ПОИСК Статьи Чертежи Таблицы счет нарушении закономерного роста кристалла при его образовании, что может быть вызвано многими причинами. Слабо связанные ноны при наличии достаточной тепловой подвижности могут перебрасываться на значительные расстояния электрическим полем, положительные—в сторону отрицательного электрода, отрицательные—в сторону положительного электрода. Особенностью этих ионов является то, что они не «уходят» далеко от первоначального своего местоположения, не становятся «свободными», т. е. ионами электропроводности, определяющими ток утечки. На некоторых расстояниях происходит закрепление слабо связанных ионов с образованием пространственных зарядов: положительных в зоне отрицательного электрода, отрицательных в зоне положительного электрода. Изменение этих зарядов во времени и обусловливает появление тока ионно-релаксационной поляризации, соответствующего вектору /д на векторной диаграмме рис. 2-2. Ионно-релаксацион-ная поляризация, являясь добавочной к основной, т. е. электронной поляризации, увеличивает емкостный ток в диэлектрике за счет увеличения его емкости, его диэлектрической проницаемости. Неупругий характер перемещения ионов при ионно-релаксационной поляризации связан с необратимым поглощением энергии, следовательно, с увеличением tgo, с увеличением мощности диэлектрических потерь. Интенсивность ионно-релаксационной поляризации зависит от частоты. Вследствие образования добавочных зарядов за счет переброса ионов, частиц со сравнительной большой массой, на довольно большие расстояния время установления ионнорелаксационной поляризации по сравнению с установлением поляризации упругого ионного смещения велико и различно для разных диэлектриков. Тем не менее, она наблюдается вплоть до сверхвысоких радиочастот. Зависимость диэлектрической проницаемости и tg o, обусловленных ионно-релаксационной поляризацией, от частоты в принципе объясняется так же, как и в случае дипольной поляризации. При малых частотах tgo оказывается небольшим из-за малого числа переформирований зарядов по направлению электрического поля; при достаточно больших частотах переформирование зарядов начинает отставать от изменений направления электрического поля. [Выходные данные]