Диаграмма токов в диэлектрике

Диаграмма токов в диэлектрике 140 Диаметр расчетный 48, 49, 205] Диссектор 310 [c.320]

Рис. 2.26. Векторная диаграмма токов в диэлектрике с потерями (для схемы рис. 2.27)

Однако чаще всего рассматриваются диэлектрические потери не под постоянным, а под переменным напряжением. Величина потерь Р, Вт, в участке изоляции с емкостью С, Ф, при действующем значении приложенного к этому участку переменного синусоидального напряжения и. В, и частоте /, Гц (угловая частота оз = 2л/, рад/с) равна Рис, 1-26. Векторная (на основании диаграммы рис. 1-26 при /р = ЬшС) диаграмма токов в диэлектрике с потерями Р = и шС б (1-92) (для схемы рис. 1-27). [c.39]

Рис. 1-30. Векторная диаграмма токов в диэлектрике с потерями (более подробная, чем на рис. 1-26).

На рис. 2-2 дана векторная диаграмма токов в диэлектрике, соответствующая электрической схеме замещения конденсатора с диэлектриком, обладающим потерями. Конденсатор с потерями заменен идеальным конденсатором, шунтированным активным сопротивлением (параллельное включение емкости С и сопротивле- [c.14]

Рис. 1-6. Векторная диаграмма токов в диэлектрике.

Рис. 5. Векторная диаграмма токов в диэлектрике

Рис. 3-8. Полная диаграмма токов в диэлектрике с потерями.

В чисто емкостной цепи ток опережает напряжение по фазе на тс/2, поэтому в соответствии с векторной диаграммой тока в диэлектрике (рис. 3.34) полные потери составляют [c.269]

Рис.4. 3. Векторная диаграмма плотностей тока в диэлектрике

При приложении напряжения к диэлектрику без потерь, например к воздушному конденсатору, как показано на векторной диаграмме (рис. 12), угол сдвига фаз между емкостной составляющей тока 1с=и<лС и напряжением был бы 90°. В реальном диэлектрике имеются потери, обусловленные активной составляющей тока /а, совпадающие по фазе с напряжением. В результате суммарный ток в диэлектрике будет отклоняться от 90° на угол б. [c.27]

На практике, как правило, определяют не сами потери, а тангенс угла диэлектрических потерь. Эту величину вводят следующим образом. Построим векторную диаграмму токов для конденсатора, заполненного диэлектриком с потерями. Как известно, потери в электротехнике обычно описываются углом ф между векторами напряжения и тока (рис. 8.15). [c.303]

На основании этих соотношений может быть построена векторная диаграмма тока и напряжения в диэлектрике (рис. 4). [c.11]

Рис. 4. Векторные диаграммы тока и напряжения в диэлектрике, находящемся в переменном электрическом поле а — диэлектрик без потерь (6 = 0) ,б — реальный диэлектрик

Рис. 28. Векторная диаграмма напряжения и тока в реальном диэлектрике

Рис. 2-8. Векторная диаграмма токов и напряжения в диэлектрике.

Для общего случая, соответствую- пая диаграмма тощего векторной диаграмме рис. 2-2, в диэлектрике, мощность диэлектрических потерь может быть определена следующим образом Р = Iа +1я.а) и выражая суммарный активный ток через реактивный получим P = tg o (/с + /дс) I/ учитывая, что любой емкостный ток выражается уравнением 1с = ы.Си, где С соответствующая данному току емкость, преобразуем формулу мощности диэлектрических потерь следующим образом [c.21]

Рис. 3.34. Параллельная схема замещения (а) и векторная диаграмма токов (б) в диэлектрике с потерями

При приложении к структуре внешнего смещения V ее энергетическая диаграмма изменяется (рис. 10.3, в) высота потенциального барьера для электронов, выходящих из отрицательного электрода, сохраняется прежней (Фо), а для электронов, переходящих из положительного электрода, увеличивается на i/V и становится равной Фо + (/V. Вследствие этого плотность тока электронов, пересекающих диэлектрик и влетающих в отрицательно смещенный электрод, уменьшается до величины [c.275]

Картина прохождения тока через диэлектрическую пленку существенно меняется, когда один из контактов к ней является инжектирующим для электронов, другой—для дырок. Энергетическая диаграмма такой структуры изображена на рис. 10.8, а. В принципе ее можно изготовить, взяв для правого контакта металл с работой выхода меньшей, а для левого —большей, чем работы выхода из диэлектрика. Тогда правая приконтактная область будет обогащена электронами, левая — дырками. [c.281]

Ориентация диполей в электрическом поле происходит во времени, поэтому поляризация отстает от напряженности электрического поля. Это оказывает влияние на угол сдвига фаз между напряжением и током и соответственно на угол (б) в векторной диаграмме или его тангенс (численно равный отношению активной и реактивной составляющей тока). Так как активная составляющая характеризует тепловые потери, то тангенс угла диэлектрических потерь 1дб принят в качестве показателя диэлектрика. Чем tgб больше, тем при прочих равных условиях больше диэлектрические потери. Для работы при высоких частотах должны применяться материалы с малыми диэлектрическими потерями. [c.10]

При очень малых скоростях роста кристалла из расплава распределение примеси перестаёт зависеть от направления и скорости роста и приближается к равновесному значению, определяемому диаграммой состояния. Растущие кристаллы диэлектриков могут захватывать находящиеся в расплаве ионы разных знаков в разных кол-вах. В результате между растущим кристаллом и расплавом возникает разность потенциалов. При К. льда она достигает многих десятков В. Пропускание тока через границу проводящий кристалл — расплав ведёт к изменению скорости К. и кол-ва захваченной кристаллом примеси. [c.321]

На рис. 9-3 приведена векторная диаграмма плотностей токов в диэлектрике, построенная на основании формулы (9-17). На диаграмме показаны компоненты полного тока ток сквозной прово-смещения Уем = / иеоВпД, имеющий актив- [c.140]

В случае электронной электропроводности обмен носителями заряда между диэлектриком и электродами существенно облегчается. Однако и в этом случае плотность тока существенно зависит от особенностей электронной структуры контактирующей пары. Электронный контакт металла и диэлектрика может быть нейтральным (омическим), если работа выхода электрона из металла в диэлектрик равна работе выхода электрона из металла в вакуум (ф = Ф) блокирующим (запирающим), если ф>Ф, и инжек-ционным, если ф<Ф. На рис. 2.1 приведены сравнительные энергетические диаграммы контактов металл — вакуум (М—В) и металл— диэлектрик (М — Д). В случае диэлектрика показаны два варианта инжектирующий контакт, способствующий переходу электронов в зону проводимости диэлектрика (уровень дна этой зоны п), и инжектирующий контакт, способствующий переходу дырок в валентную зону диэлектрика (потолок этой зоны обозначен в). [c.46]

Обратные токи барьера Шоттки с учетом сил зеркального изображения. Применим полученные результаты к запирающему контакту металл — полупроводник (барьеру Шоттки). Энергетическая диаграмма такого контакта без учета сил зеркального изображения показана на рис. 10.5, а. Учет сил зеркального изображения вызывает округление барьера и уменьшение его высоты (рис. 10.5, б). При приложении обратного смещения ( минус к металлу) высота барьера понижается согласно (10.5) пропорционально YvJd, где d — толщина слоя диэлектрика. В рассматриваемом случае роль этого слоя играет приконтактная область полупроводника, обедненная [c.276]

Тангенс угла диэлектрических потерь. Наиболее часто величина диэлектрических потерь характеризуется тангенсом угла потерь tg6. Используется также представление о комплексной диэлектрической проницаемости, что является особенно удобным для описания зависимости диэлектрических потерь от частоты е (ш)=8 (ш)—t8"((o), tg6 = e"/e, где е = е е" — коэффициент потерь. Как известно, потери энергии в электротехнике обычно описываются углом ф. На йекторной круговой диаграмме — это угол между векторами напряжения и тока (рис. 3.4). Но при описании потерь диэлектриков эта характеристика неудобна, так как угол ф обычно мало отличается от л/2. Поэтому диэлектрические потери принято характеризовать углом б, дополняющим ф до л/2. Тангенс угла потерь численно равен отношению тока проводимости /а к току смещения /V. Так же как и е, tg6 является макроскопической характеристикой диэлектрика. Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от температуры, частоты электрического поля и других параметров является такой же важной характеристикой диэлектр,икО В, как и соответствующие зависимости диэлектрической проницаемости. Заметим, что введение tg6 в качестве характеристики потерь имеет физический смысл лишь в переменном синусоидальном электрическом поле. [c.74]

Это можно видеть на векторной диаграмме. Кроме емкостного тока /с, вектор которого оперел ает на 90° вектор напряжения 1/, в реальном диэлектрике имеется еще ток проводимости /г, находящийся в фазе с напряжением, и [c.85]

Положения энергетических уровней размерного квантования (границ подзон) в тонкой полуметаллической или полупроводниковой пленке определяют методом туннельной спектроскопии по зависимостям величины туннельного тока между квантовой пленкой и массивным металлическим электродом от приложенного напряжения Рис.1.12. а — энергетическая диаграмма системы см. рис. 1.12,Я. В качест- квантовая пленка (1), тонкий диэлектрик (2), ве туннельно-прозрач- массивный металл (3) б — зависимость второй ной диэлектрической производной туннельного тока от напряжения, по-прокладки между прово- ваемого на структуру [c.43]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...