Намагниченность модели среднего пол

Намагниченность модели среднего поля 49 [c.480]

Простая модель линейной изотропной среды. Предположим, что в небольшой окрестности данной точки среда содержит N нейтральных атомов на единицу объема. Каждый атом состоит из частицы (электрона) с массой М и зарядом д (знак д не оговаривается), связанной упругой силой, пропорциональной смещению, с более тяжелым ядром, заряд которого равен по величине и противоположен по знаку заряду д. (Сюда мы включаем и тот случай, когда частота колебаний сОо равна нулю, т. е. нейтральную плазму.) Мы пренебрегаем относительно малым смещением ядер и вкладом этого смещения в Р. Мы предполагаем, что у атома нет ни постоянного, ни наведенного полями магнитного момента. Поэтому намагничение равно нулю. Далее, мы пренебрегаем флуктуациями и нерегулярностями в движении отдельных частиц и считаем, что каждая частица ведет себя как некая фиктивная средняя частица. Такое предположение означает, что каждая частица находится под действием силы электрического поля Ех (Ш) в месте нахождения частицы и некоторой средней силы, обуславливающей затухание ). Последняя учитывает потери энергии частицы вследствие соударения с соседними частицами (или вследствие излучения). Пренебрегаем также силой 9(у/с)ХВ, действующей на частицы, по сравнению с силой дЕ. Это пренебрежение справедливо в отсутствие постоянных магнитных полей и при малых значениях отношения v/ . (Оно остается справедливым даже в случае сильных электрических полей, образованных пульсирующим рубиновым лазером.) Таким образом, мы имеем следующее уравнение движения для х-компоненты заряда [c.495]

Отметим, что здесь, как и в 1, п. е), возникает необходимость в доопределении фигурирующих в теории средних значений. Действительно, так как гамильтониан Гейзенберга при Я = О инвариантен по отношению к поворотам системы, т. е. в системе Ж = - /2)Y,iij распределения Гиббса по всем микросостояниям системы, мы усредним и по углам тоже и поэтому всегда при любых значениях в получим, что намагничение М = = 0. Однако, если снять указанное вырождение введя хотя бы затравочное внешнее поле иН = (О, О, иН), то спонтанная намагниченность установится вдоль заранее выбранной оси г и при температуре ниже точки Кюри сохранится после выключения иН -+ 0. Таким образом, те средние, которыми мы будем пользоваться при рассмотрении указанных выше моделей, — это квазисредние по Боголюбову. [c.335]

Схематически вариант а) первого типа дефектов представлен на рис. 2, а. Анализ показывает, что в этом случае над поверхностью, к которой примыкает дефект, магнитный поток рассеяния должен образоваться при меньшей средней намагниченности листа, чем над противоположной поверхностью. Объясняется это тем, что бесконечно тонкий слой металла (как это можно считать) между дефектом и верхней поверхностью намагнитится до касыщения при незначительной средней намагниченности лис-та. Специальными же исследованиями установлено, что магнитный поток рассеяния, обусловленный к. д. м. с., начинает улавливаться на обеих поверхностях одновременно при одной и той же средней намагниченности листа. Следовательно, вариант а) не может служить моделью расположения квазидефектов в листах трансформаторной стали. [c.187]

Теперь мы в состоянии математически сформулировать, что подраззгмевается под корреляциями с идентичной структурой. Мы требуем (если универсальность имеет место), чтобы среднее от параметра порядка Цо в модели блоков определяло намагниченность, которая зависела бы от и А так же, как (s,) зависит от 0 и А в исходной модели [c.374]

Наиболее широкое (расдространение для записи звуковых программ получил другой способ — запись с высокочастотным (ультразвуковым) подмагничивающим полем. В этом случае носитель предварительно размагничивается, а в головку записи подается сумма тока сигнала с высокочастотным током, частота которого в несколько раз выше верхней частоты диапазона сигнала. Элементарная картина расположения зон намагничения носителя в этом случае представлена на рис. 6.25. При считывании такой записи в местах, где сигнал отсутствует и зоны противоположного намагничения ультразвуковым полем смещения одинаковы по величине, средний поток рассеяния, охватываемый воспроизводящей головкой, из-за взаимной компенсации потоков соседних зон будет равен нулю. При появлении сигнала зоны противоположного намагничения перестают быть равными— появляются потоки рассеяния, которые затем считываются воспроизводящей головкой. С помощью этой модели можно качественно показать, что должна существовать некоторая оптимальная амплитуда подмагничивающего поля, при которой нелинейные искажения сигнала минимальны и запись возможна до некоторой наибольшей амплитуды сигнала при данной толщине магнитного слоя носителя. [c.262]

Если сравнить средние размеры доменов в реальных кристаллах ( Ю см) с пшриной доменных границ (с1 10 см С61), то может показаться, что вклад связан с участием только всех ферромагнитных спинов кристаллической решетки. Однако согласно простой зической модели, на основе которой обычно оценивается величина легко устанавливается связь восприимчивости с намагниченностью всего объема ферромагнетика СбЗ. Остановимся кратко на зтой модели. [c.46]

В применении к никелю это означает следующее. Вследствие перекрытия s- и d-зон из десяти валентных электронов атома никеля в среднем 9,46 электрона находится в d-зонах и 0,54 — в s-зоне. Обменное взаимодействие имеет место практически только у d-электронов. Обменное смещение обеих d-зон оказывается настолько большим, что одна из зон целиком заполняется, а другая содержит 0,54 дырки на атом. Намагничение насыщения тогда М = 0,54 N i . Если бы намагничивание осуществлялось р-лока-лизованными электронами, то намагничение M = pN]i . Комбинация зонной модели с обменным взаимодействием приводит к нецелым эффективным числам магнетонов р. Дальнейшее подтверждение этой модели видно из экспериментальных результатов, изображенных на рис. 55. Если принять, как было предположено выше, что плотность состояний, изображенная на рис. 54, справедлива для всех переходных металлов (и их сплавов ), т. е. что [c.176]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...