Процессы изотермического испарения и пути кристаллизации

Процессы изотермического испарения и пути кристаллизации [c.169]

Если исследовать изотермическое испарение растворов, расположенных в области кристаллизации сульфата калия, то можно заметить, что процесс будет идти различными путями в зависимости от положения исходной фигуративной точки раствора. Для pa TBQpa состава Шх ш других, расположенных в треугольнике Л ВБ г, после осаждения одного сульфата калия будет происходить совместная садка сильвина с K2SO4 до достижения переходной точки Е2. Здесь происходит взаимодействие ранее выделившегося сульфата калия и раствора состава 2 с образованием шенита. После растворения последнего кристалла ар- анита система получает лишнюю степень свободы и ее состав [c.296]

Методы выращивания полупроводников из растворов принято различать по способу создания пересыщенного раствора, из которого будет выращиваться кристалл 1) испарение растворителя 2) подпитка раствора кристаллизующимся веществом (путем создания перепада температур между источником кристаллизующегося вещества и затравкой) 3) направленная кристаллизация насыщенного раствора 4) зонное плавление при наличии температурного градиента, приложенного ко всему образцу. Первые три группы методов являются изотермическими, то есть фронт кристаллизации в течение всего процесса роста кристалла находится при постоянной температуре. Кристаллизация в изотермических условиях позволяет обеспечить лучщий контроль параметров выращиваемого кристалла, зависящих от температуры процесса. [c.237]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...