Электронограмма, расчет

Электронография при исследовании окалины занимает особое место Сущность метода заключается в использовании явления дифракции электронов, возникающего в результате когерентного рассеяния кристаллической решетки вещества пучка электронов с длиной волны X < < Id (где d - наименьшее изучаемое межплоскостное расстояние) Метод дает возможность получать такие же данные о кристаллической структуре веществ, как и рентгеновский метод. При этом для расчета электронограмм используется известное в рентгенографии уравнение Вульфа — Брэгга [c.22]

Расчет электронограмм производился по формуле [c.24]

Расчет электронограммы оксидной пленки меди толщиной 1 мкм [c.64]

Расчет углов между рефлексами и осями текстуры и сравнение их с максимумами на электронограмме подтверждают высказанное [c.64]

На рис. 4 приведены характерные данные для полученной на воздухе окис-ной пленки. Графическая схема расположения рефлексов рис. А, г представлена на рис. 5, а. Расчет показывает, что в данном случае электронограмма представляет собой плоскость (101) обратной решетки рутила, иначе говоря, ось В прямой решетки рутила лежит в плоскости пленки, а ось С составляет с ней угол в 33° (рис. 5,6). [c.55]

Рентгеновский анализ всех трех слоев окалины показал существование только одной фазы — рутила. Такие же результаты дало электронографическое исследование указанных выше поверхностей раздела. Данные расчета электронограмм приводятся в таблице. [c.64]

Расчет электронограмм с поверхностей раздела окалины [c.65]

Расчет электронограммы, снятой на отражение , ничем не отличается от расчета полной электронограммы, снятой на просвет . [c.172]

В главе приведены таблицы для расчета электронограмм. [c.825]

Подробное изложение методов получения и расчета электронограмм приведено в [210, 211]. [c.825]

Электронограмма, расчет 170, 171 Электронограф 168 [c.1656]

На рис. ЗД2 представлено изображение этих кристаллов, дана электронограмма и схема ее расшифровки. Тонкие у-пластины представляют собой чередующиеся полосы с двумя взаимно двойниковыми ориентациями с плоскостью двойникования [ 111] (оси зон матрицы и двойника [110] ), предсказываемыми расчетом ([73 ]), для мартенситных ориентационных соотношений при а- у превращении в двойникованном мартенсите. Электронограмма от двойникованного аустенита (см. рис. 3.12, а) похожа на электронограмму от мартенситных а-двойников превращения [611. Кроме рефлексов от матричных и двойниковых областей аустенита, имеются экстрарефлексы, и тяжи в направлении типа <111>, перпендикулярном плоскости двойникования. [c.81]

В нашем конкретном случае на эллипсе с малой полуосью, равной по величине расстоянию до рефлексу (НО), должны лежать рефлексы (200), (310) для ориентаровки [110] (200), (310) для ориентировки [110] и [111] (112), (113) для ориентировки [001]. Эти ориентировки подтверждаются расчетами, изложенными выше. Рассчитанные углы и положение рефлексов удовлетворительно совпадают с углами и положениями дуг на электронограмме (табл. 3) [c.71]

Расчет данной электронограммы показал, что в области устойчивой пассивности образуется окисел типа 1П2О3. Удель-1юе сопротивление этой анодной иленки превышает [c.52]

Возможность получения полезной информации о дефектах в кристалле, разупорядочении или возмущении на основе диффузного рассеяния на электронограммах рассматривалась несколькими авторами. В этой области существуют очевидные ограничения в связи с образованием кикучи-линий в любом распределении диффузного рассеяния, однако на практике эти эффекты можно в значительной степени устранить, проводя усреднение по малой области углов падения (или кристаллических ориентаций), поскольку ки-кучи-линии очень сильно зависят от ориентации. Начальные расчеты проведены Фишером [136] в предположении, что интенсивность диффузного рассеяния на электронограммах от сплавов Си—Аи, обусловленную ближним порядком, можно связать с интенсивностью кинематического рассеяния с помощью плавно изменяющегося динамического множителя . Однако было обнаружено, что модификацию диффузного рассеяния размерным эффектом от таких сплавов можно ослабить сильными двумерными динамическими взаимодействиями вблизи главных ориентаций (см.гл. 16). Все это, а также изучение теплового диффузного рассеяния плюс соображения, основанные на приближениях фазовой решетки, привели Каули [85а, 856] к мысли, что учет динамических эффектов может оказаться полезным, поскольку он позволит вы- [c.278]

В работе Чуховского, Алексанян и Пинскера [A ta ryst., А29, 38 (1973)] развита строгая динамическая теория образования кикучи-линий, позволившая впервые получить известные из эксперимента параметры кикучи-электронограмм для поглощающего кристалла. В дальнейшем трехволновой расчет привел к получению линий внутри полосы. — Прим. ред. [c.323]

Результаты таких расчетов для двумерных дифракционных картин представляют значительный интерес. Похоже на то, что в общем отношение интенсивностей динамического и кинематического рассеяния для чисто диффузного рассеяния при наличии ближнего порядка можно представлять плавно изменяющейся функцией, возрастающей с расстоянием от начала координат. В связи с этим ожидается, что динамические эффекты не будут влиять на положение и форму максимумов диффузного рассеяния (за исключением случая почти совершенного кристалла, когда при прохождении через максимум появляется сильная кикучи-линия), но относительные интенсивности при переходе от одного участка электронограммы к другому в целом изменятся. [c.385]

Для выяснения природы вещества были сняты микроэлект-ронограммы с полученной пленки (рис. 66) и с чистого дисульфида молибдена (рис. 67). Сравнение и расчет электронограмм показывают, что на них зафиксировано одно и то же вещество, т. е. дисульфид молибдена. Проводились также опыты по предварительной оценке адгезии нанесенного покрытия. Стальная подложка толщиною 1 мм, на которую было нанесено покрытие, перегибалась вокруг стержней разных диаметров. Опыты показали, что при перегибе образца на стержне с минимальным диаметром 3 мм отслаивания или возникновения трещин на покрытии не обнаруживается. Высокую адгезию покрытия можно объяснить качественной очисткой (в процессе покрытия) [c.123]

Существенные изменения наблюдали только на первом участке околошовной зоны, непосредственно прилегающем к зоне сплавления, где полностью растворились мелкодисперсные карбиды и произошел рост зерен на новых границах зерен выпали пластинчатые карбиды дендритной формы, причем, чем ближе к зоне сплавления, тем они крупнее. Расчет электронограмм этих карбидов показал, что все они отвечают формуле МеС, т. е. являются либо карбидами титана, либо карбидами ниобия соответственно. В стали с ниобием в зоне сплавления обнаружено также соединение типа РегМЬ. Таким образом, эксперименты показали, что ножевой коррозии подвергается участок околошовной зоны с укрупненным зерном и замкнутой цепочкой дендритных карбидов титана или ниобия на границах новых зерен. [c.89]

Расчет электронограммы поликристалла совершенно аналогичен расчету рентгенограммы поликристалла, снятой в монохроматическом излучении, но вследствие малости углов отражения О (<3°) sinд tg = [c.170]

Величину А, Ажл1, необходимую для расчета электронограмм, определяют экспериментально (для каждой ступени высокого напряжения и для стандартной установки образца) из электронограмм какого-либо чистого вещества с хорошо известной кристаллической структурой. Например, легко приготовить эталонный образец из окиси [c.170]

Анализ и расчет микродифракционных картин выполняются так же, как и для обычных электронограмм, но связаны с некоторыми специфическими затруднениями. Так, непостоянство величины ХЬ (из-за некоторых изменений положения образца по высоте и увеличения дифракционной картины) требует определения этой величины почти для каждого снимка. Такое частое определение выполняют пссладовательной съемкой объекта и эталонного вещества, наносимого на объект в очень малом количестве. [c.171]

Энциклопедия по машиностроению XXL

Оборудование, материаловедение, механика и ...