Вторичная ионная масс-спектрометрия

Секционирование распылением Вторичная ионная масс-спектрометрия [c.17]

ВТОРИЧНАЯ ИОННАЯ МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЯ [6.4 - 6.71 [c.186]

Необходимо отметить также метод наведенного потенциала (индукции), когда при прохождении сгустка ионов (например, в масс-спектрометрии) вблизи металлического электрода на последнем возникает наведенный потенциал метод вторично-электронной эмиссии в котором используется вторично-эмиссионный усилитель (ВЭУ) с открытым входом электрометрический метод и др. Появились сообщения о разработке твердотельных детекторов —диэлектрических кристаллов, к которым приложена разность потенциалов, обеспечивающая перемещение зарядов счетчиков на основе р—п-переходов, р—г—л-пере-ходов, поверхностно-барьерных и др. Существенные преимущества твердотельных детекторов (конструктивные и эксплуатационные) делают их весьма перспективными, а совершенствование полупроводниковой технологии позволяет в будущем заменить ими детекторы традиционных типов. [c.238]

Масс-спектрометрия вторичных ионов служит мощным методом определения химического состава поверхностных слоев твердого тела. Ее преимуществами перед Оже-спектроскопией является высокая абсолютная чувствительность по многим элементам, хорошая элементная избирательность и высокое разрешение по массам. Этот метод можно использовать для анализа объемного материала и исследования профиля поверхности, для определения остаточных газов в ростовой камере, анализа состава материалов источников и для изучения десорбционных явлений на поверхности эпитаксиального слоя. [c.360]

Помимо вышеперечисленных электронно-зондовых методов (ЭОС и РСМА), для анализа состава материалов широко применяется такой ионно-зондовый метод, как вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС). Метод позволяет исследовать элементный и фазовый состав поверхности и приповерхностного слоя, а также некоторые процессы в поверхностных слоях твердых тел. ВИМС является, в частности, одним из наиболее распространенных методов анализа ионно-импланти-рованных поверхностей в целях определения профиля внедренной примеси по глубине образца. [c.157]

Распределение хлора в окислах, выращенных в хлорсодержащих смесях, оказывает сильное влияние на физические свойства системы Si - Si02. Внедрение атомов хлора в слой Si02 исследовалось самыми различными аналитическими методами, такими, как обратное ядерное рассеяние ионов Не" [3.16, 3.17], вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС) [3.18 -3.20], Оже-спектроскопия [3.14, 3.21], рентгеновская флюоресценция [3.17, 3.22,3.23], электронный микроанализ [3.17] и обратное резерфордов-ское рассеяние а-частиц [3.24, 3.25]. На всех экспериментальных профилях распределения хлора в окисле, полученных различными методами, видно, что основная часть хлора скапливается вблизи границы раздела. Это иллюстрируется рис. 3.4, где показаны профили хлора в окислах, выращенных в 5 %-й среде H I/O2 при температурах 900, 1000 и 1100° С. Времена окисления выбирались таким образом, чтобы толщина слоя окисла всегда приблизительно равнялась 0,1 мкм. Из рис. 3.4 видно, что проникновение хлора в кремний не наблюдается, хотя следует иметь в виду, что разрешение по глубине в измерениях имело неопределенность порядка 5 нм. [c.83]

В обсуждение включено детальное сравнение четырех методик, имеющих наибольшее значение для проблем контроля полупроводников. Это электронная Оже-спектроскопия (ЭОС), обратное резерфордовское рассеяние (ОРР), вторичная ионная масс-спектрометрия (ВИМС) и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФС). [c.183]

Дополнительное растворение W и С в кобальтовой связке, зафиксированное методом энерго-масс-спектрометрии вторичных ионов (данный метод сочетает возможности ВИМС и анализ энергораспределения вторичных ионов) и [юсредством рентгенографии. [c.176]

Изотопный анализ. Из.меряются отношения ионных токов, соответствующих ионам с одинаковым зарядом и хим. составом, но с разл. изотопным составом. Эта задача наиб, проста в случае одноатомных газов. Поэтому при анализе изотопного состава ряда элементов используются их газообразные соединения (Н — в виде Н , О — в виде 0 , С — в виде СО , и — в виде и т. д.). При этом приходится учитывать влияние т. н. изотопных эффектов (различия в скоростях испарения изотопных молекул, если вещество испаряют в ионном источнике различия в вероятностях эмиссии ионов, если применяют методы поверхностной ионизации, искрового разряда, вторичной ионной эмиссии, эвдссии под действием лазерного излучения и т. д.) на вероятности диссоциации молекул при ионизации. В случае молекул, содержащих разнородные атомы, необходимо учитывать вклад в интенсивность соответствующих пиков (масс-спектральных линий), обусловленных изотопами других элементов. Масс-спектрометры с высоким разрешением позволяют идентифицировать, например, компоненты таких мульгиплетов, как — ВН" " — Т+. Повышают точность метода относит, измерения, когда исследование образца с неизвестным изотопным составам чередуется с измерениями в тех же самых условиях стандартного образца близкого изотопного состава. [c.57]

Предполагается следующая схема ионной перезарядки. Часть положительных ионов, проходя в непосредственной близости около щели коллектора, захватывает по два электрона, эмиттируемых коллектором. Положительный однозарядный ион, захватив два электрона, становится отрицательным и под действием магнитного или электрического поля попадает на коллектор и регистрируется как отрицательный пик. Другие авторы, например Томсон [78], считают, что подобные отрицательные пики вызываются не отрицательными ионами, а вторичными электронами, возникающими вблизи коллектора подобно рассмотренной выще схеме. До сих пор затронутый вопрос не имеет исчерпывающих экспериментальных доказательств ни в пользу образования отрицате ть-ных ионов в результате возможной перезарядки положительных, ни в пользу явлений, связанных со вторичной электронной эмиссией. Возникающие иногда подобного рода искажения в виде дополнительных положительных или отрицательных пиков масс-спектрометри-сты называют духами или сателлитами. [c.88]

Изучение процессов столкновения заряженных частиц. Определение энергий ионизации, возбуждения и диссоциации молекул. Столкновения ионов и молекул изучают в обычных ионных источниках с электронной бомбардировкой. При повышении давления в ионизационной камере образуются вторичные ионы, напр. И , СП , Н3О+ и т. п. Исследуя условия возникновения этих ионов и их начальные энергии, получают данные о сродстве протона к молекулам Н.2, П2О, СП4 и т. д. При изучении соударения быстрых ионов с молекулами газа пучок первичных ионов данного сорта, полученный в масс-спектро-метре, направляют в область ионизации другого масс-спектрометра измеряется интенсивность пучков и энергия образовавшихся при понной бомбардировке заряженных частиц. [c.150]

Смещение на сетке лампы Л2 создается падением напряжения на части потенциометра Н т, сопротивлении 1б и сопротивлениях переключателя чувствительности. Сопротивление включенное непосредственно между сеткой и катодом лампы, служит утечкой. Потенциометр Нп и сопротивление / 1б создают постоянное смещение, определяющее рабочую точку лампы Л2. От изменения тока эмиссии катода масс-спектрометра меняется падение напряжения на сопротивлениях переключателя чувствительности, которое затем усиливается лампой Л2 и подается на управляющую сетку лампы Л . В цепь этой лампы включена вторичная обмотка управляющего трансформатора Трх, первичная обмотка которого включена последовательно с катодом ионного источника. Стабилизация тока эмиссии осуществляется следующим образом в случае увеличения тока эмиссии катода маос-опектрометра увеличивается падение напряжения а сопротивлениях переключателя и тем [c.193]

В методе масс-спектроскопии вторичных ионов МСВИ) для анализа поверхности самого кристалла она бомбардируется ионами Аг" , Ог , N2 или С5+ с энергией порядка нескольких кэВ. Эти первичные ионы проникают на несколько атомных слоев вглубь твердого тела, испытывая соударения с его атомами и атомами примесей. Часть возбужденных атомов и ионов покидает поверхность и детектируется масс-спектрометром. Выход вторичных ионов зависит как от природы и энергии возбуждающего пучка, так и от состава поверхности. Глубина выхода вторичных ионов колеблется обычно от 0,3 до 2 [c.147]

Для исследования особенностей роста в технологии МЛЭ используют соответствующие методы анализа. К этим методам относятся дифракция быстрых электронов, Оже-электронная спектроскопия (AES), масс-спектрометрия вторичных ионов (SIMS) и другие современные методы исследования. В настоящее время большинство исследовательских [c.359]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...