Подвижность электронов (дырок)

Количество электричества, переносимого дырками или электронами, определяется не только концентрацией носителей, но и подвижностью электронов и дырок. [c.389]

Однако в отличие от полупроводников во многих диэлектриках подвижность электронов и дырок чрезвычайно мала в сотни и даже в тысячи раз ниже, чем в полупроводниках. Столь низкие значения подвижности связаны с тем, что электроны находятся в этих веществах в связанном состоянии, образуя квазичастицы— поляроны. [c.273]

Предположим, что температурная зависимость подвижности электронов и дырок одинакова [c.133]

Рис. 22,6. Температурные зависимости подвижности электронов (а) и дырок (б) в алмазе [313]

Рис. 22.11. Температурные зависимости подвижности электронов и дырок (а) и удельного сопротивления (б) в As. Характер зависимости и Цр.

Рис. 22.17. Температурные зависимости компонентов тензора подвижностей электронов (пунктирные линии) и дырок (сплошные линии) в Sb [29]. Концентрации электронов и дырок — 4-10 см нижняя шкала температур для верхняя — для

Рис. 22.29. Зависимости подвижностей электронов и дырок в Si при 7 = 300 К от концентрации доноров [226]

Рис. 22.35. Температурная зависимость подвижности электронов и дырок в чистом Qe при постоянной концентрации носителей [711

Рнс. 22.67. Температурные зависимости коэффициента Холла (а), удельного сопротивления (6) и холловской подвижности электронов и дырок [c.481]

Рис. 22.178. Температурные зависимости дрейфовых подвижностей электронов и дырок в ТШг [287]

Рис. 22.186. Температурные зависимости холловских подвижностей электронов и дырок в кристаллах PbS [117]

Подвижность электронов и дырок обычно различна. Так, при комнатной температуре в кремнии Це 1300 см /В-с, а цк — -500 см2/В-с. Эти величины достаточно высоки, поскольку для электронов и дырок в полупроводниках характерна небольшая эффективная масса. Для сравнения стоит указать, что для меди при тех же температурах це 35 см /В-с. Дефекты других типов (точечные, протяженные и т. д.) влияют на электропроводность полупроводников аналогично рассмотренным они приводят к по- [c.247]

Для собственного полупроводника коэффициент Холла отличен от нуля вследствие неравенства подвижностей электронов и дырок, концентрации которых равны (и = я,), поэтому в соответствии с (3.76) [c.77]

Ширина запрещенной зоны при 20 °С, эР Подвижность электронов, mV(B- ). , Подвижность дырок, mV(B ). ... Диффузионная длина неосновных носителей, мм............. [c.254]

Арсенид галлия — одни из самых перспективных полупроводниковых материалов, так как ширина запрещенной зоны его превышает ширину запрещенной зоны германия и кремния, но еще не очень велика (1,43 эВ). При этом подвижность электронов у него больше, чем у германия и кремния, а подвижность дырок сравнима с таковой для кремния (см. табл. 8-4). [c.263]

При изучении радиационных последствий обычно различают так называемые необратимые (остаточные) и обратимые (переходные) эффекты. К остаточным нарушениям относят перегруппировку атомов в решетке (образование вакансий, междоузлий, дислокаций), а также внедрение инородных атомов, например, в результате ядерных реакций. Обратимые нарушения являются следствием перехода электронов или дырок в неравновесное состояние, что обычно приводит к ионизации. Благодаря относительно большой подвижности электронов и дырок равновесное состояние быстро восстанавливается после прекращения облучения. Б дальнейшем, если специально не оговаривается другое, под радиационными дефектами мы будем понимать необратимые нарушения. [c.278]

Так как обычно подвижность электронов выше подвижности дырок, то знак постоянной Холла, как правило, является отрицательным. [c.268]

К.— типичный полупроводник с шириной запрещённой зоны 1,21 эВ (при G К), 1,09 —1,1 эВ (при 300 К). Концентрация собств. носителей заряда (электронов и дырок) при комнатной темп-ре 6,8-IG см , эфф. подвижность электронов и дырок 0,1350—0,1450 и 0,0480 — [c.490]

Т. о., концентрации подвижных электронов и дырок в П. экспоненциально уменьшаются с темп-рой, обращаясь в о при Г = о К (рис. 5). Это явление наз. вы- [c.40]

Подвижность электронов, mV(B- ). , Подвижность дырок, см2/(В-с)..... [c.314]

При низких уровнях инжекции (участок 2) эффективная дрейфовая подвижность электронов (дырок) понижена вследствие того, что в окрестности структурных дефектов пропс.ходят. микропроцессы захвата н освобождения электронов ловушками ( прилипание ). Это торможение на ловушках снижает подвижность носителей заряда и уровень ТОПЗ по сравнению с бездефектными кристаллами. При напряжении U>U2 все ловушки оказываются заполненными и ток ступенчато повышается (участок 3) за счет тех инжектируемых носителей заряда, которые не тормозятся на ловушках. Поэтому по величине опреде- [c.48]

Электропроводность а пропорциональна подвижностям электронов и дырок, которые в свою очередь пропорциональны временам релаксации Те и та для электрон-фононных и дырочнофононных взаимодействий соответственно. Поэтому [c.197]

В зависимости от силы электрон-фононного взаимодействия могут образоваться поляроны большого радиуса (ПБР) или поляроны малого радиуса (ПМР). Если область искажения вокруг электрона значительно больше параметра элементарной ячейки а, то говорят о поляроне большого радиуса. ПБР образуется в том случае, когда электрон-фононное взаимодействие слабое. Искажения решетки при этом невелики и условия перемещения электронов (дырок) не очень сильно отличаются от условий движения свободных носителей. Однако при движении электрона вйесте с ним движется и вся искаженная область. Это приводит к значительному — в десятки раз — уменьшению подвижности. Подвижность ПБР определяется выражением [c.273]

Рис. 22.72. Температурные зависимости удельного, сопротивления и коэффициента Холла --Mg Sn (а), p-Mg2Sn (б), а также холловской подвижности электронов (в) н дырок (г) в различных образцах п- и р-типа [146] концентрация н-оснтелей, см-= 9-10 ( ) 2 — 1,5-10 ( J

Рис. 22.190. Температурная зависимость холловской подвижности электронов п дырок в кристаллах PbSe [117] концентрация носителей, 10 см- /—0,16 ( ) 2—0,11 (р) 3-3,6 (я) 4-. Ъ (р) 5-1,4 (р) 5-3,5 (р) 7-2,4 (п)

Подвижности электронов и дырок несколько различаются из-за разницы их эффективньхх масс >Др. Как следует из (3.28), чем больше подвижность, тем [c.60]

Коэффициент линейного расширения а = 6 10 VrpaA (при 10—50° С). Германий тверд (ЯВ 190), но хрупок, при нагреве выше 500° С становится пластичным. Некоторые другие физические свойства германия приведены в табл. 43 . Примеси сильно влияют на электропроводность германия достаточно ввести один атом примеси на 10 — 10 атомов германия, как электропроводность увеличивается. В ряде случаев это нежелательно, так как для приборов иногда необходим германий высокой чистоты с удельным электросопротивлением больше 10 ом-см, что достигается введением в германий определенных примесей в заданных количествах. Для получения триодов необходим германий, у которого электроны и дырки имеют большую подвижность и большое время жизни. Чистый германий обладает этими свойствами у него подвижность электронов 3900 см /в сек, подвижность дырок 1900 см /в-сек, а время жизни носителей заряда достигает 1000 микросекунд. [c.289]

Ширина. чапрещенной ны, эВ при О К при 300 К Подвижность электронов, м /(В с) Подвижность дырок, mV(B- ) [c.285]

Для изготовления полупроводниковых приборов важное значение имеют монокристаллы кремния, весьма тщательно очищенные от примесей. Температура плавления кремния 1420 0. Собственная проводимость кремния yi = = 3-10 1/ом-см отвечает концентрации носителей п,- = 10 Мсм запрещенная зона W =l,l2 эв (табл. 13.1). Получение дырочной проводимости достигается введением акцепторов — элементов III группы (алюминий, бор). Электронный кремний получают при введении доноров — элементов V группы (л1ышьяк, сурьма, фосфор). Подвижность электронов и дырок = = Г 400сж /вХсе/с, Up = 500 см"1в-сек диэлектрическая проницаемость е = 12,5. Энергия ионизации доноров имеет небольшие значения для As 1Гд = 0,049 эв, для Sb энергия 1 д = 0,039 эв, для Р 1 д = [c.181]

Подвижности электронов и и дырок Up в выражении (8-2) неодинаковы. Электроны и дырки обладают различной инерционностью при движении в поле кристаллической решетки полупроводника, т. е. отличаются друг от друга эффективными массами Шп и Шр. В большинстве случаев т trip. Отсюда собственная электропроводность полупроводников имеет слабо преобладающий электронный характер. [c.232]

Из табл. 8-4 видно, что с увеличением суммарного атомного номера компонентов в пределах каждой из групп соединений происходит уменьшение твердости вещества. С уменьшением ширины запрещенной зоны в пределах каждой группы соединений наблюдается закономерный рост подвижности носителей зарядов, более ярко выраженный для электронов, чем для дырок. Абсолютное значение подвижности электронов для большинства соединений существенно превышает подвижность дырок. Исключение представляет только антимонид алюминия, у которого подвижность дырок почти в три раза превышает подвижность электронов. Плотность веществ по мере увеличения мета,яличности соединений возрастает. [c.262]

Увеличение и) в электрическом поле приводит к уменьшению подвижности электронов, если их длина свободного пробега X не зависит от (у>. Для атомных кристаллов это условие выполняется тогда, когда основным механизмом рассеяния носителей является рассеяние на тепловых колебаниях решетки. Уменьшение подвижности с ростом поля ё приводит в этом случае к замедлению роста тока с напряжением и, как показы-Рпс. 7.10. Насыщение дрейфовой ско- вает эксперимент, к насыщению po Ti электронов и дырок в кремнии дрейфовой скорости свободных. [c.194]

Здесь ДатДп — подвижности электронов и дырок, т— их время жизни, определяемое скоростью рекомбинации. [c.603]

При ве очень большой концентрации примесей уровень Ферми оказывается в запрещённой зоне (рис. 4). При зтом поведение подвижных электронов и дырок описываются законами классик, статистики (см. Маке-еелла распределение). Концентрации электронов в зове [c.39]

Снльнолегированные полупроводннкн. При достаточно высокой концентрация примесей существует остаточная концентрация подвижных электронов (или дырок), примерно равная концентрации примесей и слабо зависящая от Т при низких темп-рах. Это при- водит к появлению остаточной электропроводности металлич. типа, т. е. слабо зависящей от Т. Наир. в й-81 с примесью Р остаточная электропроводность наблюдается при Л д > 3,7 10 см , в н-Се с примесью 8Ь — при > 1,5си . [c.40]

Т. металлов очень мала, сравнительно больше Т, в полуметаллах и их сплавах, а также в нек-рых переходных металлах и их сплавах (напр., в сплавах Pd—Ag Т. достигает 86 мкВ/К). Т. в этих случаях велика из-за того, что ср. энергия электронов в потоке сильно отличается от энергии Ферми. Иногда быстрые электроны обладают меньшим коэф. диффузии, чем медленные, и Т. меняет знак. Величина и знак Т. зависят также от формы ферми-повчрх-ности, разл. участки к-рой могут давать в Т. вклады противоположного знака. Знак Т. металлов иногда меняется на противоположный при низких темп-рах. В полупроводниках -типа на холодном контакте скапливаются дырки, а на горячем остаётся нескомпенеир. отрицат. заряд (если аномальный механизм рассеяния носителей заряда или эффект увлечения не приводит к перемене знака Т.). В термоэлементе, состоящем из полупроводников р- и п-типов, Т. складываются. В полупроводнике со смешанной проводимостью к холодному контакту диффундируют и электроны и дырки и их заряды взаимно компенсируются. Если концентрации и подвижности электронов и дырок равны, то Т. равна нулю. [c.98]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...