Структурная постоянная флуктуаций

Сделанные до сих пор оценки теоретической прочности при сдвиге идеальных монокристаллов выполнены в предположении, что кристалл испытывает чистый сдвиг и сила, нормальная к плоскости скольжения, отсутствует. Учет растягивающих и сжимающих напряжений должен сильно повлиять на величину Ттах-Приведенные оценки теоретической прочности относились к температуре абсолютного нуля. Однако теоретическая прочность зависит от температуры по двум причинам. Во-первых, следует учитывать температурное изменение упругих постоянных, параметров решетки и поверхностной энергии и, во-вторых, термические флуктуации. При температуре, отличной от 0° К, в кристалле имеется конечная вероятность возникновения дислокаций под действием приложенных напряжений и термических флуктуаций [49, 50], что, как показывает расчет, приводит к небольшому уменьшению прочности с температурой. Между тем это противоречит хорошо известному экспериментальному факту о значительном понижении прочности с температурой. Последнее обусловлено влиянием температуры на свойства структурных де- [c.281]

Флуктуации плотности в неравновесном стационарном состоянии низкие частоты. Рассмотрим теперь динамический структурный фактор (9.3.25) в области низких частот ( а С ск). Как и в предыдущем разделе, ограничимся случаем постоянного градиента температуры. [c.251]

Если частота флуктуационных мод много меньше звуковой частоты, то флуктуации плотности жидкости связаны с флуктуациями энтропии при постоянном давлении ). Поэтому при вычислении низкочастотного вклада в динамический структурный фактор (9.3.25) можно воспользоваться соотношением [c.251]

В уравнениях (9.3.59) и (9.3.60) коэффициенты переноса рассматриваются как постоянные величины, но в окончательном выражении для динамического структурного фактора (9.3.55) их следует взять в точке г. Отметим, что при вычислении структурного фактора в области линии Рэлея поправками к корреляционным функциям флуктуаций, связанными с зависимостью коэффициентов переноса от координат, можно пренебречь при всех разумных значениях градиента температуры, так как, в отличие от звуковых мод, вязкие и тепловые моды имеют очень малую длину пробега . [c.252]

Преломление СМВ в атмосфере из-за влияния водяно- ll) пара превосходит преломление эл.-магн. волн в оп-тич. диапазоне и, возрастая с ростом зенитного угла, достигает значений 30—40. Загоризонтное распростра-, -иевие СМВ незначительно и связано гл. обр. с волно-йодным распространением, к-рое возникает в случаях, -когда в приземном слое атмосферы градиент коэф. преломления dnldh < —1,57 10 км" . Флуктуации -йптенсивности СМВ вследствие турбулентности атмосфе- фн при величине структурной постоянной С = 10"1 [c.417]

Свойства ферритов, как и любых других твердофазных материалов, можно разделить на две группы объемные, или структурнонечувствительные, и структурно-чувствительные. Объемные свойства определяются химическим составом и типом кристаллической структуры феррита, а структурно-чувствительные — несовершенством (дефектами) электронной и кристаллической структуры. К первой категории относят константу кристаллографической анизотропии, магнитострикцию, точку Кюри, удельную теплоемкость, диэлектрическую проницаемость, намагниченность насыщения и т. д. В качестве примера структурно-чувствительных свойств рассматривают электропроводность, теплопроводность, форму петли гистерезиса, прочность и др. Однако указанное деление весьма условно, поскольку трудно указать такое свойство, которое бы абсолютно не зависело от степени или несовершенства электронной и кристаллической структур з1 ферритов. Действительно, константа кристаллографической анизотропии Ki постоянна для моноферритов фиксированного состава [1]. Для твердых растворов ферритов величина Ki сильно зависит от несовершенств, какими являются флуктуации химического состава в объеме материала. Эта зависимость должна особенно отчетливо проявиться у кобальтсодержащих ферритов. Теплоемкость при температурах, близких к температуре фазового превращения (точка Кюри — у феррошпинелей, точка компенсации — у ферритов со структурой граната), становится настолько чувствительной к химическим неоднородностям материала, что может служить характеристикой последней [2]. [c.7]

Энергетическая структура кристалла (или ОПЗ) с крупномасштабными флуктуациями электрофизических свойств может быть представлена в виде пространственно модулированной флуктуаци-онным потенциалом зонной схемы. Для однородных систем ширина запрещенной зоны всюду сохраняется постоянной — дно зоны проводимости и потолок валентной зоны промодулированы одинаково. При химической или структурной неоднородности системы ширина запрещенной зоны также может изменяться. В любом случае энергия электрона на дне зоны проводимости неоднородного полупроводника является функцией координаты (далее мы ограничимся рассмотрением электронного переноса) — рис.2.15,а. Наиболее глубокие минимумы потенциальной энергии, где Г > (., заполнены электронами и образуют некое подобие системы "озер" на неровной местности. При небольшом количестве таких "озер" электроны остают- [c.72]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...