Теория сегнетоэлектричества

Нейтронографическое определение структуры тетрагональной фазы KNbO, при температуре 270 °С проведено в работе [40]. На основе полученных данных авторы предлагают рассматривать фазовый переход в KNbOa, как конденсацию мягкой моды, при которой жесткие кислородные октаэдры колеблются относительно атомов К и Kb. С позиций динамической теории сегнетоэлектричества ими проанализированы известные данные о структуре и [c.19]

В большинстве применений сегнетоэлектрических материалов важно иметь точное знание зависимости сжойств материала от температуры и их изменения от материала к материалу при данной температуре. Феноменологическая теория сегнетоэлектричества Девоншира — Гинзбурга предсказывает температурную зависимость сегнетоэлектрических свойств некоторых материалов, но она неприменима к проблемам предсказания зависимости свойств от состава материала. Если материаловедческий критерий определен, его можно использовать в выборе лучшего материала для конкретного применения, а тaкн e в поиске материалов с высокими нелинейно-оптическими характеристиками. [c.292]

Особенности параэлектрнков тесно связаны с теорией сегнетоэлектричества. В большинстве таких кристаллов при некоторой температуре, называемой критической (Г >0), происходит фазовый переход в сегнетоэлектрическое или аи-тисегнетоэлектрическое состояние. Так же как н сегнетоэлектрики, параэлектрн-можно разделить на два основных класса. [c.87]

Значительную роль в подробном изучении свойств сегнетовой соли, а также в создании стройной теории сегнетоэлектричества сыграли исследования советских авторов Курчатова и его школы, Шульвас-Сорокиной и др. Подробнее см., монографии Курчатова [5166] и Лепешинской [5168].—Прим. ред. [c.70]

Объяснение происхождения сегнетоэлектричества возможно на основе двух подходов, которые связаны между собой. Во-первых, мы можем исходить из представлений так называемой поляризационной катастрофы, согласно которым в некоторых критических условиях поляризация становится очень большой. Во-вторых, мы можем пользоваться представлениями теории распространения в кристаллах поперечных оптических фононов при очень низких частотах (Андерсон [15], Кокрен [16], Гинзбург [17]). Взаимосвязь между этими двумя подходами устанавливается соотношением Лиддейна — Сакса — Теллера, которое было, приведено выше в гл. 5. [c.498]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...