Спектрометрия ионного рассеяния

Спектрометрия ионного рассеяния 2 122 [c.459]

Спектрометрия рассеянных ионов [c.162]

В качестве источника света в настоящее время используется исключительно ионный Аг+-лазер, работающий на наиболее сильной линии с длиной волны 488 нм. Ячейку с исследуемым веществом располагают внутри или вне резонатора лазера иногда выполняют ее в виде многоходовой кюветы. Предварительный монохроматор служит для отсечки рассеянного рэлеевского света и разделения порядков. Дифракционный спектрограф служит для регистрации спектра. Спектрометр, на котором получены колебательно-вращательные спектры КР с наивысшим разрешением ( 0,05 см ), построен в Дижоне [17]. Наивысшее разрешение удается получить при работе в сильных полосах. [c.157]

СИР — спектрометрия ионного рассеяния ИНС — ионно-нейтрализационная спектроскопия ИМАР — ионный микрозонд с анализом рентгеновских лучей ПИР — рентгеновское излучение, создаваемое протонами. Ионные пучки вызывают наибольшие изменения в поверхностном слое [1, с. 60—101] это — разрушающий метод контроля. [c.154]

Спектрометрия ионного рассеяния 154 Стандартные сетки 109 Статистическая реконструкция 73 Стереографические проекции 106 Стереологическая реконструкция распределение размеров частиц 81 формы частиц 85 [c.351]

На рис. 10.9 показаны некоторые методы, основанные на ионном облучении. Помимо МСВИ, это СИР — спектрометрия ионного рассеяния, ИНС — ионно-нейтрализационная спектроскопия, ИМАР — ионный микрозонд с анализом рентгеновских лучей и ПИР — рентгеновское излучение, создаваемое протонами. Ионные пучки вызывают набольшие изменения в поверхностном слое 110.4] это — разрушающий метод контроля. [c.122]

В магн. Э.п. с двумерным полем роль цилиндрич. линз играют поля рассеяния на краях магн. полюсов. При определ. угле падения пучка на призму эти поля образуют телескопич. систему (рис. 2). Э. п. широко применяются в бета-спектрометрах, масс-спект-ро.иетрах. В последних дисперсия ионов по массе осуществляется магн. Э.п., а электростатич. Э.п. применяют для дисперсии по энергии. [c.572]

В приборах, не оборудованных индикаторами масс, массовые линии определяют по формуле (1.5). Для этого измеряют напряженность магнитного поля, ускоряющее напряжение и радиус траектории ионов. Полагая, что радиз с отклонения ионов для каждого масс-спектрометра известен, а определить ускоряющее напряжение несложно, задача состоит в измерении напряженности магнитного поля. Определить точно величину напряженности поля в большинстве случаев невозможно, так как в межполюсном зазоре находится труба анализатора, а размещение измерительных датчиков на границах полюсных наконечников из-за полей рассеяния вносит некоторую неопределенность в задачу измерения напряженности поля. Для упрощения экспериментаторы обычно пользуются градуировочной кривой. Чтобы построить такую кривую, достаточно снять зависимость m=f P) при постоянном значении ускоряющего напряжения, где т — массовое число, а / — ток электромагнита. Так как, согласно выражению (1.5), масса иона пропорциональна квадрату напряженности магнитного поля, а напряженность магнитного поля электромагнита на линейном участке характеристики намагничивания пропорциональна [c.132]

Реже для исследования зернограничной сегрегации применяют метод спектроскопии обратного рассеяния ионов [31, 272]. В этом случае пучок ионов или с энергией 2 МэВ, полученный в ускорителе Ван де Граафа, ударяет в поверхность межзеренного излома. Часть ионов, проникших в приповерхностный слой, испытывает обратное рассеяние на атомах образца. При заданном угле рассеяния энергия рассеянных ионов связана с массой рассеивающих атомов чем больше масса, тем выше энергия. Приме> ение этого метода ограничено тем, что он позволяет с удовлетворительной чувствительностью определять сегрегацию только тех элементов, атомы которых тяжелее атомов матрицы. Кроме тогр, его разрешение по глубине (с 100 атомных слоев) значительнохуже чем у методов фотоэлектронной и Оже-спектроскопии. Однако метод спектроскопии обратного рассеяния ионов имеет и свои преимущества он прямо, без какого-либо пересчета и без использования эталонов, дает количественные результаты его чувствительность для тьжелых элементов (например, сурьмы в железе) даже выше, чем в случае Оже-спектроскопии большая глубина проникновения обладающих высокой энергией ( 2 МэВ) первичных ионов в поверхностный слой образца позволяет проводить прямой анализ зернограничной сегрегации на глубинах более нескольких первых атомных слоев без каких-либо опасений по поводу загрязнения анализируемой поверхности остаточными газами. Следовательно, проведение анализа этим методом не требует ни разрушения образца в камере спектрометра, ни поддержания сверхвысокого вакуума. Метод спектроскопии обратного рассеяния ионов с успехом применен в серии работ [31, 276], посвященных изучению зернограничной сегрегации сурьмы в марганцовистых сталях. [c.33]

Распределение хлора в окислах, выращенных в хлорсодержащих смесях, оказывает сильное влияние на физические свойства системы Si - Si02. Внедрение атомов хлора в слой Si02 исследовалось самыми различными аналитическими методами, такими, как обратное ядерное рассеяние ионов Не" [3.16, 3.17], вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС) [3.18 -3.20], Оже-спектроскопия [3.14, 3.21], рентгеновская флюоресценция [3.17, 3.22,3.23], электронный микроанализ [3.17] и обратное резерфордов-ское рассеяние а-частиц [3.24, 3.25]. На всех экспериментальных профилях распределения хлора в окисле, полученных различными методами, видно, что основная часть хлора скапливается вблизи границы раздела. Это иллюстрируется рис. 3.4, где показаны профили хлора в окислах, выращенных в 5 %-й среде H I/O2 при температурах 900, 1000 и 1100° С. Времена окисления выбирались таким образом, чтобы толщина слоя окисла всегда приблизительно равнялась 0,1 мкм. Из рис. 3.4 видно, что проникновение хлора в кремний не наблюдается, хотя следует иметь в виду, что разрешение по глубине в измерениях имело неопределенность порядка 5 нм. [c.83]

В обсуждение включено детальное сравнение четырех методик, имеющих наибольшее значение для проблем контроля полупроводников. Это электронная Оже-спектроскопия (ЭОС), обратное резерфордовское рассеяние (ОРР), вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС) и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС). [c.183]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...