Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...

Статьи Чертежи Таблицы О сайте Реклама

Экспозиция интегральное

При температурах, соответствующих верхнему пределу шкалы, процесс старения протекает значительно скорее. Для определения склонности стекла к старению в таких условиях проводят испытание партии термометров на смещение нулевой точки, выдерживая их в течение 6 ч при температуре, соответствующей верхнему пределу шкалы. Значение смещения для различных стекол и верхних значений рабочих температур допускается в пределах 0,30...1,60 К- Дальнейший ход смещения шкалы не нормирован. Оценочная поправка может быть определена исходя из экспоненциального закона развития процессов старения в зависимости от интегрального времени экспозиции. Такие расчеты носят очень условный характер, и достоверность их невысокая. Стекла на старение проверяют при изменении химического состава стекловаренной ванны.  [c.83]


Освещение выставочных экспозиций зависит от характера экспонатов. При проектировании художественных выставок следует учитывать требования, изложенные в гл. 16. Для универсального выставочного помещения предпочтительны интегральные системы-совмещение естественного и искусственного света. Световая организация интерьера способствует организации и направленности потоков посетителей. Освещение интерьеров, кроме общего освещения системой подвесных светящих потолков и встроенных светильников, включает специальное освещение экспонатов в виде светящихся стендов и направленного искусственного освещения.  [c.290]

Прослеживая весь ход образования тональности снимка, заметим, что в этом процессе не последнюю роль играет экспозиционный расчет фотографа, потому что увеличение экспозиции и повышение плотности негатива (конечно, лишь в определенных пределах, за которыми возникает технический брак) способствуют образованию светлой тональности, если, разумеется, она заложена в самом объекте съемки и поддержана эффектом освещения. В обычных условиях съемки (репортаж, жанровая сцена, пейзаж) экспозиция, как правило, рассчитывается по интегральному замеру яркости или освещенности объекта, т. е. по их суммарному значению. Но при высоких контрастах освещения фотографу приходится решать, как именно следует экспонировать негатив — по яркости светов или по теням. Решает этот вопрос освещение сюжетно важного элемента кадра если он находится в тени, экспозиция устанавливается именно по теням, а если ярко освещен, то в основу экспозиционного расчета ложится замер этой высокой яркости.  [c.134]

Определение экспозиции по результатам измерения общей (интегральной) яркости объекта съемки. Эти измерения проводят без матового стекла на шахте фотоэкспонометра. При замере интегральной яркости фотоэкспонометр от фотоаппарата направляют на объект съемки. При этом получают общую (средневзвешенную) яркость всех деталей, попавших в поле зрения прибора. Недостаток метода заключается в том, что при таком способе измерения учитываются яркости не только основного объекта съемки, но и захватываются окружающие предметы, расположенные вблизи от него. Это приводит к известным ошибкам в определении экспозиции. Так, при замере яркостей -объекта на черном и белом фоне получаются разные результаты, хотя яркость этого объекта будет одинакова.  [c.158]

Из сказанного следует, что при определении экспозиции по измерению общей (интегральной) яркости объекта могут быть допущены определенные ошибки и этот метод можно рекомендовать только для черно-белой съемки.  [c.158]

Применение различных электрических устройств (селеновых фотоэлементов, гальванометров, фоторезисторов, электродвигателей, миниатюрных источников питания) обеспечило широкое распространение в фотоаппаратах систем автоматизированной установки экспозиции, т. е. выдержки и диафрагмы, а применение электронных блоков (полупроводниковых диодов и триодов, миниатюрных усилителей и преобразователей сигналов, а затем и микрокомпьютеров с использованием больших интегральных схем) способствовало появлению в фотоаппаратах еще более совершенных устройств — электронных фотозатворов и систем автоматической фокусировки объектива.  [c.22]


Рис. 39. Измер ние экспозиции через съемочный объектив зеркального фотоаппарата а. 6 интегральное в, г — детальное < . е система с переключением вида измере ния ж система компенсации контрастного освещения Рис. 39. Измер ние экспозиции через съемочный <a href="/info/41619">объектив зеркального</a> фотоаппарата а. 6 интегральное в, г — детальное < . е система с переключением вида измере ния ж система компенсации контрастного освещения
Однако при фотосъемке возможны случаи, когда экспозицию надо определять по яркости сюжетно важной детали объекта, занимающей небольшую часть кадра. В этом случае удобнее не интегральное, а детальное измерение яркости.  [c.89]

В современных фотоаппаратах часто предусматривается возможность внести поправку в экспозицию, которую определяет автоматика интегральным способом. При съемке сюжетов с большим контрастом между сюжетно важной частью объекта и окружающим фоном фотограф, исходя из своего опыта, может изменить экспозицию до 2 ступеней (т. е. до 4-кратной недодержки или передержки по отношению к экспозиции, определенной по средней яркости объектов в поле зрения).  [c.91]

Мозгом фотоаппарата / является электронный микропроцессор 12. Тактовые импульсы П для отмеривания автоматически устанавливаемой выдержки (п. 4.4), времени работы автоспуска и для других операций по управлению съемкой выдает кварцевый генератор/О ( частота импульсов 32 768 = 2 Гц). Сигналы от микропроцессора 12 поступают в вычислительный блок — большую интегральную схему 13, куда вводятся значения силы фототока от кремниевых фотодиодов 4 системы ТТЛ (они размещены рядом с пентапризмой 3 аппарата, см. п. 4.3) и выбранные фотографом значения диафрагмы 14, светочувствительности пленки 15 и ручной коррекции экспозиции 16 (т. е. возможной поправки к работе автоматики). Рассчитанное значение выдержки передается через тот же микропроцессор для исполнения приводом затвора 23 таким же образом передаются команды на запуск приставного электродвигателя 24 для транспортирования пленки (п. 5.2), на впечатывание в кадр данных о съемке 25 (п. 3.4).  [c.119]

Метод литографии применяется при производстве элементов современных полупроводниковых приборов (интегральные схемы, микропроцессоры и др.) и заключается в том, что со специально приготовленной маски на подложку переносится отображение. До последнего времени в литографии для воспроизведения масок использовались электронные пучки или лазеры — оба этих метода не позволяют получить разрешение лучше, чем 2 мкм. Использование рентгеновского излучения позволяет повысить разрешение в сотни раз, но при имеющихся мощностях рентгеновских источников экспозиции для получения одного отображения достигают нескольких часов. Элемент микросхемы представляет собой монокристалл кремния, на который нанесен сначала слой металла (золота), а на него — светочувствительный слой (фоторезистор). Эта вафля через маску, находящуюся на расстоянии 2—5 мкм, освещается СИ и после облучения обрабатывается. Интегральная схема представляет собой соединения десятков таких обработанных слоев.  [c.271]

Выражение в квадратных скобках представляет собой геометрический фактор абсорбции его значение не зависит от коэффициента л линейной абсорбции. Как следует из соотношения (24), интегральная интенсивность отражения от плоской поверхности при постоянных Р, N, Р, 9 и л опре 1еляется величиной угла сс, под которым установлен шлиф при рентгеносъемках. С уменьшением а величина / возрастает, так как геометрический фактор абсорбции стремится к своему наибольшему значению — единице. Следовательно рентгеносъемки при малом размере диафрагм и уменьшении угла а не должны приводить к существенному возрастанию экспозиции. В практике съемки экспозиция обычно составляет 2—4 ч (аппарат УРС-1,0, трубка БСВ-2, камера типа РКД).  [c.83]

Отметим также работу Уордена и др. [8.44], в которой несколько иначе использована спекл-структура, создаваемая атмосферой, для выделения изображения астрономических объектов, Спекл-структура в отдельном изображении точечного источника, полученном при короткой экспозиции, эквивалентна ФРТ системы, формирующей изображение, в момент регистрации этого изображения. Если данная спекл-структура имеет один или несколько широко разнесенных максимумов, которые существенно превышают уровень окружающей интенсивности, то свертка этой ФРТ с распределением интенсивности, соответствующим объекту малой угловой протяженности, может дать ряд отдельных изображений этого объекта по одному от каждого максимума спекл-структуры, наложенных на основной фон. Путем смещения изображения до совпадения этих подызображений получают изображение первоначального объекта, искаженное средней спекл-структурой. Затем то же самое производят с изображением точечного источника и получают распределение интенсивности, отвечающее средней спекл-структуре. Далее путем численного решения интегрального уравнения свертки устраняют влияние средней спекл-структуры и получают улучшенное изображение нужного (протяженного) объекта.  [c.428]


Первые фотоаппараты с подобными устройствами, сочетающие электронную установку экспозиции (без гальванометра) с системой ТТЛ, появились на мировом рынке в 1972 г. В последние годы получили распространение многорежимные системы. Фотограф по своему желанию может переключить схему на один из нескольких режимов автоматическая установка выдержки при предварительно выбранной диафрагме, либо автоматическая установка диафрагмы при выбранной выдержке либо программная одновременная установка обоих этих экспозиционных параметров, либо полуавтоматическая устаиовк.а и др. Кроме того, в некоторых режимах можно выбирать интегральный или детальный способ измерения яркости объекта.  [c.95]

В чем заключается причина такого экспериментального результата, как следует из сказанного, было понято не сразу. Одна из причин отсутствия тонкой структуры в рассматриваемом случае могла бы заключаться в следующем основываясь на представлениях релаксационной теории, можно было предположить, что в случае, когда релаксирует большая величина т], будет велико и Ди/и, т. е. для больших частот жидкость будет вести себя как твердое тело. Предположим теперь, что Avlv это означает, что скорость гиперзвука при переходе от малых к большим вязкостям удваивается. Если бы было так, то это привело бы к весьма существенным следствиям, главным образом экспериментального характера. Действительно, интегральный коэффициент рассеяния для обеих компонент Мандельштама — Бриллюэна при наблюдении под углом 0 = 90° выражается формулой (18.13). Если вспомнить, что / 9о пропорционально а обратно пропорциональна квадрату скорости гиперзвука, становится ясно, что существенно зависит от скорости гиперзвука. Если предположить, что для частот 10 гц вязкая среда ведет себя как аморфное твердое тело и скорость звука, грубо говоря, удвоилась, то а вместе с ней и 7 9о уменьшится в 4 раза. Принимая во внимание, что (18.13) линейно зависит от абсолютной температуры, различие в интенсивности еще более увеличится, следовательно, можно считать, что интенсивность компонент Мандельштама — Бриллюэна в триацетине, глицерине уменьшится в 4,5—5 раз по сравнению с интенсивностью смещенных компонент в этих средах при комнатной температуре и малой вязкости. Вероятно этим и определяется результат Венкатесварана [172]. Если это так, то вместо 10—12 час экспозиции на нашей установке экспозиция должна достигнуть 50—60 час. В тех установках, где экспозиции длились сутками [172, 257], теперь она должна длиться неделями или, другими словами, эксперимент становится сверхтрудным.  [c.342]

Поскольку большая часть энергии турбулентных вихрей концентрируется в интервале низких частот, длина волны, соответствующая безразмерной частоте максимума спектра, является удобной и полезной характеристикой размера элементов турбулентности. Другой, более распространенной характеристикой такого рода, является интегральный масштаб турбулентности. Как следует из А2.28а (прил. А2), интегральный продольный масштаб турбулентности пропорционален значению ординаты продольного спектра турбулентности (по направлению среднего течения) при п = О. Это значение плохо выражено в условиях атмосферных течений. По юбно безразмерной частоте максимума спектра интегральный масштаб, увеличиваясь в среднем с высотой над поверхностью земли, в то же время претерпевает существенные изменения от эксперимента к эксперименту. Например, приводимые в [2.62] (ч. И, с. 31 и 32) для открытой экспозиции значения интегральных масштабов, полученные в результате натурных измерений, изменяются от ПО до 690 м на уровне 110>8 м (среднее значение 350 м) от 60 до 650 м на уровне 80,8 м (среднее значение 300 м) от 130 до 450 м на уровне 50,8 м (среднее значение 240 м) и от 60 до 460 м на уровне 30,8 м (среднее значение 200 м). Такие большие изменения величины интегрального масштаба являются одним из источников погрешности при лабораторных аэродинамических испытаниях сооружений. Материалы по масштабу турбулентности можно найти также в [2.97].  [c.48]


Смотреть страницы где упоминается термин Экспозиция интегральное : [c.353]    [c.98]    [c.123]    [c.20]   
Фотоаппараты (1984) -- [ c.89 ]



ПОИСК



Экспозиция



© 2025 Mash-xxl.info Реклама на сайте