Затравка

Электрошлаковый переплав (ЭШП) разработан в Институте электросварки им. Е. О. Патона. Переплаву подвергают выплавленный в дуговой печи и прокатанный на круглые прутки металл. Источником теплоты при ЭШП является шлаковая ванна, нагреваемая при прохождении через нее электрического тока. Электрический ток подводится к переплавляемому электроду 1, погруженному в шлако-рую ванну 2 и к поддону 9, установленному в водоохлаждаемом Металлическом кристаллизаторе 7, в котором находится затравка 8 (рис. 2.10). Выделяющаяся в шлаковой ванне 2 теплота нагревает ее до температуры 1700 °С и более и вызывает оплавление конца электрода. Капли жидкого металла 3 проходят через шлак, образуя под шлаковым слоем металлическую ванну 4. [c.46]

Рис. 211. Кристаллизатор с "затравкой для непрерывной разливки стальных слитков

J - жидкий сплав (алюминиевый) 4 "затравка" [c.426]

Роль затравки при кристаллизации жидкого гетерогенного расплава заключается в том, что, во-первых, зарождение дендритных структур и расположение их параллельными рядами должно происходить вдоль плоскости (001) и, во-вторых, необходимо создать условия теплоотвода в стартовой зоне, обеспечивающей определенную скорость кристаллизации. Схема процесса затвердевания жаропрочного сплава лопатки с монокристаллической структурой показана на рис. 212. [c.427]

Плавка в кристаллизаторе. В качестве кристаллизатора использовали жидкий алюминиевый сплав. Схема установки высокоскоростной направленной кристаллизации показана на рис. 213. Температура в кристаллизаторе составляла 640 - 700°С, а скорость перемещения формы в жидкий сплав 100 мм/мин. В качестве затравки использовали сплав Ni-W - с содержанием 33% W и 67% Ni. [c.457]

Однако следует иметь в виду, что вынужденное излучение рождается в результате тех же самых квантовых переходов в веществе, которые порождают люминесцентное излучение. Более того, последнее играет роль затравки , инициирующей процессы, приводящие в лазерах к генерации вынужденного излучения. Недаром люминесцентные свойства вещества, и прежде всего его спектр люминесценции, имеют решающее значение при выборе активной среды лазера. [c.186]

Кристаллы ортоферритов выращивают на затравках 8 размером 1 X 1 X 10 мм. Процесс заключается в медленном переплаве на затравку исходного поликристаллического стер ня 2, соответствующего по составу выращиваемому монокристаллу 5. В процессе роста монокристалла расположенная снизу затравка и исходный по- [c.32]

Метод Чохральского (рис. 25) позволяет выращивать монокристаллы достаточно больших размеров, которые по степени структурного совершенства являются одними из лучших среди монокристаллов таких же соединений, выращенных другими методами. При выращивании монокристалла монокристаллическую затравку 5, например граната, закрепляют в тугоплавкой свече 4, 54 [c.54]

Схема установки представлена на рис. 3.25. Сущность метода в тигель с расплавленным материалом опускают монокристаллическую затравку. [c.82]

После оплавления затравки, которое обеспечивает хорошее ее смачивание расплавом, затравку медленно поднимают. Жидкость, тянущаяся за затравкой, попадая в область более низких температур, затвердевает, продолжая кристаллическую структуру затравки. При вытягивании кристалла затравку или тигель вращают, чтобы не происходил преимущественный рост кристалла в какую-либо сторону из-за возможной боковой разности температур. Кроме того, вращение кристалла относительно тигля производит размешивание расплава в тигле. [c.82]

При работе с затравкой в испаритель вводят мелкокристаллическую взвесь природного мела и строительного гипса [29]. Осаждение солей жесткости в процессе парообразования происходит на частичках взвеси (которые являются здесь центром кристаллизации), вследствие этого накипь на греющие поверхности не выпадает. Обработка воды, подаваемой в испаритель с вынесенной зоной кипения, может ограничиваться также лишь подкислением ее. [c.389]

Рис. 8-14. Схема установки для вытягивания монокристаллов германия из расплава (о) и внешний вид монокристалла германия с затравкой (б)

I — нихромовая печь сопротивления или индукционная катушка 2 — растущий монокристалл 3 — затравка 4 — кварцевая трубка для введения примесей 5 — шток для вытягивания J] вращения кристалла 6 — латунная плита 7 — кварцевый цилиндр 8 — смотровое окно 9 — патрубок для ввода водорода или аргона 10 — графитовый тигель 11 — кварцевый вкладыш 12 — расплавленный германий [c.252]

При подаче напряжения между расходуемым электродом-катодом 3 и затравкой-знодом 8 возникает дуга. Выделяющаяся теплота расплавляет конец электрода капли 4 жидкого металла, проходя зону дугового разряда, дегазируются, заполняют изложницу и затвердевают, образуя слиток 7. Дуга горит между расходуемым электродом и жидким металлом 5 в верхней части слитка на протяжении всей плавки. Сильное охлаждение слитка и разогрев дугой ванны металла создают условия для направленного затвердевания слитка, вследствие чего неметаллические включения сосредоточиваются в верхней части слитка, а усадочная раковина в слитке мала. Слитки ВДП содержат мало газов, неметаллических включений, отличаются высокой равномерностью химического состава, повышенными механическими свойствами. Из слитков изготовляют ответственные детали турбин, двигателей, авиационных конструкций. Масса слитков достигает 50 т. [c.47]

В случае ковра Серпинского (см. рисунок 2.3) затравкой яв гяется квадрат, а образующий элемент состоит из N=8 квадратов. Они получаются из затравки путем ггреобразования подобия (сжатием) с коэффициентом подобия 1 [c.82]

Простую каноническую интерпретацию мультифрактального формализма в одномерном случае можно получить рассматривая канторовское множество, проанализированное в 2.1. В напгем случае будем считать затравкой не единичный отрезок, а стержень из какого - нибудь материала с плотностью ро="1. Исходный стержень имеет длину /о=/ и следовательно, массу i-to==l. Операция, связанная с применением образующего элемента, состоит из разрезания стержня на две половины равной массы ц,=ц,=(),5, которые затем в результате ковки [c.110]

В.А. Кудрин отмечает, что первые установки для непрерывной разливки спшьных слитков начали работать с 1953 г. на Ново-Тульском металлургическом заводе, позднее (в 1955 г.) на Нижегородском заводе "Красное Сормово . Особенностью первой установки вертикального непрерывного действия является то, что предварительно, до начала разливки, в кристаллизатор вводят искусственное дно, так называемую "затравку . Эскиз затравки показан на рис. 211. [c.425]

Жидкий металл, соприкасаясь с холодной "затравкой и кристаллизатором, начинает кристаллизоваться, слиток вместе с застывшим на нем металлом начинает медленно извлекатьк я из кристаллизатора вниз. [c.426]

Конструкция кристаллизатора показана на рис. 212. Основной принцип действия затравки , применяемой в черной металлургии, был принят для выращивания монокристатл и ческой лопатки в литейных ( юрмах. [c.426]

В качестве стартовой затравки для формирования монокри-сталлической структуры нами использован никельвольфрамовый сплав, состоящий из 65 - 70% Ni 30 - 35% W. Ее устанавливают в модельный блок строго по ориентации кристаллической плоскости отливки (001) (см. рис. 212). [c.427]

Модель экспоненциального роста размеров Вселенной на начальной стадии ее эволюции получила название модели раздувающейся Вселенной [118]. Согласно этой модели, при t- Q вся энергия мира была заключена в его вакууме. Плотность энергии вакуума можно подсчитать, используя постоянные с, ha G [34]. Деситтеровская сгадия расширения длилась примерно 10 с. Все это время Вселенная быстро расширялась, заполняющий ее вакуум как бы растягивался без изменения своих свойств. Образовавшееся состоя1ше Вселенной было крайне неустойчивым, энерге ически напряженным. В таких случаях достаточно возникновения малейших неоднородностей, играющих роль случайной затравки, чтобы вызвать переход в другое состо- [c.229]

II. Вытягивание монокристалла из расплава с постоянной скоростью в начале вытягивания используется ориентированная определенным образом монокристальная затравка. [c.185]

Таким образом, если надо вырастить один большой кристалл (монокристалл) из данного расплава, следует ввести в него макрозародыш (затравку) и одновременно создать условия, при которых [c.49]

Метод Вернейля (рис. 24) является одним из наиболее разработанных методов получения монокристаллических соединений, имеющих достаточно высокие температуры плавления. При выращивании монокристаллов по этому методу ис.ходную смесь-порошок с размерами частиц 1—2 мкм подают из бункера 1 непрерывной струей через пламя газовой кислородно-водородной горелки 2, являющейся источником высокой температуры (2300 С). Проходя через пламя, порошок частично расплавляется и попадает на тугоплавкий корундовый или силитовый стержень 7, на конце которого закреплена монокристаллическая затравка 6 определенной ориентации. Затравка постепенно вводится в зону высоких температур до образования на ее конце устойчивой пленки расплава. [c.53]

Рост монокристалла зависит от трех взаимосвязанных параметров температурного поля в зоне кристаллизации, скоростей опускания затравки и подачи исходного материала (порошка) на поверхность растущего монокристалла. Степень структурного соверп1енст-ва выращиваемых монокристаллов зависит от таких факторов, как форма поверхности кристаллизации, размеры и формы пленки рас- [c.53]

Метод Вернейля является бестигельным и позволяет выращивать монокристаллы больших размеров по диаметру и по длине, а также проводить кристаллизацию в окислительной атмосфере при высоких температурах. Однако качество получаемых кристаллов вследствие недостаточно равномерной подачи порошка, непостоянства температуры пламени и трудности ее стабилизации невысоко. Кроме того, при выращивании монокристаллов часть исходного порошка проходит мимо затравки, что весьма нежелательно при использовании дорогостоящих материалов. [c.54]

При индукционном нагреве ирридиевого тигля исходная смесь граната расплавляется. Некоторое время расплав выдерживают при температуре на 50—100 "С выше точки плавления, после чего опускают в него затравку. Когда затравка коснется расплава, необходимо несколько снизить температуру до момента начала его кристаллизации непосредственно вокруг затравки. После этого включают механизм подъема затравки и начинают процесс вытягивания монокристалла. Для сглаживания асимметрии тепловых полей кристалл и тигель желательно вращать. Если требуется хорошее перемешивание расплава,тигель и затравку вращают в разные стороны. При значительной опасности загрязнения расплава материалом тигля затравку и тигель вращают в одном направлении с одинаковой скоростью. Заметного перемешивания расплава при этом происходить не будет. [c.55]

I — затравк . 2 растущий кристалл. 3 — исходная шихта. 4 контейнер. 5 - нагреватель [c.56]

Метод горизонтально направленной кристаллизации — метод Багдасарова (рис. 26) — заключается в следующем. В контейнер 4, имеющий форму лодочки, помещают исходное вещество — шихту 3 в виде порошка, кристаллического боя или керамических таблеток. Перемещая контейнер через зону нагрева, создаваемую нагревателем 5, шихту расплавляют и за-кристаллизовывают. Для получения строго ориентированных монокристаллов в вершину лодочки устанавливают затравку и наблюдают как за моментом затравления, так и за формой фронта кристаллизации в процессе выращивания монокристалла. Так как при этом методе высота расплава много меньше среднего радиуса его поверхности, возникают условия эффективного удаления неконтролируемых примесей испарением. Открытая поверхность расплава позволяет вводить активирующую при.месь на любом этапе выращивания монокристалла. [c.56]

Второй этаи состоит в получении из очищенного материала монокристаллов методом вытягивания из расплава в вакууме или в среде инертного газа. На конце вращающегося штока закреплен кусочек монокристалла — затравка (рис. 13.8). Если медленно поднимать затравку, продолжая вращение, то за ней будет тянуться кристаллизирующийся столбнк расплава, который, охлаждаясь, образует вместе с исходной затравкой монокристалл. Изменением скорости вытягивания. и температуры расплава удается, в известной степенп регулировать диаметр монокристалла. [c.184]

Второй метод основан на изменении скорости вытягивания затравки из расплава, содержащего акцепторные и донорные примеси. Дело в том, что объем входящих в растущий кристалл примесей зависит не только от их содержания в расплаве, но и от скорости вытягивания. Величина коэффициента распределения си (отношение концентраций нрнмесей в твердой и жидкой фазах) для донорных примесей выше, чем для акцепторных. Так, при использ овании для германия доноров Р и As величина /С,,асп = = 0,12 н- 0,14, а акцептора In = 0,001. Допустим, что в расплаве доиорные примеси содержатся в избытке по сравнению с акцепторными, тогда ирн медленном вытягивании монокристалла в нем будет получаться г-область, а при быстром р-область. Это объясняется тем, что при малой скорости вытягивания акцепторная примесь, вытесняемая в жидкую фазу, успевает диффундировать в расплаве и его состав выравнивается. [c.184]

Испарители с вынесенной зоной кипения работают обычно под вакуумом или при давлении, близком к атмосферному. Температура воды в них не превышает ГОО—105°С. Так как прп этом на поверхностях теплообмена парообразования не происходит, накипь практически не осаждается на них при питании испарителей сырой водой с затравкой или водой, обработанной лишь известкованием пли содоизвестковым методом. [c.389]

Метод плавки на пьедестале можно использовать для выращивания стержней из металлического или полупроводникового расплава методами Чохральского и Степанова (в настоящее время широко используется при получении полупроводниковых материалов). Как известно, по методу Чохральского в расплав вводят сверху затравку и после оплавления ее торца вытягивают наращиваемый на затравку кристалл, медленно поднимая ее вверх. В большинстве случаев затравка и образующийся кристалл имеют цилиндрическую форму. Метод А.В. Степанова отличается от описанного тем, что дополнительно используется формооб-разователь, позволяющий управлять формой столбика расплава под фронтом кристаллизации и соответственно получать при выращивании кристаллы различной конфигурации. Успещное протекание этих процессов требует точного управления параметрами, влияющими на рост кристаллов, и в первую очередь полем температуры, а при выращивании по методу А.В. Степанова также давлением в расплаве на фронте кристаллизации [73]. [c.108]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...