Моделирование локального окисления

МОДЕЛИРОВАНИЕ ЛОКАЛЬНОГО ОКИСЛЕНИЯ [c.290]

Последнее замечание, которое иллюстрируется рис. 9.2, в, касается различия в методах, используемых для моделирования этих характерных структур. Процесс локального окисления обычно не проводится одновременно с диффузией примеси, имеющей высокую концентрацию. Поэтому для под-затворной области применяются аналитические методы, которые эффективны с точки зрения вычислений и удобны для учета эмпирических данных о форме слоя окисла, зависящей от условий проведения технологического процесса. Анализ же областей неглубоких переходов требует численного рещения из-за эффектов, обусловленных диффузией примеси с высокой концентрацией. Основываясь на факторах, рассмотренных выще, перейдем к изложению особенностей моделирования технологического процесса, связанных с применением двумерных моделей. [c.252]

Примеры моделирования процессов локального окисления, с другой стороны, выявляют доминирующее влияние зависимости коэффициента диффузии от пространственных координат на результирующее распределение. Эти модели пока еще только зарождаются. Их усовершенствование будет зависеть от дальнейшего развития пока еще примитивных методов непосредственного измерения двумерных распределений примесей. Однако можно получить косвенное подтверждение предположений, сделанных в процессе моделирования, сравнивая электрические характеристики тестовых приборов и результаты, полученные с помощью программ двумерного моделирования технологического процесса и анализа приборов. [c.303]

При рассмотрении проблемы моделирования технологических процессов изготовления СБИС с субмикронными размерами элементов в более общем плане уже сегодня ясно, что в программах моделирования необходимо вычислять локальные концентрации 81 и 8ip/. Растет понимание того факта, что в кремнии легирующие примеси диффундируют по двойному механизму (включающему наряду с 8i у) даже в условиях диффузии при собственной проводимости [2.63]. Неравновесные условия, такие, как окисление, нарушают баланс Si и 8ij / из-за генерации 8i и поглощения 8i . Вследствие этого изменяются коэффициенты диффузии легирующих примесей в объеме кремния. Ясно, что междоузельные атомы и вакансии будут аннигилировать друг с другом [2.38], что приведет к термически равновесному соотношению между их концентрациями. [c.73]

Предпринятая недавно попытка моделирования двумерного распределения междоузельных атомов кремния (8i ), генерируемых в процессе локального окисления, показала, что результаты моделирования находятся в приемлемом соответствии с описанными выше экспериментальными данными [2.61]. В этой работе для объяснения уменьшенного бокового перемещения Sij предполагалось наличие роста кремния на перегибах поверхности под слои 8i3N4. [c.73]

В этой главе будет рассмотрено моделирование всего технологического процесса, определяющее геометрию прибора в поперечном сечении. В соответствии с этим на рис. 9.1 показано характерное сечение двумерного л-МОП прибора с обеднением (нормально закрытого), где в качестве подзатворного диэлектрика использована двуокись кремния, полученная в результате локального окисления. Здесь можно выделить несколько областей, для расчета которых необходимо привлечение двумерных моделей. [c.249]

Имея далее в ввду взаимосвязь конструкции прибора с технологическим процессом, приведем краткое содержание данной главы. Технологический маршрут, определяющийся проектируемой конструкцией прибора и требованиями к совмещению слоев, является основным фактором, влияющим на процесс моделирования. Только один процесс легирования примесью таких областей, как подзатворный диэлектрик, области переходов истока и стока, требует проведения многократного выращивания, напыления и протравливания слоев. Особенности этих предварительных обработок часто оказывают более сильное влияние на выходные характеристики прибора, чем после-дуюцще этапы ионной имплантации и окисления. Например, поликремниевые затворы со скошенным краем и области, протравленные для проведения локального окисления, оказьшают сильное влияние на весь дальнейший технологический процесс. [c.251]

По мере прохождения технологического маршрута в результате выполнения локального окисления кремниевая поверхность перестанет быть планарной. При моделировании непланарной поверхности кремния или границы раздела Si - Si02 на прямоугольной сетке возникает криволинейная граница, произвольным образом пересекающая дискретные ячейки, на которые разделена область моделирования расчетной сеткой. В случае инертной окружающей среды на этой линии ставятся граничные условия отражения. Эти условия также можно легко представить с помощью фиктивных точек. Область моделирования ограничена при этом узловыми точками, находящимися в кремнии и являющимися соседними с криволинейной границей, а соседние с границей узловые точки, находящиеся вне кремния, являются фиктивными. Фиктивные точки применяются также при моделировании процессов предварительного осаждения примесей, однако в этом случае значение концентрации в них соответствует значению приповерхностной концентрации. [c.285]

Как уже отмечалось, данная глава посвящена анализу непланарных приборов. На рис. 14.1, а показано поперечное сечение непланарного МОП-прибора, изготовленного с использованием локального окисления. Область, заключенная в прямоугольник, соответствует собственно прибору, к ней примыкают области, образованные стоп-канальной р -диффузией, и области локального окисления с характерными птичьими клювами . На рис. 14.1, б в уменьшенном масштабе показаны смежные приборы с указанием некоторых паразитных эффектов. Например, выделенная штриховой линией область изображает соединение истоковой и стоковой областей соседних приборов через полевой диэлектрик. Кроме того, на рисунке указаны паразитные эффекты сторонних емкостей и эффекты сужения запрещенной зоны из-за диффузии примеси для образования " -области. Из этих рисунков видно, что при технологически ориентированном моделировании приборов необходим учет непланарных эффектов. [c.352]

В настоящее время насущной необходимостью является разработка моделей генерации, рекомбинации и диффузии точечных дефектов в объеме (вакансий и междоузельных атомов), поскольку ясно, что локальные концентрации этих дефекте , определяют локальные коэффициенты диффузии, скорости окисления и т. д. Фактически альтернативной постановкой проблемы, с которой мы сталкиваемся при моделировании двумерных процессов, является необходимость разработки методов вьиисления локальных (т. е. зависящих от времени и координат) параметров процессов, пригодных для использования в моделировании. [c.46]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...