния, увеличивает энергии связи электронов и снимает перекрытие состояний. [c.362]

Различают полупроводники элементарные и соединения. К элементарным относятся следующие элементы таблицы Менделеева углерод (алмаз), кремний, германий, олово, фосфор, мышьяк, сурьма, висмут, сера, селен, теллур, йод. Полупроводниковые соединения сульфиды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, сзинца селениды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца теллуриды цинка, германия, олова, кадмия, ртути, свинца арсенид и фосфит галлия карбид кремния и др. Имеются также аморфные (стеклообразные), органические и магнитные полупроводники, свойства которых пока недостаточно изучены. [c.335]

Соединения селена и теллура с индием, галлием, мышьяком, сурьмой и фосфором применяют в электронике для получения новых полупроводниковых материалов, работающих при более высоких температурах, чем кремний и германий [437]. Халькогениды (селениды и теллуриды) индия, являясь полупроводниками, могут применяться в качестве фотопроводников, термистеров и резистеров [438, 439]. Они служат для определения температуры и силы света в виде полупроводниковых радиодеталей применяются в различных радиосхемах [4 40]. [c.274]

Электросопротивление полупроводников обычно сильно зависит от температуры. К числу приборов и устройств, принципы работы которых основаны на свойствах полупроводников, относятся полупроводниковые триоды (транзисторы), многие типы выпрямителей, модуляторов, детекторов, термисторов и фотоэлементов. В этой главе мы рассмотрим главные физические свойства полупроводниковых кристаллов, в частности германия и кремния, Другихми важными кристаллами являются закись меди (СигО), селен (Se), теллурид свинца (РЬТе), сульфид свинца (PbS), карбид кремния (Si ), антимонид индия (InSb), арсенид галлия (GaAs) и графит (С). [c.380]

Другим путем повышения удельной мощности батарей является применение тонкопленочных поликристаллических ФП, позволяющих снизить удельную массу СБ на порядок и больше. Тонкопленочные ФП представляют собой основу из молибденовой или алюминиевой фольги толщиной 25 мк, на которую нанесена пленка фотоактивного полупроводникового материала толщиной 18 мк. Тонкая металлическая сетка, образованная методом напыления, является токоотводом от верхнего слоя. На нее сверху наложено защитное покрытие из пластика толщиной в несколько ангстрем. В качестве фотоактивного материала для тонкопленочных поликристаллов ФП применяются сульфиды, теллуриды и селениды кремния, арсенида и фосфориды галлия и другие материалы. [c.226]

Используются несколько типов фотопреобразователей (ФП) кремний монокристалли-ческий (22 долл. США/Вт КПД модуля - 15%), поликристаллический (5 12%), аморфный (8 5%), арсенид галлия (50 22%), теллурид кадмия (фосфид индия арсенид галлия - кремния диселенид меди - индия). Ведущими типами ФП сейчас являются монокристаллический (МК) и поликристаллический (ПК) кремний, объем выпуска которых около 70%. [c.11]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...