Технологическое моделирование процесса осаждения

Технологическое моделирование процесса осаждения [c.163]

Технологическое моделирование процесса осаждения заключается в определении в лабораторных условиях расчетных параметров отстойников скорости осаждения взвеси и продолжительности пребывания воды в отстойнике, обеспечивающей заданный эффект ее осветления. Методика моделирования основана на подобии кривых выпадения взвеси, получаемых яри различных высотах столба исследуемой воды. Это подобие является точным при осаждении неустойчивой, коагулированной взвеси. Благодаря подобию кривых выпадения взвеси оказывается возможным моделировать этот процесс в цилиндрах с небольшой высотой столба воды. При этом время, в течение которого достигается определенный эффект осажде- [c.163]

Теоретическое обоснование преимуществ использования отстойников с малой глубиной осаждения вытекает уже из самой теории работы горизонтальных отстойников, согласно которой, резко уменьшив глубину осаждения, можно значительно сократить время отстаивания и, следовательно, объемы осадочных бассейнов. Более тщательный анализ влияния глубины осаждения на продолжительность отстаивания, сделанный на основе современной теории технологического моделирования процесса осаждения, подтверждает преимущества применения тонкослойных отстойников для обезжелезивания как поверхностных, так и подземных вод известкованием или коагулированием. [c.41]

Расчетная скорость осаждения взвеси должна приниматься в соответствии с опытом эксплуатации сооружений, работающих в аналогичных условиях. При отсутствии такого опыта следует проводить технологическое моделирование процессов, хлопьеобразования и тонкослойного осаждения с целью определения требуемого значения. [c.179]

Кинетика осал дения взвешенных веществ из сточной воды и показатель степени п должны определяться при отстаивании ее в покое, в сосудах диаметром не менее 120 мм. Вследствие турбулентности происходит агломерация или размельчение частиц взвеси прн их осаждении в движущемся потоке. В связи с этим М. Мырзахметов, помимо к, вводит коэффициент агломерации или размельчения взвеси, величину которого устанавливают на основании технологического моделирования процесса осаждения взвеси в движущемся потоке. [c.403]

Условия осаждения взвеси в отстойниках в движущемся потоке отличаются от условий осаждения в состоянии покоя. Чтобы максимально моделировать натурные условия в лабораторных исследованиях, следует определение оседающих веществ и изучение кинетики выпадения взвеси выполнять по специально разработанной методике технологического моделирования процесса отстаивания. В частности, этой методикой предусматривается проводить определения не в цилиндрах Лисенко, а в сосудах высотой не менее 500 мм и диаметром не менее 100 мм. [c.62]

По мере прохождения технологического маршрута в результате выполнения локального окисления кремниевая поверхность перестанет быть планарной. При моделировании непланарной поверхности кремния или границы раздела Si - Si02 на прямоугольной сетке возникает криволинейная граница, произвольным образом пересекающая дискретные ячейки, на которые разделена область моделирования расчетной сеткой. В случае инертной окружающей среды на этой линии ставятся граничные условия отражения. Эти условия также можно легко представить с помощью фиктивных точек. Область моделирования ограничена при этом узловыми точками, находящимися в кремнии и являющимися соседними с криволинейной границей, а соседние с границей узловые точки, находящиеся вне кремния, являются фиктивными. Фиктивные точки применяются также при моделировании процессов предварительного осаждения примесей, однако в этом случае значение концентрации в них соответствует значению приповерхностной концентрации. [c.285]

Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем (ИС) и электрических характеристик их основных элементов - МОП-транзисторов. Рассмотрены модели диффузии, ионной имплантации, окисления, отжига, литографии, осаждения, травления и модели, описывающие функционирование МОП-транзисторов. Подробно обсуждены области применимости этих моделей для анализа работы приборов в различных режимах. Приведены основные алгоритмы, используемые при моделировании технологических процессов и приборов на основе МОП-структур. Пбказано, как эти алгоритмы реализуются в существующих программах одно- и двумерного математического моделирования, и описаны структуры программ. Продемонстрировано, каким образом происходит стыковка программ моделирования технологических процессов и программ расчета характеристик приборов. Большое внимание уделено обсуждению специфических двумерных эффектов, приобретающих все большее значение в связи с уменьшением характерных размеров элементов ИС. При этом речь идет как об особенностях физических моделей, которые важны для учета двумерных эффектов, так и об особенностях их численного анализа. [c.4]

Вследствие уменьшения размеров элементов при переходе к технологии СБИС все более необходимым становится двумерное математическое моделирование технологических процессов. Один из аспектов этой проблемы заключается в моделировании рельефа поверхности функциональных слоев, формируемого в результате проведения последовательности процессов литографии, осаждения покрытий и травления. Первым результатом моделирования такого типа явился достигнутый с его помощью уровень понимания таких процессов, как проекционная печать, осаждение покрытий на ступенчатую поверхность и планаризация подложек, а также возможность прогнозирования уходов размеров элементов и их контроля в ходе проведения сложной последовательности технологических операций. [c.8]

Однако прогресс в двумерном моделировании технологических процессов не бьш таким быстрым. Несмотря на разработку нескольких программ двумерного моделирования основных технологических процессов (например, SUPRA) в Станфорде и других местах, эти программы не содержали строгих двумерных кинетических моделей, которые позволили бы точно предсказьшать профили распределения легирующих примесей и геометрию приборов в широком диапазоне условий. Это обусловлено отсутствием хороших физических моделей окисления, ионной имплантации, диффузии и химического вакуумного осаждения. Совершенно ясно, что эти процессы не одномерны. Недавние эксперименты показали, что окисление и диффузия в локализованной области кремниевой подложки могут существенно повлиять на окисление и диффузию в соседних по вертикали и смежных по горизонтали областях. В настоящее время нет ясного понимания подобных результатов на основе фундаментальных физических механизмов, хотя в последние несколько лет проводились обширные исследования. Очевидно, что для точного моделирования структур субмикронных размеров мы должны иметь количественное описание подобных явлений. [c.45]

Результаты моделирования технологического процесса используются специалистами в области технологии и разработки приборов для различных целей. Очень широко они применяются для изучения новых процессов и нового оборудования. Особенно полезной оказалась возможность исследования отдельных физических явлений и их взаимодействия с помощью огромного количества параметров технологического процесса. Такая возможность позволяет рассчитать оптимальные режимы процесса, используемые в технологическом оборудовании, например в проекционных установках. Еще одно направление использования результатов моделирования заключается в исследовании новых процессов и их последовательности. Хорошим примером является анализ применения изотропного осаждения в сочетании с анизотропным травлением для планаризации поверхности пластины. Другим примером использования результатов моделирования является оценка роли предполагаемых усовершенствований технологии, заключающихся, например, в использовании новых установок литографии или новых резистов. Возможно также использование моделирования для диагностики и изучения новых процессов, если физические модели модифицированы таким образом, что с их помощью можно получать и правдоподобные объяснения экспериментальных наблюдений. [c.336]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...