Магнитная анизотропия, поле локальная

Для переключения намагниченности в отдельной ячейке, описываемой до сих пор, следует прикладывать локальные магнитные поля, превышающие —Ms . Так как поле анизотропии пленки с добавками висмута является очень большим (см., например, рис. 1.16), локальное переключение становится достаточно трудным, особенно если при использовании интегральной технологии переключающее магнитное поле надо подвести с помощью металлического тонкопленочного проводника. [c.36]

Для обнаружения продольных трещин в стенках газопроводов глубиной 10-20% от толщины стенки созданы дефектоскопы-снаряды серии КОД-4М , в которых использовано поперечное намагничивание контролируемой поверхности локальными источниками постоянного магнитного поля, объединенными в систему намагничивания с минимальными потерями энергии источников поля на анизотропию и рассеяние. Дефектоскопы максимально адаптированы к газопроводным системам. [c.183]

Теория направленного упорядочения возникла в связи с исследованиями явления временного спада проницаемости, объясняемого наличием в твердом растворе атомов внедрения. Если большинство атомов внедрения будет расположено в междуузлиях вдоль одной определенной оси, например 1100], то возникнет одноосная анизотропия. В любом твердом растворе, который неполностью упорядочен, имеется совокупность пар одинаковых атомов. Эти пары атомов выстраиваются вдоль приложенного магнитного поля. Необходимо показать, что энергии внешнего магнитного поля достаточно для того, чтобы создать направленное упорядочение, а в том случае, если направленное упорядочение уже возникло, то оно может объяснить величину наблюдаемой магнитной анизотропии. Теоретически и экспериментально было показано, что каждая пара атомов обладает энергией, зависящей от угла между локальной намагниченностью и осью пары. При температурах ниже температуры Кюри, но достаточных для того, чтобы диффузия успевала проходить за конечный промежуток времени,, пары одинако- [c.155]

Для ферритов в соответствии с теорией Танигучи [II] основным источником магнитной кристаллографической анизотропии является анизотропное обменное взаимодействие. Используя теорию кристаллического поля Ван-Флека [12], Танигучи рассчитал энергию магнитной кристаллографической анизотропии ферритов, обусловленную диполь-дипольным взаимодействием катионов, и показал, что эта энергия зависит от величины угла, образованного направлением оси магнитовзаимодействующих атомов и локальной намагниченностью. У материалов с малой величиной этого угла должно происходить направленное упорядочение ионных пар (в кобальтсодержащих ферритах такие пары, по-видимому, Со +—Со +), что и обусловливает возникновение наведенной магнитной анизотропии. [c.176]

Наконец, так как m есть не что иное, как образ вектора плотности намагничивания в конфигурации Жа, то локальное магнитное поле В — полевая величина, учитывающая зависимость энергии ферромагнетика от направления намагниченности. В соответствии с обсуждением в 1.6 величину В можно также назвать полем магнитной анизотропии яли магнитокристаллическим магнитным полем. В соответствии с замечанием в 1.6 обменные силы не зависят от направления намагниченности в силу зависимости энергии от переменной М. [c.354]

Наблюдаемое уширение линий магнитного резонанса, с одной стороны, может вызываться либо локальными магнитными полями, добавляемыми к внешнему полю, либо вариациями g-фактора за счет анизотропии или пространственной неоднородности образца (условия негомогенности), а с другой — это уширение линий можно связать с затуханием осциллирующей системы. В последнем случае затухание определяется механизмами перераспределения поглощенной электромагнитной энергии между спинами и превращения ее в тепло при взаимодействии спиновой системы с кристаллической решеткой. Согласно принципу Больцмана, нижние зеемановские уровни более заселены по сравнению с верхними уровнями. При повышении мощности электромагнитного поля заселенность верхних уровней возрастает, а поскольку релаксационные механизмы [c.34]

Уместно отметить, что с точки зрения направленного упорядочения образование перминварной и прямоугольной петель гистерезиса, по-видимому, — разные аспекты одного и того же явления. Как отмечают авторы работы [45], в отсутствие внешнего магнитного поля всякая термическая обработка ферритов — по существу термомагнитная обработка (при температурах ниже точки Кюри), с той лишь разницей, что она протекает под влиянием внутренних полей, создаваемых доменной структурой. Однако поскольку магнитные моменты доменов расположены беспорядочно , то в результате обычной термической обработки создается локальная направленная упорядоченность по различным направлениям в соответствии с направлениями- векторов спонтанной намагниченности отдельных доменов. В этом случае не возникает одноосной анизотропии для всего образца как целого, но часто наблюдается образование перминварных петель гистерезиса в средних полях [46]. [c.179]

Основываясь на работах, описывающих поле дефекта [5, 6] и физику намагничивания ленты [47, 48, 97], процесс локального намагничивания ленты полем дефекта можно представить графической моделью, изображенной на рис. 1.12. Откуда следует, что намагничивание ленты полем дефекта не является чисто тангенциальным и нормальным, а содержит обе составляющие. Кроме того, вследствие анизотропии, обусловленной магнитными явлениями в поверхностном слое и ферромагнитными свойствами магнитной ленты, векторы внешнего намагничивающего поля, поля, определяющего диссипацию магнитной энергии (прп импульсном памагничиванпи и подмагничивании переменным полем), размагничивающего поля и векторы остаточной намагниченности не могут быть направлены по одной прямой и меняют не только свою величину, но и направление в [c.36]

Однако процесс однородного вращения векторов намагниченности может осуществляться лишь в материалах с высокой степенью однородности состава и структуры, например в бездислокационных кристаллах ( усах ), В реальных материалах — сплавах и соединениях— имеются места с локальными искажениями фазовой и кристаллической структуры и соответственно с измененными значениями константы анизотропии и обмена. В магнитотвердых материалах с высокой магннтокристаллической анизотропией процесс перемагничивания осуществляется в основном путем образования зародышей обратной магнитной фазы и движения доменных границ, а в материалах со структурой из совокупности однодоменных частиц — неоднородным вращением векторов намагниченности в отдельных частицах. Поэтому коэрцитивная сила реальных магнитотвердых материалов составляет лишь часть поля анизотро- [c.46]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...