Процессы изотермического испарения и кристаллизации

Процессы изотермического испарения и кристаллизации [c.124]

Первые два этапа процесса изотермического испарения (пренебрегая кристаллизацией оксидов и солей железа, карбоната магния, карбонатов других металлов второй группы и гипса) на диаграмме не изображены. [c.208]

В качестве примера будет рассмотрен процесс изотермического испарения пробы системы ро. После испарения определенных количеств воды, когда система разделится на фазы li и Si, ее состав будет изображен точкой ри В дальнейшем из раствора будет кристаллизоваться соль ВХ, в поле кристаллизации которой находится фигуративная точка пробы. Когда раствор достигнет состава /з, з твердой фазе появится соль Y. Теперь фигуративная точка должна удаляться от полюсов ВХ и BY, но, так как точка I , лежит посередине линии ВХ — BY, процесс испарения может протекать только при неизменном составе раствора. Следовательно, проба высохнет при неизменном положении фигуративной точки раствора в h. Подобный процесс был рассмотрен в главе 5. [c.171]

Изотермическая диаграмма растворимости при образовании в системе инконгруэнтно растворимой двойной соли изображена на рис. 4-18. Для упрощения принимают, что двойная соль кристаллизуется в виде кристаллогидрата, поэтому ее состав будет характеризоваться точкой, расположенной не в бесконечности, а в конкретной точке D диаграммы. Линия растворения двойной соли пересекает линию насыщения соли С. Изотермическое испарение растворов зависит от положения фигуративной точки исходной системы. Если точка состава исходного раствора М лежит ниже линии растворения соли D, т. ё. исходный раствор богаче солью С, чем двойная соль, процесс испарения закончится в точке Е, характеризующей одновременную кристаллизацию соли С и двойной соли D. [c.98]

В системе может образоваться инконгруэнтный кристаллогидрат двойной соли. Если объем, а на проекции — поле кристаллизации соли Яч (рис. 5-12, г) не включает в себя полюс состава соли Hs — соль инконгруэнтна. В этом случае ход процессов и их изображение при изотермическом испарении будут отличаться от рассмотренных выше. [c.130]

Ниже будут описаны типовые случаи процессов изотермического испарения и их изображение на диаграмме. В связи с тем, что ранее было подробно рассмотрено изображение процесса на трехмерной диаграмме и ее проекции, далее будет описано изображение процесса главным образом на проекции изотермы (рис. 5-11, в). Принято, что исходное состояния системы, т. е. составы растворов, находящихся в области ненасыщенных растворов [объем A peiBpei BD)f,e3Dpe2EiE2] будут обозначены через точку то. Начало выпадения твердой фазы и ее кристаллизация будут обозначены через Шхгп , начало выпадения второй твердой фазы гпз, начало эвтонической кристаллизации Ше. [c.126]

Если в системе при взаимодействии компонентов образуется кристаллогидрат двойной соли Hs (рис. 5-12, а—в) ход процесса изотермического испарения и его изображение на диаграмме будут зависеть от свойств образующейся соли. Если соль Hs является конгруэнтным соединением (рис. 5-12,а—в), ход процесса изобразится следующим образом. Пусть фигуративная точка начального состояния системы то (рис. 5-12,6) лежит в объеме AeAEzEie (Нр), ее проекция будет находиться в поле кристаллизации двойной соли. В том случае, если проекция фигуративной точки системы лежит в поле кристаллизации гидрата двойной соли, точнее его части и SiEzHp, второй солью, которая начнет кристаллизоваться после Н при изотермическом испарении, будет соль В. При достижении раствором состава, изображенного фигуративной точкой Е, в твердой фазе появится третья соль С установится нонвариантное состояние и система полностью потеряет воду (за исключением содержащейся в составе кристаллогидрата двойной соли) при неизменном составе раствора Е. [c.129]

Отличие изотермы в метастабильном состоянии от стабильного варианта состоит в том, что на ней отсутствуют поля кристаллизации мирабилита, астраханита, пента- и тетрагидрата сульфата магния. Поэтому процессы изотермического испарения в естественных условиях будут проходить иначе, чем при стабильном состоянии системы. [c.229]

Эвтоника — точка, аналогичная эвтектической точке на изотерме в ней заканчивается процесс кристаллизации солей при изотермическом испарении. К особенностям этой точки относятся максимальная концентрация солей в растворе минимальное давление насыщенного пара постоянство состава раствора и давления его насыщенного пара до конца высыхания (кристаллизации солей). Кроме того, эта точка характеризует окон- [c.87]

При изотермическом испарении раствора состава Шо (см. рис. 4-8) при выделении кристаллогидрата в твердую фазу состав жидкой фазы будет изменяться по линии niiP. Точка Р нонвариантна выделение соли С в твердую фазу здесь будет происходить за счет обезвоживания ранее выпавшего кристаллогидрата. По окончании процесса система приобретает лишнюю степень свободы и состав раствора при испарении снова начинает изменяться по линии РЕ. При этом в твердую фазу выделяется безводная соль С. Точка Е — эвтоническая точка системы, поэтому при изменении состава системы от /И4 к ms при постоянном составе раствора Е будет происходить кристаллизация солей В и С до полного затвердевания. Примером такого равновесия является система Na l— Na2S04—Н2О при температуре выше 2,85 °С. [c.90]

IV. Положения фигуративных точек то и nii на проекции изотермы совпадают. При достижении раствором состава mi процесс его изотермического испарения в интервале OTi — /3 будет сопровождаться разделением системы на 3 фазы водяной пар, раствор и твердую фазу — галит Na l. Изменение состава раствора будет изображаться перемещением фигуративной точки его состава по лучу кристаллизации хлорида натрия h —13, см. рис. 5-18. При достижении раствором состава, изображаемого фигуративной точкой h, в твердой фазе появится еще одна соль — сяльвин КС. Число степеней свободы будет равно и=5—4=1. [c.145]

Если исследовать изотермическое испарение растворов, расположенных в области кристаллизации сульфата калия, то можно заметить, что процесс будет идти различными путями в зависимости от положения исходной фигуративной точки раствора. Для pa TBQpa состава Шх ш других, расположенных в треугольнике Л ВБ г, после осаждения одного сульфата калия будет происходить совместная садка сильвина с K2SO4 до достижения переходной точки Е2. Здесь происходит взаимодействие ранее выделившегося сульфата калия и раствора состава 2 с образованием шенита. После растворения последнего кристалла ар- анита система получает лишнюю степень свободы и ее состав [c.296]

Методы выращивания полупроводников из растворов принято различать по способу создания пересыщенного раствора, из которого будет выращиваться кристалл 1) испарение растворителя 2) подпитка раствора кристаллизующимся веществом (путем создания перепада температур между источником кристаллизующегося вещества и затравкой) 3) направленная кристаллизация насыщенного раствора 4) зонное плавление при наличии температурного градиента, приложенного ко всему образцу. Первые три группы методов являются изотермическими, то есть фронт кристаллизации в течение всего процесса роста кристалла находится при постоянной температуре. Кристаллизация в изотермических условиях позволяет обеспечить лучщий контроль параметров выращиваемого кристалла, зависящих от температуры процесса. [c.237]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...