Сегнетоэлектричество

Многие соединения с ферромагнитными свойствами, например, имеющие структуру перовскита, исследованы также не достаточно. Ряд исследований В1 — N6 — РЬ — Ре, как удалось установить в последнее время, наряду с ферромагнетизмом обладают всеми признаками сегнетоэлектричества. Сочетание ферромагнитных и сегнетоэлектрических свойств у одного соединения позволит, вероятно, создать в будущем магнитные устройства с электрическим управлением. [c.44]

Для возникновения сегнетоэлектричества необходимо наличие сильно поляризующегося иона, каким, например, [c.263]

АНАЛИЗ ТЕНДЕНЦИЙ В РАЗВИТИИ ИССЛЕДОВАНИЙ В ОБЛАСТИ ФИЗИКИ И ХИМИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВА [c.5]

Основные фирмы США, занимающиеся исследованиями в области сегнетоэлектричества, [c.12]

Сегнетоэлектричество в ионных кристаллах (497). [c.493]

Сегнетоэлектричество в ионных кристаллах. Сначала оценим по порядку величины сегнетоэлектрические эффекты в титанате бария. Наблюдаемое значение поляризации насыщения Ps при комнатной температуре (см. рис. 14.4) равно 8-10 СГСЭ-ед. заряда-см- . Объем элементарной ячейки составляет (4-10 ) = 64-10 см следовательно, для дипольного момента р элементарной ячейки имеем [c.497]

Сдвиг (трансляция) решетки Бравэ I 82 Сдвиговая деформация П 240 Сдвиговое напряжение П 249 Сегнетоэлектричество П 179, 180 [c.439]

См. также Сегнетоэлектричество Критическая точка II 316 (с), 326—329 гипотеза скейлинга II 327—329 [c.399]

Сдвиг (трансляция) решетки Бравэ I 82 Сдвиговая деформация II 240 Сдвиговое напряжение II 249 Сегнетоэлектричество II 179, 180 Сжимаемость адиабатическая и изотермическая II 119. См. также Модуль всестороннего сжатия Сила Лоренца I 27 Силовые постоянные II 54 Сильная связь электронов см. Метод сильной связи [c.409]

Нейтронографическое определение структуры тетрагональной фазы KNbO, при температуре 270 °С проведено в работе [40]. На основе полученных данных авторы предлагают рассматривать фазовый переход в KNbOa, как конденсацию мягкой моды, при которой жесткие кислородные октаэдры колеблются относительно атомов К и Kb. С позиций динамической теории сегнетоэлектричества ими проанализированы известные данные о структуре и [c.19]

В большинстве применений сегнетоэлектрических материалов важно иметь точное знание зависимости сжойств материала от температуры и их изменения от материала к материалу при данной температуре. Феноменологическая теория сегнетоэлектричества Девоншира — Гинзбурга предсказывает температурную зависимость сегнетоэлектрических свойств некоторых материалов, но она неприменима к проблемам предсказания зависимости свойств от состава материала. Если материаловедческий критерий определен, его можно использовать в выборе лучшего материала для конкретного применения, а тaкн e в поиске материалов с высокими нелинейно-оптическими характеристиками. [c.292]

Особенности параэлектрнков тесно связаны с теорией сегнетоэлектричества. В большинстве таких кристаллов при некоторой температуре, называемой критической (Г >0), происходит фазовый переход в сегнетоэлектрическое или аи-тисегнетоэлектрическое состояние. Так же как н сегнетоэлектрики, параэлектрн-можно разделить на два основных класса. [c.87]

Конечно, хотелось бы найти здесь и другие разделы, например явления диффузии, пьезо- и сегнетоэлектричество, ядерно-магнит-ный резонанс, "эффект Мёссбауэра, твердотельные лазеры, кристалло-акустика и многие другие и нет сомнения, что задачники более широкой тематики будут в будущем созданы. Однако есть все основания считать, что и этот задачник принесет большую пользу, поскольку, помимо интересного содержания, он обладает и другими положительными качествами. Во-первых, решения, как правило, достаточно обстоятельны и содержат много дополнительной полезной информации. Во-вторых, задачник в целом отражает опыт преподавания ФТТ в зарубежных вузах, с которым нашим лекторам, преподавателям и руководителям семинаров полезно познакомиться. [c.5]

Большой вклад в изучение сегнетоэлектричества внесли советские ученые. В 30-х годах нашего столетия важные исследования сегнето-электрических явлений были проведены И. В. Курчатовым. В 1944 г. Б. М. Вул открыл важнейший для практических применений сегне-тоэлектрик — титанат бария. Ряд сегнетоэлектриков был открыт Г. А. Смоленским и др. В настоящее время известно около 500 сегне-тоэлектрических соединений. [c.210]

Как известно, сегнетоэлектричиские свойства титаната бария были открыты Б. М. Вулом еще в 1944 г. [6]. С тех пор на протяжении почти тридцати лет интерес исследователей к этому типу сегнетоэлектриков не ослабевает. Так, за последние пять лег на долю титанатов-цирконатов во всем мире приходится 27% публикаций (рис. 2.). Из них более половины приходится на работы по ти-танату бария и почти четверть - на твердые растворы титаната-цирконата свинца. Это, по-видимому, объясняется простотой структуры сегнетоэлектриков типа титаната бария, благодаря чему они служат "моделями для изучения природы сегнетоэлектричества, а также их широким применением в технике. На остальные группы приходятся следующие количества печатных работ, % ниобаты-тан- [c.8]

За I968-I972 гг. в СССР было опубликовано около 1000 печатных работ, посвященных вопросам сегнетоэлектричества, IA - около 500, а в Японии - около 400. [c.11]

В СССР вопросами сегнетоэлектричества занимаются несколько десятков организаций. К ведущим из них (исходя из числа опубликованных работ) относятся Институт кристаллографии АН СССР, Институт полупроводников (теперь Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР), слившиеся в одну организацию в I97I г., МГУ, Ростовский государственный университет, НИФХИ им. Л. Я. Карпова и его филиал, Латвийский и Днепропетротский государственные университеты и др. [c.11]

В СССР уже сложился ряд коллективов химиков, успешно работающих в области сегнетоэлектричества. Однако необходимо добиваться резкого увеличения вклада химиков в решение сегнетоэлектрической проблемы,, чтобы ваша страна мог успешно конкурировать с развитыми странами в разработке, производстве и внедрении в технику сегнетоматериалов. [c.14]

Сегнетоэлектрики — весьма распространенные материалы в наши дни. На применении сегнетоэлектриков основано большинство современных генераторов ультразвука. Свойства сегнетоэлектриков широко используются в звуковоспроизводящей аппаратуре. Основным элементом головки звукоснимателя многих электропроигрывателей является кристалл сегнетоэлектрика. (Следует отметить выдающуюся роль советского ученого Б. М. Вула в исследовании сегнетоэлектричества и разработке высокоэффективных сегпетоэлектрических материалов.) [c.157]

Объяснение происхождения сегнетоэлектричества возможно на основе двух подходов, которые связаны между собой. Во-первых, мы можем исходить из представлений так называемой поляризационной катастрофы, согласно которым в некоторых критических условиях поляризация становится очень большой. Во-вторых, мы можем пользоваться представлениями теории распространения в кристаллах поперечных оптических фононов при очень низких частотах (Андерсон [15], Кокрен [16], Гинзбург [17]). Взаимосвязь между этими двумя подходами устанавливается соотношением Лиддейна — Сакса — Теллера, которое было, приведено выше в гл. 5. [c.498]

При первом подходе считается, что локальное электрическое поле, обусловленное поляризацией, возрастает быстрее, чем упругие тормозяш,ие силы, действующие на ионы в кристалле, что 1 приводит к асимметричным смещениям ионов из их равновесных положений. Величины смещений жестко ограничены, конечны, что обусловлено участием тормозящих сил высших порядков. Происхождение сегнетоэлектричества в большинстве кристаллов со структурой перовскита связано именно с тем, что эта структура особенно склонна к поляризационной катастрофе . Расчеты локальных полей, выполненные Слэтером [18] и другими авторами, позволили выяснить физические причины этой склонности перовскитовых структур 2). [c.498]

Критерий сегнетоэлектричества для нейтральных атомов. Рассмотрим систему из двух нейтральиьух атомов, находящихся на фиксированном расстоянии а. Пусть поляризуемость каждого из атомов равна а. Найти со-отношепне между а и а, при выполнении которого эта система будет сегнетоэлектрической. [c.512]

I 287, 288, 295 и образование доменов II 333—336 размагничивающий фактор II 337 Дипольный момент (электрический) см. Пироэлектрические кристаллы По-ляоизуемость Сегнетоэлектричество Дислокации II 233, 247—255 вектор Бюргерса II 250—252 винтовые II 249, 250 в общем случае II 250—252 и границы зерен II 255 и двойникование II 254 и дефекты упаковки II 254, 255 [c.395]

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО — совокупность явлений, наблюдаемых у кристаллич. веществ, у к-рых в результате самопроизвольного понижения симметрии кристаллич. решётки в определённом интервале темп-р и механич. напряжений возникает, независимо от наличия внешнего электрич. поля, макроскопич. электрич. момент — спонтанная поляризация. Величина и направление спонтанной поляризации у этих веществ — сегнетоэлектриков — существенно зависят от темп-ры и хлюгут быть изменены электрич. полем и механич. напряже [c.317]

Смотреть страницы где упоминается термин Сегнетоэлектричество : [c.299] [c.271] [c.167] [c.99] [c.11] [c.11] [c.12] [c.284] [c.292] [c.425] [c.505] [c.506] [c.407] [c.417] [c.249] [c.317] [c.318] [c.582] [c.319] [c.323] [c.323] [c.280] [c.278] [c.399]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...