Приложение В. Кулоновская энергия взаимодействия

ПРИЛОЖЕНИЕ В. КУЛОНОВСКАЯ ЭНЕРГИЯ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ [c.189]

Прежде чем приступить непосредственно к вычислению проводимости, сделаем одно замечание. Мы отмечали а параграфе 5.1. первого тома (см. также приложение 5Б), что в теории электропроводности могут встретиться два предельных случая. В адиабатическом пределе средний импульс носителей заряда релаксирует значительно быстрее, чем устанавливается равновесное распределение частиц по энергиям или, как говорят, происходит термализация в системе. Такая ситуация возникает, например, в полупроводниках, когда концентрация электронов проводимости и дырок мала, а средний импульс носителей заряда быстро релаксирует из-за их упругого рассеяния на примесных атомах. Как мы видели в приложении 5Б, в адиабатическом пределе необходимо рассматривать процесс релаксации всех моментов одночастичной функции распределения, поскольку упругие процессы рассеяния сами по себе не приводят к установлению равновесного распределения частиц по энергиям. Относительно проще обстоит дело в изотермическом пределе, когда характерное время термализации носителей заряда значительно меньше времени релаксации их полного импульса. В этом пределе достаточно рассматривать лишь процесс релаксации первого момента одночастичной функции распределения, т. е. среднего импульса. В плазме ситуация близка к изотермической, поскольку сильное кулоновское взаимодействие между электронами быстро приводит к термализации электронной подсистемы. Важно подчеркнуть, что само по себе это взаимодействие не меняет полный импульс электронов, который релаксирует только за счет взаимодействия между электронами и ионами. Из-за эффектов экранирования в плазме электрон-ионное взаимодействие является относительно слабым и может быть учтено а рамках теории возмущений. [c.38]

Первый член соответствует взаимодействию между электронным газом и приложенным потенциалом, второй член представляет прямое кулоновское взаимодействие между электронами, а 7 [л (г)] определяется как кинетическая энергия системы невзаимодействующих электронов плотности л (г). Последний член является универсальным функционалом электронной плотности, который зависит от приложенного потенциала только через л (г) и объединяет обменные и корреляционные эффекты. Выражение (3.74) можно рассматривать как точное выражение для энергии основного состояния. Однако от него весьма мало прока, пока мы не выясним, как должны вычисляться неизвестные функционалы. [c.346]

Индукционные силы притяжения, связанные с поляризацией адсорбированных молекул полем твердого тела, очень малы по сравнению с сильной кулоновской связью, рассмотренной в следующем пункте. Однако этими силами нельзя пренебрегать, когда хемосорбция и кулоновские взаимодействия отсутствуют. Главная проблема заключается в определении электростатического поля над поверхностью твердого тела. Грин и Зейватц [32] оценили энергию индукционного взаимодействия криптона с поверхностью (111) германия, она оказалась равной 0,8 ккал/моль. По всей вероятности, этот порядок величины характерен для всех ковалентных поверхностей. Свойства поверхности ионных полупроводников в этом отношении схожи с таковыми для ще-лочно-галоидных кристаллов, для которых поле над поверхностью можно весьма легко рассчитать (см. приложение В). Так, например, атом криптона над положительным ионом плоскости (100) решетки Na l находится в электростатическом поле 10 В/см, которое с учетом поляризуемости кристалла, равной 2,46 10-2 дает ф/ = 0,02 ккал/моль. [c.171]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...